-
公开(公告)号：CN104578756B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410826725.6
申请日：2014-12-25
Applicant: 长安大学
IPC: H02M1/44
Abstract: 本发明公开了一种双输出的DC‑DC振荡器电路，加入基准电压VR1和使能信号EN时，内部振荡电路产生两个频率固定相同却反相的方波信号V1和V2，经两个脉冲产生电路产生两路相位差为180度的窄脉冲信号V3和V4，这两路脉冲信号既直接作为电路的输出信号，触发开关管的开启，又分别在输入电压VIN、基准电压VR2和使能信号EN的作用下，经锯齿波产生电路产生两路相位差为180度的锯齿波信号V5与V6作为电路的另一种输出信号，有效地降低了双路DC‑DC输入的RMS电流，消除了两路输出之间的干扰；本发明的锯齿波产生单元提供一个斜坡电压信号，具有斜坡低电平控制和输入电压前馈控制的斜坡电压信号增强了电压模环路的稳定性。
-
公开(公告)号：CN103813587B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410030379.0
申请日：2014-01-22
Applicant: 长安大学
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 本发明公开了一种具有数模混合调光功能的LED驱动电路，主要解决现有电压控制模式的电路结构输入响应速度慢，包括调光控制单元，峰值电流检测采样单元和恒定关断时间控制单元。调光控制单元通过模拟和数字两种调光方式调节流过LED上的平均电流的大小来实现亮度的调节，分别输出峰值电流检测阈值VCST1给峰值电流检测采样单元，而且输出两个使能VEN1和VEN2给恒定关断时间控制单元；峰值电流检测采样单元将比较结果输入到恒定关断时间控制单元；恒定关断时间控制单元在检测到峰值电流时，产生一个恒定的关断时间。本发明提高了输入响应速度，可实现快速的数模混合调光，可应用于LED驱动电路。
-
公开(公告)号：CN103033276B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210580213.7
申请日：2012-12-27
Applicant: 长安大学
IPC: G01K7/01 , H01L29/872 , H01L29/47
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅温度传感器及其制造方法，其传感器包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部设有圆形肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设有圆环形N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间以及欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设有二氧化硅层；其制造方法包括步骤：一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成二氧化硅层，五、形成欧姆接触电极，六、形成肖特基接触电极，七、热退火。本发明设计合理，线性度和封装密度好，有利于集成，推广应用价值高。
-
公开(公告)号：CN103035310B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210579813.1
申请日：2012-12-27
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法，其核电池包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，N型SiC外延层上部设有肖特基接触电极；N型SiC外延层上部除去欧姆接触电极和肖特基接触电极的区域设有二氧化硅层。其制造方法包括步骤：一、提供衬底，二、在衬底上外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成二氧化硅层，五、形成欧姆接触电极，六、形成肖特基接触电极。本发明设计新颖合理，有利于提高微型核电池的能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，推广应用价值高。
-
公开(公告)号：CN103033276A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210580213.7
申请日：2012-12-27
Applicant: 长安大学
IPC: G01K7/01 , H01L29/872 , H01L29/47
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅温度传感器及其制造方法，其传感器包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部设有圆形肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设有圆环形N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间以及欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设有二氧化硅层；其制造方法包括步骤：一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成二氧化硅层，五、形成欧姆接触电极，六、形成肖特基接触电极，七、热退火。本发明设计合理，线性度和封装密度好，有利于集成，推广应用价值高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103021492A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210580215.6
申请日：2012-12-27
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅横向PIN型微型核电池及其制造方法，其核电池包括衬底和设在衬底上的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区和P型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上设有N型欧姆接触电极，P型SiC欧姆接触掺杂区上设有P型欧姆接触电极；N型SiC外延层上除去N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极的区域设有二氧化硅层；一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成P型SiC欧姆接触掺杂区，五、形成二氧化硅层，六、形成欧姆接触电极，七、形成肖特基接触电极；本发明设计新颖合理，提高了微型核电池的能量转换效率和封装密度。
-
公开(公告)号：CN108375633B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810075624.8
申请日：2018-01-24
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供了一种自供电式沥青路内部裂缝监测与定位系统与方法，包括：能量收集装置，用于将接收的机械能转换为电能并收集所述电能；发射装置，用于发射应力波，所述应力波通过所述能量收集装置收集的电能转换得到；接收装置，用于接收横向经过道路后的应力波，接收装置具有关于所述发射装置的预定空间关系计算装置，用于对比接收的应力波和发射的应力波之间的差异，判断道路中是否存在裂缝及裂缝的大小；若存在裂缝且为严重裂缝时，通过接收应力波的幅值和发射应力波的幅值采用预定线性相关性来计算裂缝分别与发射装置和接收装置之间的距离，即可定位裂缝位置。本发明能够自供电、全方位、长期的对沥青混凝土道路内部裂缝进行监测与定位。
-
公开(公告)号：CN102664197B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210181028.0
申请日：2012-06-05
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/337 , H02M7/537
Abstract: 本发明公开了一种JFET及其制造方法以及使用该JFET的微型逆变器，其JFET包括漏极欧姆接触电极、衬底、SiC漂移层、N型SiC沟道层和N型SiC欧姆接触层以及两个栅极肖特基接触电极；其制造方法包括步骤：一、提供衬底,二、形成SiC外延层，三、形成N型SiC沟道层和SiC漂移层；四、形成N型SiC欧姆接触层,五、形成漏极和源极欧姆接触电极,六、形成两个栅极肖特基接触电极；其微型逆变器包括电容C1、C2和C3，电感L1，JFET1、JFET2和JFET3，以及碳化硅肖特基二极管D1、D2、D3和D4。本发明实现方便且成本低，提高了微型逆变器的工作频率和工作可靠性，降低了电能损耗和电价，实用性强。
-
公开(公告)号：CN103813587A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410030379.0
申请日：2014-01-22
Applicant: 长安大学
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 本发明公开了一种具有数模混合调光功能的LED驱动电路，主要解决现有电压控制模式的电路结构输入响应速度慢，包括调光控制单元，峰值电流检测采样单元和恒定关断时间控制单元。调光控制单元通过模拟和数字两种调光方式调节流过LED上的平均电流的大小来实现亮度的调节，分别输出峰值电流检测阈值VCST1给峰值电流检测采样单元，而且输出两个使能VEN1和VEN2给恒定关断时间控制单元；峰值电流检测采样单元将比较结果输入到恒定关断时间控制单元；恒定关断时间控制单元在检测到峰值电流时，产生一个恒定的关断时间。本发明提高了输入响应速度，可实现快速的数模混合调光，可应用于LED驱动电路。
-
公开(公告)号：CN102664197A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210181028.0
申请日：2012-06-05
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/337 , H02M7/537
Abstract: 本发明公开了一种JFET及其制造方法以及使用该JFET的微型逆变器，其JFET包括漏极欧姆接触电极、衬底、SiC漂移层、N型SiC沟道层和N型SiC欧姆接触层以及两个栅极肖特基接触电极；其制造方法包括步骤：一、提供衬底,二、形成SiC外延层，三、形成N型SiC沟道层和SiC漂移层；四、形成N型SiC欧姆接触层,五、形成漏极和源极欧姆接触电极,六、形成两个栅极肖特基接触电极；其微型逆变器包括电容C1、C2和C3，电感L1，JFET1、JFET2和JFET3，以及碳化硅肖特基二极管D1、D2、D3和D4。本发明实现方便且成本低，提高了微型逆变器的工作频率和工作可靠性，降低了电能损耗和电价，实用性强。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.018 seconds)
