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公开(公告)号：CN103915435A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410122689.5
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，负载电阻表面保留SiN，电阻沟道中存在高浓度二维电子气，呈现出电阻特性，将增强型器件和负载电阻集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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公开(公告)号：CN110644497B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910882566.4
申请日：2019-09-18
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种软土地基深基坑支护装置，包括柱桩、短桩、斜撑、挤压杆及防变位装置；短桩设置在柱桩的一侧，且远离地基坡面一侧设置；斜撑设置在柱桩与短桩之间，斜撑的一端与柱桩连接，另一端与短桩连接；挤压杆的上端与斜撑活动连接，挤压杆的下端与防变位装置连接；防变位装置设置在柱桩与短桩之间，防变位装置的一侧与柱桩连接，另一端与短桩连接，防变位装置用于防止柱桩与短柱之间发生位移；本发明通过设置防变位装置，当短桩由于地基土地过软，短桩发生远离柱桩方向移动时，防变位装置实现对柱桩和短桩之间位移的限制，避免了由于短桩的位移导致斜撑松动，导致的柱桩或短桩变位、坑底隆起、支护结构严重漏水、流土以致破损等问题。
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公开(公告)号：CN103915435B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410122689.5
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，负载电阻表面保留SiN，电阻沟道中存在高浓度二维电子气，呈现出电阻特性，将增强型器件和负载电阻集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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公开(公告)号：CN110644497A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910882566.4
申请日：2019-09-18
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种软土地基深基坑支护装置，包括柱桩、短桩、斜撑、挤压杆及防变位装置；短桩设置在柱桩的一侧，且远离地基坡面一侧设置；斜撑设置在柱桩与短桩之间，斜撑的一端与柱桩连接，另一端与短桩连接；挤压杆的上端与斜撑活动连接，挤压杆的下端与防变位装置连接；防变位装置设置在柱桩与短桩之间，防变位装置的一侧与柱桩连接，另一端与短桩连接，防变位装置用于放置柱桩与短柱之间发生位移；本发明通过设置防变位装置，当短桩由于地基土地过软，短桩发生远离柱桩方向移动时，防变位装置实现对柱桩和短桩之间位移的限制，避免了由于短桩的位移导致斜撑松动，导致的柱桩或短桩变位、坑底隆起、支护结构严重漏水、流土以致破损等问题。
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公开(公告)号：CN203826388U
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201420149020.0
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本实用新型提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器及环振，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，负载电阻表面保留SiN，电阻沟道中存在高浓度二维电子气，呈现出电阻特性，将增强型器件和负载电阻集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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