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公开(公告)号：CN110600554A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910890607.4
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/868 , H01L21/328
Abstract: 本发明公开了一种(100)晶向金刚石n-i-p结二极管及其制备方法，解决了传统金刚石p-i-n结二极管中n型层欧姆接触电阻率大、i型层质量低的问题，从而提升金刚石功率电子器件的性能和应用前景。一种(100)晶向金刚石n-i-p结二极管，其具体结构为：由下至上层叠设置的(100)晶向的本征单晶金刚石衬底、n型金刚石和n型金刚石薄层；在n型金刚石薄层上：一部分为由下至上层叠设置的高导电表面和欧姆电极I，另一部分为由下至上层叠设置的i型金刚石、p型金刚石和欧姆电极II。
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公开(公告)号：CN108711549A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810398935.8
申请日：2018-04-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/51 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L21/044 , H01L29/1602 , H01L29/517 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种超薄氧化铝介质层金刚石场效应晶体管的制备方法，去除金刚石衬底表面非金刚石相后，再对金刚石衬底进行氢化处理；在氢化后的金刚石衬底表面形成源极和漏极；然后在源极和漏极之间形成超薄氧化铝介质层；最后在超薄氧化铝介质层上形成栅极。解决了现有场效应晶体管的制备成本高，制备工艺复杂的问题。
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公开(公告)号：CN106711241B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201611192837.6
申请日：2016-12-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/101 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯透明电极金刚石基紫外探测器及其制备方法，探测器从下至上至少包含绝缘衬底、金刚石紫外敏感层、透明石墨烯层和金属电极；金刚石紫外敏感层的表面处形成金刚石表面终端；所述透明石墨烯层设置于金刚石紫外敏感层的金刚石表面终端上；所述金刚石紫外敏感层中均布有若干三维结构。本发明结构利用石墨烯超高的面内电导特性和其对紫外光的全透过特性，以及三维结构金刚石紫外敏感层对紫外光入射增强的特性，提高了金刚石基紫外探测器的响应度及外量子效率。
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公开(公告)号：CN104992974B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201510250214.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基双层绝缘栅介质场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包含金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、第一层绝缘栅介质层、第二层绝缘栅介质层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；第一层绝缘栅介质层覆盖源极与漏极之间的导电沟道，以及部分源极与漏极；第一层绝缘栅介质层上设置有第二层绝缘栅介质层；第二层绝缘栅介质层上设置有栅电极。本发明采用双层绝缘栅介质的结构有效提高了场效应晶体管的直流、微波特性。
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公开(公告)号：CN107369720A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710543596.3
申请日：2017-07-05
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管及其制备方法，包括：包含金刚石衬底；金刚石衬底的一面设有金刚石外延层，另一面设有欧姆接触电极；金刚石外延层的表面形成有凸梁与沟道相间的微观结构；凸梁的表面形成有氧终端表面；氧终端表面上设有低势垒肖特基区域金属；金刚石外延层的微观结构中除凸梁表面的区域设有氟终端；低势垒肖特基区域金属和氟终端的表面形成一层高势垒肖特基区域金属。与现有技术相比，通过本发明，能够获得同时具有正向开启电压小、电流密度大、反向漏电流小、击穿电压高的肖特基二极管。
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公开(公告)号：CN207868221U
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201820307963.X
申请日：2018-03-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本实用新型公开了一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底、p型硼高掺杂金刚石层、i型碳化硅层和n型磷高掺杂金刚石层，所述单晶金刚石衬底向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，所述n型磷高掺杂金刚石层向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层,解决了金刚石LED发光效率问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211016566U
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201921567676.3
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G21H1/06 , H01L29/45 , H01L29/868 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型的目的是提供一种单晶金刚石n‑i‑p结核动力电池，解决了现有金刚石肖特基结核动力电池开路电压低、输出电流小的问题，从而提升金刚石核动力电池的性能和应用前景。该一种单晶金刚石n‑i‑p结核动力电池，包括层叠接触设置的本征单晶金刚石衬底、n型金刚石层、i型金刚石层、p型金刚石层和p型欧姆电极；在n型金刚石层与i型金刚石层所接触的表面上，一部分接触设置i型金刚石层，其余部分接触设置n型欧姆电极；p型欧姆电极通过引线连接有，i型金刚石层通过引线连接有；还包括放射源，放射源设置于p型欧姆电极的上方，或者环绕设置于i型金刚石层的外侧。
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公开(公告)号：CN209496877U
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201920132535.2
申请日：2019-01-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本实用新型公开了n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管，包括金刚石衬底，金刚石衬底上铺设有由n型掺杂单晶金刚石外延薄膜形成的台面，台面上沉积有两个条形的介质层，沿各介质层和台面的外沿分别铺设有漏极和源极，在两个介质层之间铺设有栅极，介质层、漏极、源极和栅极形成场板结构，源极、漏极和栅极上分别沉积有源引出电极、漏引出电极和栅引出电极，源引出电极、漏引出电极和栅引出电极之间通过钝化层相互完全分隔；本实用新型在金刚石MESFET的源栅漏电极边缘引入场板结构，有效的降低了电场集中效应，增大了器件的耐压特性，有效减弱器件源、栅、漏边缘的电场集中现象，提高了器件击穿电压性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208142209U
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201820306274.7
申请日：2018-03-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本实用新型公开了一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底和p型硼高掺杂金刚石层，p型硼高掺杂金刚石层上方依次设置有i型碳化硅层、n型磷高掺杂金刚石层、欧姆接触电极和保护金属层，p型硼高掺杂金刚石层上方还依次设置有欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。
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