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公开(公告)号：CN203826387U
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201420148966.5
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本实用新型提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器及环振，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，耗尽型器件栅下保留SiN，器件栅下存在高浓度二维电子气，器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性，将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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公开(公告)号：CN204855572U
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201520527191.7
申请日：2015-07-20
Applicant: 长安大学
IPC: G01R1/04 , G01R31/3177
Abstract: 本实用新型公开了一种用于逻辑分析仪与FPGA系统的测试接口装置，包括电路板或电路板区域，电路板或电路板区域上制作有一组输入信号接口槽位、两组单端信号转差分功能电路模块、两组输出信号接口槽位；电路板或电路板区域上，从输入信号接口槽位引出的信号走线分别连接到两组单端信号转差分功能电路模块，从两组单端信号转差分功能电路模块引出的信号走线分别连接到与其对应输出信号接口槽位。本实用新型将单端信号转化差分信号，避免了待测信号之间串扰，将待测信号转化差分信号，避免了FPGA数字系统待测信号差分输出，节省了FPGA接口资源。此外，在电路板上设置有单端信号输入接口槽和差分信号输出接口槽位，使逻辑分析仪与FPGA系统连接更加简便。
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公开(公告)号：CN204509456U
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201520169679.7
申请日：2015-03-24
Applicant: 长安大学
Abstract: 本实用新型公开了一种磁控溅射载物台，包括载物板，所述载物板上方安装有底座；所述载物板底面设置有用于放置目标器件的置物槽；所述置物槽的侧壁上设置有多个金属片槽，所述多个金属槽的轴线均与所述载物板的轴线垂直；所述多个金属片槽内均安装有可相对于所述目标器件沿水平或竖直方向运动的固定装置。本实用新型设计侧壁纵截面为双曲线的底座，使得载物板与磁控溅射装置的连接更加简便；载物板底面设置有置物槽，并设置可相对于目标器件沿水平或竖直方向运动的金属片，使得本实用新型的载物台能够固定不同长度和高度的目标器件。
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公开(公告)号：CN204408188U
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201420843740.7
申请日：2014-12-25
Applicant: 长安大学
IPC: H02M1/44
Abstract: 本实用新型公开了一种双输出的DC-DC振荡器电路，加入基准电压VR1和使能信号EN时，内部振荡电路产生两个频率固定相同却反相的方波信号V1和V2，经两个脉冲产生电路产生两路相位差为180度的窄脉冲信号V3和V4，这两路脉冲信号既直接作为电路的输出信号，触发开关管的开启，又分别在输入电压VIN、基准电压VR2和使能信号EN的作用下，经锯齿波产生电路产生两路相位差为180度的锯齿波信号V5与V6作为电路的另一种输出信号，有效地降低了双路DC-DC输入的RMS电流，消除了两路输出之间的干扰；本实用新型的锯齿波产生单元提供一个斜坡电压信号，具有斜坡低电平控制和输入电压前馈控制的斜坡电压信号增强了电压模环路的稳定性。
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公开(公告)号：CN203826388U
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201420149020.0
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本实用新型提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器及环振，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，负载电阻表面保留SiN，电阻沟道中存在高浓度二维电子气，呈现出电阻特性，将增强型器件和负载电阻集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205160484U
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201521031682.9
申请日：2015-12-11
Applicant: 长安大学
IPC: H03H7/38
Abstract: 本实用新型公开了一种负载阻抗匹配装置，属于阻抗匹配领域。所述实用新型包括声表面波器件适配座，在其一端连接有端口一匹配电路单元，在其另一端连接有端口二匹配电路单元，端口一匹配电路单元与第一接头相连，在端口二匹配电路单元与第二接头相连。本实用新型通过该装置中四个单刀双掷开关状态的调节，分别构成与待测声表面波器件对应的未匹配通道及匹配通道，从而使待测声表面波器件一步完成负载阻抗匹配。相对于现有技术，避免了在整个过程中对多个硬件进行拆卸这一情况的发生，并且可以针对两个端口分别设计不同的无源负载阻抗匹配网络，灵活处理使两端口同时达到阻抗匹配中心点，减少传输线上的反射波，提高了声表面波信号的传输效率和质量。
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公开(公告)号：CN204116496U
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201420588486.0
申请日：2014-10-11
Applicant: 长安大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型属于声表面波器件测试技术领域，公开了一种声表面波器件测试装置，包括矢量网络分析仪和BNC连接组件，其特征在于，还包括测试校准装置，所述BNC连接组件将矢量网络分析仪与测试校准装置相连接；本实用新型利用BNC连接组件将矢量网络分析仪与测试器件直接连接，减小了器件测试结果的误差，节省了成本；通过双刀双掷开关选择校准端口，实现了对校准类型的选择，可根据需要开启和关闭相应的开关来选择所需的校准类型，解决了现有技术的一次校准将需多次装卸套件导致的不方便操作以及效率低的问题。
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公开(公告)号：CN203722881U
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201420040039.1
申请日：2014-01-22
Applicant: 长安大学
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 本实用新型公开了一种新型LED驱动电路，主要解决现有电压控制模式的电路结构输入响应速度慢，包括调光控制单元，峰值电流检测采样单元和恒定关断时间控制单元。调光控制单元通过模拟和数字两种调光方式调节流过LED上的平均电流的大小来实现亮度的调节，分别输出峰值电流检测阈值VCST1给峰值电流检测采样单元，而且输出两个使能VEN1和VEN2给恒定关断时间控制单元；峰值电流检测采样单元将比较结果输入到恒定关断时间控制单元；恒定关断时间控制单元在检测到峰值电流时，产生一个恒定的关断时间。本实用新型提高了输入响应速度，可实现快速的数模混合调光，可应用于LED驱动电路。
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公开(公告)号：CN203011560U
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201220734974.9
申请日：2012-12-27
Applicant: 长安大学
IPC: G01K7/01 , H01L29/872 , H01L29/47
Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅温度传感器，包括由N型SiC基片构成的衬底和设置在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部中间位置处设置有圆形的肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设置有圆环形的N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有圆环形的欧姆接触电极，N型SiC欧姆接触掺杂区、欧姆接触电极和肖特基接触电极同心设置，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间的N型SiC外延层上部，以及位于欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设置有二氧化硅层。本实用新型设计新颖合理，线性度和封装密度好，有利于集成，工作可靠性高，实用性强，应用范围广，推广应用价值高。
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公开(公告)号：CN202662614U
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201220260708.7
申请日：2012-06-05
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/812 , H02M7/537 , H02M3/155
CPC classification number: Y02B70/1483
Abstract: 本实用新型公开了一种JFET及使用该JFET的微型逆变器，其JFET包括衬底和设在衬底上的SiC外延层，SiC外延层的上半部分为台阶状且为JFET的N型SiC沟道层，SiC外延层的下半部分为JFET的SiC漂移层，N型SiC沟道层的上部设有N型SiC欧姆接触层，衬底的下部设有漏极欧姆接触电极，N型SiC沟道层的上部设有源极欧姆接触电极，SiC漂移层的上部和N型SiC沟道层的侧壁上设有两个栅极肖特基接触电极；其微型逆变器包括电容C1、C2和C3，电感L1，JFET1、JFET2和JFET3，以及碳化硅肖特基二极管D1、D2、D3和D4。本实用新型设计新颖合理，实现方便，提高了微型逆变器的工作频率和工作可靠性，降低了电能损耗和电价。
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