光学元件亚表面损伤的化学刻蚀测量方法、辅助实验装置及试验方法

    公开(公告)号:CN107907086B

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201711132418.8

    申请日:2017-11-15

    Abstract: 本发明涉及光学元件亚表面损伤的化学刻蚀测量方法、辅助实验装置及试验方法,该方法通过测量刻蚀过程中样品的粗糙度,绘制粗糙度轮廓随刻蚀时间的演化关系曲线,来得到亚表面损伤深度值。利用化学刻蚀辅助装置,实现对光学元件的刻蚀、清洗和烘干过程,并在清洗过程加入超声震荡仪辅助清洗,在烘干过程加入吹风机与电机辅助烘干。本发明能够快速、准确地测量出亚表面损伤深度,且设计了一套刻蚀辅助装置,装置操作简单、效率高、危险性低,而且能有效减少刻蚀过程中产生的沉积物,大大降低了其对刻蚀及测量的影响。

    光学元件亚表面损伤的化学刻蚀测量方法、辅助实验装置及试验方法

    公开(公告)号:CN107907086A

    公开(公告)日:2018-04-13

    申请号:CN201711132418.8

    申请日:2017-11-15

    CPC classification number: G01B21/18 G01N1/32

    Abstract: 本发明涉及光学元件亚表面损伤的化学刻蚀测量方法、辅助实验装置及试验方法,该方法通过测量刻蚀过程中样品的粗糙度,绘制粗糙度轮廓随刻蚀时间的演化关系曲线,来得到亚表面损伤深度值。利用化学刻蚀辅助装置,实现对光学元件的刻蚀、清洗和烘干过程,并在清洗过程加入超声震荡仪辅助清洗,在烘干过程加入吹风机与电机辅助烘干。本发明能够快速、准确地测量出亚表面损伤深度,且设计了一套刻蚀辅助装置,装置操作简单、效率高、危险性低,而且能有效减少刻蚀过程中产生的沉积物,大大降低了其对刻蚀及测量的影响。

    基于硅基集成空芯光波导的多组分气体检测方法及装置

    公开(公告)号:CN110849838A

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201911183915.X

    申请日:2019-11-27

    Abstract: 本发明公开了基于硅基集成空芯光波导的多组分气体检测方法及装置,包括:光从宽带光源发出,通过光纤将光引入到密闭空间的硅基iHWG;被测气体以扩散方式进入带孔的硅基iHGW空芯通道;当一定波长的红外光通过待测气体时,被检测气体的浓度变化将导致其特征吸收峰的特征波长的光强度发生变化;通过光纤传输到探测器,将红外光谱与标准谱库的数据进行对比分析由朗伯-比尔定律得到待测多组分气体的浓度,即可实现对目标气体的种类判断和浓度测量。本发明保证系统在密闭、温湿度变化、有辐射及外部振动的复杂条件下的长期稳定工作,实现密闭空间中被测气体所覆盖的波长范围内有特征吸收峰的其它类型气体的免标定检测。

Patent Agency Ranking