用于室内氢气泄漏定位的检测方法及系统

    公开(公告)号:CN119939159A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202510025015.1

    申请日:2025-01-08

    Abstract: 一种用于室内氢气泄漏定位的检测方法及系统,方法中,在室内搭建MEMS气体传感器的三维网络,并获取每个MEMS气体传感器所在节点的坐标;利用MEMS气体传感器测量室内气体的响应特征,采用EEMD‑GRNN集合经验模态分解‑广义回归神经网络模型进行基线补偿,获得各个MEMS气体传感器的氢气浓度随时间变化的曲线;使用菲克第二定律方程的高斯分布解拟合氢气浓度随时间变化的曲线,得到最佳拟合参数,从而获取MEMS气体传感器与氢气泄漏位置的距离;根据MEMS气体传感器与氢气泄漏位置的距离,获取室内氢气泄漏的发生位置。

    一种用于硬掩壁和硅片的对准夹紧装置及方法

    公开(公告)号:CN116759356A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310737473.9

    申请日:2023-06-21

    Abstract: 本发明公开了一种用于硬掩壁和硅片的对准夹紧装置及方法,所述装置包括硅片吸附夹紧部件、硬掩壁吸附夹紧部件、微动调整部件;所述硬掩壁吸附夹紧部件设置在所述硅片吸附夹紧部件上方;硅片吸附夹紧部件、硬掩壁吸附夹紧部件均为可拆卸式的相应部件;所述硅片吸附夹紧部件与所述微动调整部件形成可拆卸式的装配结构;所述硅片吸附夹紧部件设有气孔,所述气孔通过与外部真空泵连接,形成真空负压,以吸紧硅片。本发明所述方法通过真空负压夹紧硬掩壁和硅片,能够实现硅片和硬掩壁的快速更换,由肉眼通过显微镜调整对准,不影响材料的对准精度和图形质量,能够大大简化硅片加工工艺过程中需要光刻实现图形化的操作流程,提高加工效率。

    循环油恒温真空油气分离的互补传感阵列检测装置及方法

    公开(公告)号:CN116660466A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310596085.3

    申请日:2023-05-24

    Abstract: 公开了一种循环油恒温真空油气分离的互补传感阵列检测装置及方法,循环油恒温真空油气分离装置包括油回路、脱气支路以及检测支路,其中油回路具备油样循环并脱气、电磁搅拌以及油样回充功能;脱气支路具备加速脱气、二级分离以及油雾去除功能;检测支路具备气体富集、压力检测以及互补传感阵列痕量特征气体快速检测功能,该回路内部还包括油中溶解气体互补传感阵列检测装置,通过与油气分离装置协作,具备快速检测以及互补传感阵列信号自校准功能,提高检测装置精度与长期稳定性。该装置可实现变压器设备全生命周期、微型化、大批量、低功耗以及环境友好型的检测。

    基于悬膜结构MEMS桥式钯合金氢气传感芯片及制备方法

    公开(公告)号:CN116534788A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310249668.9

    申请日:2023-03-15

    Abstract: 本发明公开了一种基于悬膜结构MEMS桥式钯合金氢气传感芯片及制备方法,传感芯片从下到上依次为掩蔽层、硅基底、绝缘层、气敏材料、测试电极与加热电极和保护层。首先在硅基底上制备正面绝缘层和背面掩蔽层;其次在绝缘层上依次溅射沉积电桥结构的钯合金气敏材料、测试电极与加热电极及其引线盘和保护层;最后通过刻蚀背面掩蔽层和硅基底形成悬膜结构。本发明基于钯合金材料构建惠斯通电桥,在保证薄膜强度的基础上提高响应恢复速度,具有灵敏度高、选择性好,输出信号稳定的特点。

    一种单体锂电池植入式氢气检测装置及方法

    公开(公告)号:CN115472941A

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202211109884.5

    申请日:2022-09-13

    Abstract: 本发明公开了一种单体锂电池植入式氢气检测装置及方法,包括安装在微型印刷电路板上的微型钯合金薄膜氢气传感器和压力传感器构成的氢气测头,氢气测头植入单体锂电池外壳内部上端盖;与电池内部气体接触,利用较小体积的氢气测头准确测量出单体锂电池内部的温度、氢气浓度和压力值,通过电池外部接线柱连接至信号处理与输出电路,对微型钯合金薄膜氢气传感器测得的氢气浓度值进行温度、压力补偿,消除因单体锂电池内部温度和压力变化引起的氢气传感器基线漂移和响应度变化;将获取到的单体锂电池内部温度、压力、氢气浓度值传递至BMS系统,实时监控单体锂电池的氢气浓度,并提高电池内部氢气浓度的检测精度。

    晶圆级敏感材料及半导体传感器的喷涂方法

    公开(公告)号:CN112439658A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202011215050.3

    申请日:2020-11-04

    Abstract: 一种晶圆级敏感材料及半导体传感器的喷涂方法,该晶圆级敏感材料的喷涂方法,包括将制备好的掩膜板上的开孔与基底的敏感区对准;将待涂敷的敏感材料的前驱体溶液注入到喷头上;设置喷头运行参数;将喷头对准掩膜板开始喷涂;喷涂结束后将掩膜板与基底分离,得到所述晶圆级敏感材料。本发明采用高精度掩膜并结合大面积喷涂的方法,可以实现纳米气敏材料晶圆级一次性均匀修饰固定;采用喷涂法,可以通过计算喷涂时间,来精准控制敏感材料成膜厚度;采用高精度掩膜技术,可以完美保护非敏感区域被敏感材料污染而影响后续的封装工艺,因此,采用本发明方法,实现了与后续工艺的完美兼容。

    一种基于硅酸钙基底的气体传感器芯片结构及制备方法

    公开(公告)号:CN111689459A

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN202010414092.3

    申请日:2020-05-15

    Abstract: 本发明公开了一种基于硅酸钙基底的气体传感器芯片结构及制备方法,以硅酸钙材料作为基底,将加热丝溅射其上,使其中心与硅酸钙基底重合,呈三阶双曲螺旋形,然后将测温电阻、敏感材料和测试电极依次溅射到硅酸钙基底材料上。加热丝通电后,由于硅酸钙具有极低的导热系数,极大地溅射了热量通过热传导方式散失,使用更小的电压即可将气敏材料加热到指定的工作温度。本发明结构简单,在保持低功耗特性的同时极大地降低了制造工艺的复杂度,无需对基底背面进行加工,提高了成品率,局部高温,外围近于常温,易于封装。

    一种用于异戊二烯气体检测的气体传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN106568812B

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201610986306.8

    申请日:2016-11-09

    Abstract: 本发明公开了一种用于异戊二烯气体检测的气体传感器的制备方法,分别将盐酸溶液和钛酸四丁酯混合,然后加入油酸溶液,进行水热反应后,对产物反复进行清洗,干燥,退火,即得到纳米TiO2粉末;所得的纳米TiO2粉末与有机溶剂超声混合,得到乳白色的TiO2悬浮液;将所得的悬浮液均匀地喷涂在传感器芯片电极位置表面,然后将传感器芯片按照阶梯加热方式,退火;将传感器芯片焊接至TO管底座,将所得气敏元件置于密封气室中,对加热电极进行老化,即构建一种对Isoprene气体具有响应的气体传感器。该方法解决MEMS工艺和纳米技术不兼容的问题,制备方法简单可靠;可检测不同浓度的Isoprene气体,重复性好,响应快。

    光学元件亚表面损伤的化学刻蚀测量方法、辅助实验装置及试验方法

    公开(公告)号:CN107907086B

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201711132418.8

    申请日:2017-11-15

    Abstract: 本发明涉及光学元件亚表面损伤的化学刻蚀测量方法、辅助实验装置及试验方法,该方法通过测量刻蚀过程中样品的粗糙度,绘制粗糙度轮廓随刻蚀时间的演化关系曲线,来得到亚表面损伤深度值。利用化学刻蚀辅助装置,实现对光学元件的刻蚀、清洗和烘干过程,并在清洗过程加入超声震荡仪辅助清洗,在烘干过程加入吹风机与电机辅助烘干。本发明能够快速、准确地测量出亚表面损伤深度,且设计了一套刻蚀辅助装置,装置操作简单、效率高、危险性低,而且能有效减少刻蚀过程中产生的沉积物,大大降低了其对刻蚀及测量的影响。

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