公开(公告)号：CN105683411A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480052442.9

申请日：2014-09-23

Applicant: 阿科玛股份有限公司

Inventor： C·A·巴特洛 ,  S·加布洛尔 ,  R·帕特里奇

IPC: C23C16/27

CPC classification number: H02S40/22 ,  B05D3/007 ,  C08K3/04 ,  C09D5/00 ,  C09D7/61 ,  C09D7/65 ,  C09D127/12 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0488 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0543 ,  Y02E10/52

Abstract: 在太阳能电池上使用的纳米金刚石涂料，该涂料包括悬浮在液体中的纳米金刚石材料，其中该纳米金刚石材料具有从约1nm至约10nm的尺寸范围。提供了用于改进太阳能电池的效率的方法，这些方法包括将纳米金刚石材料与液体聚合物或非聚合物溶剂混合以形成纳米金刚石聚合物悬浮液，在太阳能电池的顶部表面上形成该悬浮液的涂层，并且干燥该涂层，这样使得干燥的纳米金刚石聚合物层保持与该太阳能电池相结合。有用的纳米金刚石涂料组合物可以包括纳米金刚石材料、氟聚合物、用于该氟聚合物的液体溶剂以及至少一种选自下组的添加剂，该组由分散剂、助黏附剂、和偶联剂组成。该氟聚合物还可以以水性分散体形式使用。

公开(公告)号：CN105669736A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610008026.X

申请日：2016-01-06

Applicant: 嘉善镭铈光电科技有限公司

Inventor： 张雷

IPC: C07F7/04 ,  C09K11/06 ,  H01L31/0216

CPC classification number: C07F7/045 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/182 ,  H01L31/02168

Abstract: 本发明涉及一种RE@有机硅配合物的制备方法，其包括以下步骤：(a)将稀土氧化物用酸溶液溶解，形成稀土盐类的溶液，再加热该稀土盐类的溶液以除去酸和水，得到含有稀土元素RE的盐类化合物；(b)将含有稀土元素RE的盐类化合物用醇溶液溶解，形成含有稀土元素RE的醇盐溶液；(c)向所述含有稀土元素RE的醇盐溶液加入硅酸酯，硅酸酯与稀土元素RE进行配位反应得到RE@有机硅配合物。本发明还提供一种RE@有机硅配合物的应用。

公开(公告)号：CN104080946B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201280038501.8

申请日：2012-07-26

Applicant: 吉布尔·施密德有限责任公司

Inventor： C·施密德 ,  D·哈贝尔曼 ,  J·豪恩格斯 ,  C·阿特马 ,  T·斯图尔特 ,  K·普罗文查

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/54 ,  C23C16/455 ,  H01L31/18

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/453 ,  C23C16/4551 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/466 ,  C23C16/545 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67706 ,  H01L21/6776 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种用于在制造太阳能电池时在衬底上制造薄层的装置，其中，采用APCVD方法在高于250℃的温度情况下敷设薄层，在该装置中，衬底在连续运行中在水平的输送带上被输送，并通过APCVD涂层法被涂层。在此，输送带具有输送轮，所述输送轮由耐热的非金属的材料优选陶瓷。在输送带的背离涂层装置的一侧设置有加热机构和/或喷淋气体供应机构。

公开(公告)号：CN103325860B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310086279.5

申请日：2013-03-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 沈承焕 ,  金基修 ,  尹银彗 ,  黄有珠 ,  李永贤 ,  朴相昱

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体衬底；发射极区，该发射极区具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并位于半导体衬底的第一表面处；半导体区，该半导体区直接位于半导体衬底的与第一表面相反的第二表面上，在半导体衬底的第二表面上形成了电荷累积层，并包含第一导电类型的杂质；第一电极，该第一电极位于半导体衬底的第一表面上，并与发射极区相连接；以及第二电极，该第二电极位于半导体衬底的第二表面上，并与半导体衬底相连接。

公开(公告)号：CN105609571A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610104676.4

申请日：2016-02-25

Applicant: 上海大族新能源科技有限公司

Inventor： 刘超 ,  刘成法 ,  张松 ,  张为国 ,  王佩然 ,  陈寒

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明涉及一种IBC太阳电池及其制作方法。该方法包括：将N型硅片的第一表面进行制绒处理，将其第二表面进行抛光；在第二表面上形成硼掺杂源层，将其放入热氧化炉中进行反应，在第二表面上形成依次层叠的p+发射极层和硼硅玻璃层，在第一表面上形成氧化硅层；采用激光去除第二表面的特定区域的硼硅玻璃和p+发射极；将N型硅片放入磷源扩散炉中，在第二表面上形成n++表面场区域，在第一表面上依次形成n+表面场层和磷硅玻璃层；采用激光隔开第二表面上的p+发射极和n++表面场区域；去除硼硅玻璃和磷硅玻璃；在N型硅片的表面上分别形成钝化层；在第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极。上述IBC太阳电池及其制作方法，简化工艺流程和步骤。

公开(公告)号：CN105552146A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610101445.8

申请日：2016-02-24

Applicant: 晶科能源有限公司 ,  浙江晶科能源有限公司

Inventor： 刘亚锋 ,  覃武 ,  刘增胜 ,  金浩

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种晶硅电池，包括设置在电池片正面的正面电极，所述正面电极包括向侧边延伸的细栅线，所述细栅线的上侧边所在的平面与所述电池片表面的垂直方向的夹角α大于等于太阳光的入射角α0。除此之外，本发明还提供了一种所述晶硅电池制造方法，应用于如上述所述的晶硅电池。所述晶硅电池以及晶硅电池制造方法，通过将电池片表面的细栅线的上侧边所在的平面与所述电池片表面的垂直方向的夹角α大于等于太阳光的入射角α0，使得在太阳光入射到电池片表面时，不会被细栅线遮挡，降低了在电池片的表面存在放入阴影区域面积，提高了电池片的接收阳光的面积，提高了对照射在电池片表面的阳光的利用率，提高了电池片的发电功率。

公开(公告)号：CN102376791B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201010601224.X

申请日：2010-12-17

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 洪钟泾 ,  金钟大

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/048 ,  H01L31/05 ,  H05K3/32 ,  H01L31/054

CPC classification number: H01L31/0508 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0512 ,  H01L31/0547 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/10143 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明涉及太阳能电池板。所述太阳能电池板包括：多个太阳能电池，各个太阳能电池包括基板和位于所述基板的表面上的电极部；互连器，其用于将所述多个太阳能电池中的至少一个太阳能电池电连接到所述多个太阳能电池中的另一个太阳能电池；以及导电粘合膜，其包括树脂和散布在所述树脂中的多个导电颗粒。所述导电粘合膜位于所述多个太阳能电池中的所述至少一个太阳能电池的所述电极部和所述互连器之间，以将所述多个太阳能电池中的所述至少一个太阳能电池的所述电极部电连接到所述互连器。所述互连器的宽度等于或大于所述导电粘合膜的宽度。

公开(公告)号：CN105518874A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480048554.7

申请日：2014-09-03

Applicant: 赛腾高新技术公司

Inventor： 兹比格卢·库茨尼奇 ,  帕特里克·梅里埃斯

IPC: H01L31/055 ,  H01L31/054

CPC classification number: H01L31/055 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0549 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明设计一种高产量多级光电倍增平台单元，其前面上设置一个具有上电极层(5)的保护抗反射涂层或层(1)，其特征在于其包括：由UV辐射光到光下转换器(2)到可见光辐射域内特定子带构成的光电-光子平台，一个包含电子钝化层(4)和分光装置的收割绕射级器件(3)以及一个或多个自带光分成收窄的子带光浓缩转换器，IR辐射上转换专用光转换器，转换倍增平台由若干对每个窄带和浓缩子带光电倍增转换器优化后构成。顶部的数字光学光管理层收集，过滤，分光并且将太阳光集中到子带内，并且将它们以低能量倍增容量投射到专用光电转换器上，优选为全硅转换器。UV波长被吸收并且在平台顶部纳米层内被向下转换。太阳光的其他光谱分量通过该顶部纳米层被传送，引导到专用面板区并且聚焦到经过调整的转换器上。

公开(公告)号：CN105514181A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510930429.5

申请日：2015-12-14

Applicant: 山东新华联新能源科技有限公司

Inventor： 高智红 ,  孟庆凯 ,  戚运东

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/1884

Abstract: 本发明提供了一种绒面结构的TCO薄膜、其制备方法及薄膜太阳能电池。该TCO薄膜由下至上依次包括减反射膜和BZO绒面层。该TCO薄膜通过增加了减反射膜，而且将减反射膜设置在BZO薄膜的下面，使得入射光经过具有绒面结构的BZO薄膜层之后，散射能力得到提高，然后再经过减反射膜，反射作用明显降低，进而提高了薄膜太阳能电池对入射光的利用效率，从而提高了薄膜太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN105474408A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480046058.8

申请日：2014-08-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小波本直也 ,  坂元智成

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01B1/22 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 为了提供一种具有高转化效率、电极形成后的基板的翘曲小、并且提高了基板与电极的密合强度的太阳能电池元件，而制成以下的太阳能电池元件。一种太阳能电池元件，其具备在表面具有p型半导体区域的硅基板、和配置在所述p型半导体区域之上的以铝为主成分的电极，所述电极具有包含氧化钒、氧化碲和氧化硼的玻璃成分，在该玻璃成分中，氧化钒的含量少于氧化碲的含量与氧化硼的含量之和。或者，所述电极具有包含氧化钒、氧化碲和氧化硼的玻璃成分，在将该玻璃成分设为100质量份时，该玻璃成分含有5～33质量份的氧化钒、4～30质量份的氧化碲、和4～18质量份的氧化硼。