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公开(公告)号：CN114252949B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111122774.8
申请日：2021-09-24
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种光学层压体及包括其的光学显示装置。光学层压体包括：偏光片；以及堆叠在偏光片的光入射表面上的第一保护层和延迟层，其中延迟层至少包括正C层，并且第一保护层和延迟层的层压体具有2×10‑13cm2/达因或更小的光弹性系数和2,000MPa至4,000MPa的模量，如在光学层压体中的偏光片的吸收轴方向上所测量的。
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公开(公告)号：CN114252948A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111122109.9
申请日：2021-09-24
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
Abstract: 本申请公开了一种偏光板和包括该偏光板的光学显示器。该偏光板包括：偏光器；和依序堆叠于该偏光器的一个表面上的第一保护层和第二保护层，其中第二保护层包括正C延迟层，该正C延迟层具有约10μm或更小的厚度，约1.50至约1.55的折射率，和约150℃至约250℃的玻璃化转变温度(Tg)。
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公开(公告)号：CN114156278A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111431970.3
申请日：2017-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578 , H01L27/11568 , H01L27/11573
Abstract: 提供了制造三维(3D)半导体存储器件的方法。该方法可以包括：在包括单元阵列区和连接区的基板上形成薄层结构；形成第一掩模图案；使用第一掩模图案作为蚀刻掩模执行第一蚀刻工艺以蚀刻薄层结构；执行减小第一掩模图案的面积的第一修整工艺；交替地且重复地执行第一蚀刻工艺和第一修整工艺以在连接区上形成上结构；形成第二掩模图案；使用第二掩模图案作为蚀刻掩模执行第二蚀刻工艺以蚀刻薄层结构和上结构；执行减小第二掩模图案的面积的第二修整工艺；以及交替地且重复地执行第二蚀刻工艺和第二修整工艺以在上结构下方形成多个中间结构。
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公开(公告)号：CN106992181B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201611179008.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明公开了三维(3D)半导体器件，其中一种3D半导体器件包括包含层叠在基板上的第一叠层和第二叠层的叠层结构。第一叠层和第二叠层的每个包括第一电极和在第一电极上的第二电极。第一叠层的第二电极的侧壁与第二叠层的第二电极的侧壁水平地间隔开第一距离。在第一叠层和第二叠层的每个中，第一电极的侧壁与第二电极的侧壁水平地间隔开第二距离。第二距离小于第一距离的一半。
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公开(公告)号：CN113790567A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111216545.2
申请日：2018-01-23
Applicant: LG电子株式会社
IPC: F25D23/02 , E05F15/616
Abstract: 本发明的冰箱包括：箱体，限定储藏室；冰箱门，开闭所述储藏室；铰链组件，将所述冰箱门连接到所述箱体，所述铰链组件包括第一链节和第二链节，所述第一链节能够旋转地连接到所述箱体，所述第二链节能够旋转地连接到所述冰箱门；以及门打开装置，设置在所述箱体，并具有门开放部，所述门开放部推动所述第一链节和所述第二链节中的任一个，以打开所述冰箱门。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039457B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201710011121.X
申请日：2017-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11551 , H01L27/11521 , H01L27/11526
Abstract: 提供了三维(3D)半导体存储器件及其制造方法。3D半导体存储器件可以包括：基板，包括单元阵列区和连接区；下层叠结构，包括竖直地层叠在基板上的多个下电极，下层叠结构具有在连接区上在第一方向上延伸的第一阶梯结构以及在连接区上在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二阶梯结构；以及多个中间层叠结构，竖直地层叠在下层叠结构上。每个中间层叠结构包括竖直地层叠的多个中间电极并且在连接区上具有在第二方向上延伸的第三阶梯结构。每个中间层叠结构暴露设置在其下面的中间层叠结构的第三阶梯结构。
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公开(公告)号：CN110494705B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201880023834.0
申请日：2018-01-23
Applicant: LG电子株式会社
IPC: F25D23/02 , E05F15/614
Abstract: 根据本发明一方面的冰箱包括：箱体，定义储藏室；门，开闭所述储藏室；以及门打开装置，为了打开所述门而动作，所述门打开装置包括驱动部和接受所述驱动部的动力并移动的推动构件，所述推动构件包括：第一齿条，接受所述驱动部的动力并向第一方向移动；以及第二齿条，接收所述驱动部的动力并向所述第一方向移动，以能够滑动的方式与所述第一齿条结合，以与所述第一齿条进行相对运动。
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公开(公告)号：CN110425799B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910700332.3
申请日：2016-09-09
Applicant: LG 电子株式会社
Abstract: 一种冰箱，包括：冰箱主体；冷空气通路导管；附接到冷空气排出导管并具有冷空气排出开口的控制箱；和调节器，该调节器设在冷空气通路导管和控制箱之间并往复移动以打开和关闭冷空气排出开口的至少一部分，控制箱包括挤压突起以压靠调节器的下端，挤压突起低于冷空气排出开口并朝向冷空气通路导管突出，调节器包括流量调节部以响应于被挤压突起挤压而调节冷空气排出开口的开合量，流量调节部包括布置在调节器的下端且彼此隔开预设距离的多个突起以及用于在这些突起被挤压突起挤压时允许调节器的下端弹性变形的狭槽，其中控制箱还包括在冷空气排出开口的第一和第二侧之间的调节器联接部，调节器联接部可滑动地引导调节器的移动。
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公开(公告)号：CN112867902A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201980067701.8
申请日：2019-10-17
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 李星勋
IPC: F25D25/02 , F25D23/02 , A47B88/457 , A47B88/90
Abstract: 一种冰箱包括：柜体，其具有储存空间；门，其包括构造成打开或关闭所述储存空间的门单元以及提供接纳空间的抽屉单元；驱动装置，其布置在所述门单元处并包括提供动力的驱动马达；以及升降装置，其布置在所述抽屉单元处，与所述驱动装置连接，并构造成上下移动，所述升降装置包括：下框架；位于所述下框架上方的上框架；剪刀式组件，其构造成连接所述下框架和所述上框架；以及螺杆，其能旋转地支撑在所述下框架上，构造成通过从布置在所述门单元处的驱动装置传递的驱动力而旋转，并与所述剪刀式组件连接。
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公开(公告)号：CN112366206A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011291354.8
申请日：2017-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11551 , H01L27/11521 , H01L27/11526
Abstract: 提供了三维(3D)半导体存储器件及其制造方法。3D半导体存储器件可以包括：基板，包括单元阵列区和连接区；下层叠结构，包括竖直地层叠在基板上的多个下电极，下层叠结构在连接区上具有在第一方向上延伸的第一阶梯结构和在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二阶梯结构；以及多个中间层叠结构，竖直地层叠在下层叠结构上。每个中间层叠结构包括竖直地层叠的多个中间电极并且在连接区上具有在第二方向上延伸的第三阶梯结构和在第一方向上延伸的第四阶梯结构。相对于基板的顶表面，第一阶梯结构的斜坡具有第一倾斜角，第二阶梯结构的斜坡具有基本上等于第一倾斜角的第二倾斜角，第四阶梯结构的斜坡具有不同于第一倾斜角的第三倾斜角。
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