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公开(公告)号：CN113233443A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110434614.0
申请日：2021-04-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种氟化螺旋碳纳米管的制备方法，属于氟化碳材料制备技术领域。以酒石酸亚铁粉末作为催化剂前驱体，引入极性分子作为催化助剂，以提高螺旋碳纳米管的纯度和产量；将得到的螺旋碳纳米管与催化剂颗粒的复合物在硝酸溶液中浸泡，以去除催化剂颗粒；进行氟化反应，得到氟化螺旋碳纳米管。本发明通过制备工艺对螺旋碳纳米管的形貌进行调控，进而调控其氟化活性位点的数量，最终调控其氟化反应过程，改善材料的导电性和放电极化效应。同时，通过优化氟化工艺调控氟化螺旋碳纳米管的形貌、结构和氟碳比，使得氟化碳纳米管的管壁出现裂痕甚至断裂，为锂离子提供扩散通道，减小了放电时的极化，得到高氟碳比、高比容量的锂/氟化碳一次电池正极材料。
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公开(公告)号：CN110102751B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201910313155.3
申请日：2019-04-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及金属颗粒抗氧化层等离子体制备技术，具体过程为：将金属颗粒在空气中高温氧化得到前驱体材料；将前驱体材料经等离子体处理，形成厚度为200～600nm的稳定附着在金属颗粒表面的高温抗氧化梯度陶瓷结构；其中，等离子体处理的气压为50～150Pa，温度为500～900℃，功率为300～500W，单次反应时间为20s～60s，间隔时间为20～40s，反应次数为20～40次。本发明形成的梯度陶瓷层可有效减小FSA与氧化气氛之间的传输通道，提高FSA的抗氧化和抗腐蚀性能；与传统的抗氧化涂层相比，原位生长的梯度陶瓷与金属颗粒具有较高的结合强度，使得耐高温抗氧化层与基体热膨胀系数匹配性大大提升。
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公开(公告)号：CN112209362A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011030019.2
申请日：2020-09-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种等离子体诱导活化氟化碳的方法及锂一次电池制备，属于新材料、一次电池技术领域。本发明利用等离子体高能粒子与氟化碳材料之间相互作用发生化学和物理协同反应，在去氟化过程中诱导生成半离子键作用的C‑F；同时等离子体技术诱导氟化碳表面大量C‑F键断裂，使得导电碳原子得以暴露，实现去氟化、原位碳层包裹以及少量官能团接枝；暴露的导电碳原子在放电过程中可以作为导电网络，减轻放电过程中极化产生，保持高放电电压平台，减轻电压滞后效应，提高电池放电比能量，有效提高了电池的放电能力。因此，本发明基于等离子体诱导活化的氟化碳的锂一次电池，具有高比容量、高能量密度的特点，为锂/氟化碳电池的推广应用奠定了重要的基础。
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公开(公告)号：CN111750975A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010567988.5
申请日：2020-06-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有压阻效应的柔性振动传感器，属于柔性功能电子材料及新型传感器技术领域。所述柔性振动传感器包括敏感材料和导电电极，敏感材料包括碳纳米管膜、以及附着于碳纳米管膜上的氧化锌颗粒，其中，所述碳纳米管膜的厚度为50～80μm，氧化锌颗粒尺寸为200～500nm，碳纳米管与氧化锌的质量比为(12～15):1。本发明传感器的敏感材料包括碳纳米管膜和氧化锌颗粒。一方面，底层的碳纳米管膜具有三维导电网络结构，撞击引起的物体振动导致敏感材料表面振动而发生形变，进而改变碳纳米管的三维导电网络的电阻；另一方面，氧化锌具有压阻效应，撞击引起的物体振动也能引起氧化锌层的电阻变化，有效增强了振动传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN108642563B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810679428.1
申请日：2018-06-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供的一种应用于乙醇传感器的VSe2单晶薄膜的制备方法，属于功能材料制备技术领域。首先将V和Se粉体放置于石英管底部，将石英管抽真空并进行封管；然后将封装好的石英管竖直放入立式炉中，通过设定立式炉的升降温及保温程序，精确控制炉内温度以满足晶体的加热、长晶过程，V和Se粉体在温度与重力场的协同作用下，变成蒸汽并在台阶处的基片上生长得到VSe2单晶薄膜。本发明方法中，晶体的生长是在真空石英管中完成的，不涉及气体的通入及废气的处理过程；且方法简单，成本低廉，得到的单晶薄膜纯度高，品质好，可作为高纯度本征单晶半导体材料，应用于乙醇传感器等气体传感器中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111270218A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010076426.0
申请日：2020-01-23
Applicant: 电子科技大学 , 江西国创产业园发展有限公司
Abstract: 一种化学气相沉积碳修饰片状FeSiAl合金的制备方法，属于新型复合材料技术领域。包括以下步骤：1)将片状FeSiAl颗粒置于CVD炉内，在氮气或惰性气体气氛下升温至500～700℃，并保温2h，完成后，自然冷却至室温，取出；2)将上步得到的退火后的片状FeSiAl颗粒置于CVD炉内，在氮气或惰性气体气氛下升温至300～600℃；保持氮气或惰性气体持续通入的同时，向炉内通入乙炔气体作为反应气体，反应5～30min，完成后，停止乙炔气体的通入，自然冷却至室温，得到碳修饰片状FeSiAl合金材料。本发明制备的碳修饰片状FeSiAl合金具有更优的吸波性能和抗腐蚀性能，有利于材料在实际工程中的应用。
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公开(公告)号：CN106948001B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710159585.5
申请日：2017-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于单晶和薄膜材料制备技术领域，提供一种瓶颈式反应管、以及与该瓶颈式反应管配套使用的高通量二维单晶炉装置，用以克服现有单晶炉的操作繁复、生产单晶品质低、生产效率低等缺点。本发明瓶颈式反应管呈圆筒状，其底部封闭，顶部采用封管密封，其侧面沿垂直放置设置有若干个“瓶颈”形颈部；同时，与其配套使用的高通量二维单晶炉装置，包括炉体、刚玉石英管、瓶颈式反应管、温控系统及环形加热圈，环形加热圈嵌套设置于刚玉石英管内部、与瓶颈式反应管中安装的基片呈一一对应关系、且处于同一水平位置。本发明能够实现高纯度、高品质二维单晶的高通量制备，且操作简单、成本低，大大提高生产效率。
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公开(公告)号：CN105529194B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610071345.5
申请日：2016-02-01
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种三明治结构MnO2@GCs@MnO2复合材料的制备方法，属于材料制备技术领域。首先制备石墨烯胶囊，然后将制得的石墨烯胶囊和高锰酸钾加入水中，混合均匀，得到高锰酸钾和石墨烯胶囊的混合液，高锰酸钾与石墨烯胶囊物质的量的比为4：(3～10)，高锰酸钾的浓度为0.05～0.15mol/L；最后将高锰酸钾和石墨烯胶囊的混合液置于微波化学反应器中，在500～750W条件下反应3～10min，反应温度控制在90～100℃，反应完成后，将得到的悬浊液离心分离，烘干。本发明方法操作简单，效率高，二氧化锰负载量高、分散性好；且制得的电极材料导电性和循环稳定性良好，具有较高的比电容。
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公开(公告)号：CN106948001A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710159585.5
申请日：2017-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于单晶和薄膜材料制备技术领域，提供一种瓶颈式反应管、以及与该瓶颈式反应管配套使用的高通量二维单晶炉装置，用以克服现有单晶炉的操作繁复、生产单晶品质低、生产效率低等缺点。本发明瓶颈式反应管呈圆筒状，其底部封闭，顶部采用封管密封，其侧面沿垂直放置设置有若干个“瓶颈”形颈部；同时，与其配套使用的高通量二维单晶炉装置，包括炉体、刚玉石英管、瓶颈式反应管、温控系统及环形加热圈，环形加热圈嵌套设置于刚玉石英管内部、与瓶颈式反应管中安装的基片呈一一对应关系、且处于同一水平位置。本发明能够实现高纯度、高品质二维单晶的高通量制备，且操作简单、成本低，大大提高生产效率。
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公开(公告)号：CN104391366B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410690280.3
申请日：2014-11-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹波段离轴三反射镜系统及其装调方法，属于离轴反射成像光学系统技术领域。所述太赫兹波段离轴三反射镜系统包括测量基座、主镜、次镜、三镜，其特征在于，还包括设置在测量基座上的第一测量探头、第二测量探头、第三测量探头，以及固定在主镜侧面的第一高精度参考块，固定在次镜侧面的第二高精度参考块和固定在三镜侧面的第三高精度参考块，所述第一测量探头、第二测量探头和第三测量探头上均设置有距离传感器，通过距离传感器测量第一高精度参考块、第二高精度参考块和第三高精度参考块的位置、姿态和自由度信息，则可得到主镜、次镜和三镜的位置、姿态和自由度信息，从而实现大型离轴三反射镜系统的精确装调。
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