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公开(公告)号：CN114512816A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210192208.2
申请日：2022-03-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高效率反射式太赫兹波束偏折器，包括M×N阵列排列的超排列单元，所述超排列单元由K个1×K排列的超表面单元组成，所述超表面单元包括介质基板、位于介质基板上表面的矩形贴片和位于介质基板下表面的金属层，所述矩形贴片与介质基板具有相同的中心；所述超排列单元中的K个超表面单元的矩形贴片的长度各不相同。本发明提供的一种高效率反射式太赫兹波束偏折器，可实现对线极化馈源的反射传输，在线极化电磁波的激励下，实现了工作频点附近良好的波束偏转效果，且该超表面的反射效率达到90％以上。
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公开(公告)号：CN109883986B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910239413.8
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/3586 , G01V8/10
Abstract: 本发明提供一种基于激光振镜的太赫兹单像素成像系统及成像方法，分成光学系统和太赫兹系统，光学系统沿激光光路方向依次设有半导体激光器、激光缩束系统，X轴激光振镜、Y轴激光振镜；太赫兹系统沿太赫兹波的传播方向依次包括太赫兹连续波源、第一太赫兹透镜、硅基空间型太赫兹调制器、第二太赫兹透镜、太赫兹探测器。相较于太赫兹相干脉冲源，本系统采用的太赫兹连续波波源在操作上更加简便，成本更低，采用这两步法的太赫兹成像方法，分别采集了背景信息，和对待成像物体的成像信息，通过去除背景操作，对最终的成像效果进行优化，减弱了因太赫兹波的高斯分布特性而对太赫兹最终成像造成的影响。
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公开(公告)号：CN111730924B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010595071.6
申请日：2020-06-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有梯度孔径结构的太赫兹吸波材料，属于太赫兹吸波技术领域。所述吸波材料包括三层三维石墨烯/PDMS复合材料，最上面一层的三维石墨烯的孔径范围为100～120μm，中间的三维石墨烯的孔径范围为50～70μm，最下面一层的三维石墨烯的孔径范围为20～40μm。本发明太赫兹吸波材料具有极强的宽带太赫兹波吸收特性，在0.2‑1.2THz的超宽带频谱范围内的平均吸收率高达到93％以上；极薄的厚度，每一层的厚度控制在1mm以内，则该太赫兹吸波材料的总厚度在3mm以内，这远优于现有太赫兹吸收泡沫材料；极好的可弯曲、可拉伸和机械弹性等柔性特征；原料价格低廉，制备方法简单，可以实现大面积制备。
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公开(公告)号：CN109883986A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910239413.8
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/3586 , G01V8/10
Abstract: 本发明提供一种基于激光振镜的太赫兹单像素成像系统及成像方法，分成光学系统和太赫兹系统，光学系统沿激光光路方向依次设有半导体激光器、激光缩束系统，X轴激光振镜、Y轴激光振镜；太赫兹系统沿太赫兹波的传播方向依次包括太赫兹连续波源、第一太赫兹透镜、硅基空间型太赫兹调制器、第二太赫兹透镜、太赫兹探测器。相较于太赫兹相干脉冲源，本系统采用的太赫兹连续波波源在操作上更加简便，成本更低，采用这两步法的太赫兹成像方法，分别采集了背景信息，和对待成像物体的成像信息，通过去除背景操作，对最终的成像效果进行优化，减弱了因太赫兹波的高斯分布特性而对太赫兹最终成像造成的影响。
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公开(公告)号：CN109489815A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201810206405.9
申请日：2018-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 光控柔性半导体太赫兹波空间调制器，涉及光电技术、太赫兹调制技术和成像技术。本发明包括柔性衬底和以阵列方式设置于柔性衬底表面的半导体片，所述半导体片的底面的最小外接圆直径为0.1mm～6mm。本发明的有益效果是，能够明显提高太赫兹时域成像的清晰度，这是由于每个半导体片之间载流子扩散减弱，使太赫兹波透射率减小。在频域成像中，能够使吸收峰外的部分成像更加清晰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109023527A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811000028.X
申请日：2018-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种面外各向异性石榴石单晶薄膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述单晶薄膜的成分为Y3‑(a+b+c)BiaLubCacFe5‑dGedO12，其中0＜a＜0.5，0＜b＜1.0，0＜c＜1.0，0＜d＜1.0，且c＝d。本发明以Y2O3、Lu2O3、Fe2O3、GeO2、CaO、PbO、Bi2O3、MoO3作为原料，采用分层放置原料的方法，在钆镓石榴石基片上得到了厚度最小可达到170nm的面外各向异性石榴石单晶薄膜；且得到的薄膜的生长速率与生长温度呈现非线性关系，呈现面外各向异性，可应用于自旋逻辑器件中。
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公开(公告)号：CN104831357B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510177591.4
申请日：2015-04-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种钇铁石榴石单晶薄膜及其液相外延制备方法，属于电子材料领域。所述钇铁石榴石单晶薄膜的成分为LaxY3‑xFe5O12，x取值范围为0.01～0.05。本发明采用Y2O3、Fe2O3、La2O3、PbO、B2O3为原料，Y2O3的质量百分含量为0.44％，Fe2O3的质量百分含量为10.31％，La2O3的质量百分含量为0.06％，PbO的质量百分含量为87.44％，B2O3的质量百分含量为1.75％；然后采用液相外延法生长单晶薄膜。本发明得到的钇铁石榴石单晶薄膜的铁磁共振线宽很窄，达到1Oe以下；薄膜的粗糙度、晶格匹配、薄膜应力、含铅量、杂相等都得到了改善。
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公开(公告)号：CN104831359B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510177930.9
申请日：2015-04-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种亚微米级低损耗单晶钇铁石榴石薄膜的液相外延制备方法，属于电子材料领域。本发明在单晶钇铁石榴石薄膜的生长温度区间的最低温度点、高转速的条件下，采用液相外延法生长亚微米级单晶钇铁石榴石薄膜。本发明采用低生长温度高转速的方法制备得到的亚微米级单晶钇铁石榴石薄膜，与基底之间的晶格常数和热膨胀系数匹配度好，为单晶态，其薄膜厚度为100～1000nm，铁磁共振线宽很窄，约为3 Oe以下；且薄膜的结构致密、表面平整，是一种可应用于自旋逻辑器件的良好材料。
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公开(公告)号：CN105914565A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610533950.X
申请日：2016-07-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01S1/02
CPC classification number: H01S1/02
Abstract: 本发明属于太赫兹成像领域技术，涉及太赫兹成像相关领域的调制器件，具体提供一种基于硅纳米针的光控太赫兹波幅度调制器，包括半导体激光器、光纤、光纤调制器及太赫兹幅度调制结构，所述半导体激光器产生的激光通过光纤耦合进入光纤调制器；其特征在于，所述太赫兹幅度调制结构由硅基底层及其表面的硅纳米针尖阵列构成，所述光纤调制器输出调制激光入射到硅纳米针尖阵列表面。本发明采用硅纳米针尖阵列和高阻硅/本征硅层的双层结构；硅纳米针尖阵列的在高阻硅/本征硅的表面形成折射率的梯度变化，能够同时降低太赫兹波和泵浦激光的反射，显著降低器件插损和提高对泵浦激光的利用率，实现器件在较小的泵浦激光功率下获得相对较高的调制深度。
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公开(公告)号：CN105824138A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610228317.X
申请日：2016-04-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0126 , G02F2203/13
Abstract: 本发明属于太赫兹波应用技术领域，提供一种基于石墨烯/掺杂硅复合双层结构的光控太赫兹调制器，用以同时获得大的调制速率和调制深度；该光控太赫兹波调制器，包括从下往上依次设置的衬底1、绝缘层2、金属掺杂Si半导体层3、石墨烯薄膜4以及泵浦激光束5；其特征在于，所述金属掺杂Si半导体层3与所述石墨烯薄膜4组成石墨烯/掺杂Si复合双层结构。本发明光控太赫兹波调制器具有高速、宽带、大幅度调制以及室温工作的特点，能够工作在0.2?2.6THz，调制频率达到10MHz，最大调制深度达到50％以上；即能够用于太赫兹高速无线通信系统，也能够用在太赫兹成像、探测多个应用系统中作为高速宽带太赫兹波调控器件。
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