-
公开(公告)号：CN115525092A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211304089.1
申请日：2022-10-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源，PTAT电流参考电路和CTAT电流参考电路分别产生与温度正相关的参考电流IP和与温度负相关的参考电流IN。温度补偿电路将参考电流IN和IP分别以不同倍数作和，得到温度依赖性低的初始基准电流IREF1。曲率补偿电路将参考电流IN和IP进行不同比例缩放，并根据基尔霍夫电流定律，通过两个相反温度系数电流的比较，得到一个凹型曲线的补偿电流IV。基准电压输出电路将初始基准电流IREF1和补偿电流IV按适当权重相加，得到温度依赖性更小的最终基准电流IREF，最后通过电压产生电路输出低温漂系数的基准电压VREF。本发明输出的基准电压温漂低、电源抑制比高、电压调整率低；并具有功耗和生产成本低的特点。
-
公开(公告)号：CN112671407A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011495280.X
申请日：2020-12-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M1/12 , H03M1/06 , H03M1/10 , H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开一种应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，采用单相时钟SP，在采样时通过第一级自举电路和辅助级自举电路将采样MOS管MS的栅极电压置为Vin+2VDD，从而使得采样MOS管MS的栅极‑源极电压差在采样阶段恒定为2VDD，采样管的导通电阻进一步变小，使线性度提高，采样开关电路的精度也有所提高；基于提出的两级自举电路，采用第六NMOS管M6和第七NMOS管M7串联作为采样MOS管MS的衬底开关，当处于采样模式时，采样MOS管MS的栅极电位与衬底电位保持一致，减小采样MOS管MS的衬偏效应，降低谐波失真。
-
公开(公告)号：CN111756333A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010744303.X
申请日：2020-07-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种高低频增益可调的模拟均衡器，由2个有源负载网络、3个均衡电路和1个有源反馈电路组成；2个有源负载网络包括第一有源负载网络和第二有源负载网络；3个均衡电路包括第一低频细调均衡电路、第二低频细调均衡电路和低频粗调均衡电路。第一低频细调均衡电路和第二低频细调均衡电路的输入端形成本模拟均衡器的输入端。第一有源负载网络、第一低频细调均衡电路、第二低频细调均衡电路和有源反馈电路的输出端与低频粗调均衡电路的输入端连接；第二有源负载网络的输出端、低频粗调均衡电路的输出端和有源反馈电路的输入端形成本模拟均衡器的输出端。本发明能够提升整体均衡能力，增加了低频细调的可调范围，降低版图面积。
-
公开(公告)号：CN110299845A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910620684.8
申请日：2019-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种工作模式可重构的能量收集控制电路及DC-DC转换器，工作模式可重构的能量收集控制电路采用单迟滞比较器以及时序控制电路，单迟滞比较器通过对输出电压的监测以决定升降压电路的工作状态，时序控制电路根据相应的工作状态生成开关信号S1-S5，DC-DC转换器利用工作模式可重构的能量收集控制电路所生成的开关信号S1-S5，提高了输出电压的稳定性，在备用锂电池给负载供电的同时系统可以持续追踪环境能量电池的最大功率并进行持续的环境能量收集，从而提高了系统对环境能量的利用率，其能量转换效率在78％以上，环境能量追踪效率在98％以上。
-
公开(公告)号：CN106411287B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610961497.2
申请日：2016-10-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03H11/12
Abstract: 本发明公开一种低功耗双模式可调谐复数中频滤波器，由偏置电路、数模混合调谐电路和复数中频滤波电路组成；复数中频滤波电路由2个以上的二阶复数滤波电路级联而成；偏置电路为复数中频滤波电路和数模混合调谐电路提供偏置电压；数模混合调谐电路产生一个随内部电阻值的变化而变化的电压控制信号，该电压控制信号接入复数中频滤波电路的控制端，以达到对复数中频滤波电路进行调谐的目的。本发明在提供中频滤波功能的同时，通过外加切换信号实现两种模式的切换；同时，可以针对集成电路的制作工艺所导致的无源器件的误差进行有效地调谐，整个芯片功耗仅为1.5mW左右。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107493022A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710856659.0
申请日：2017-09-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种低电压高效电荷泵，该电荷泵由栅交叉耦合输入单元和两级动态栅级控制电荷传输开关组成。栅交叉耦合输入单元输入两路互补的时钟信号CLK和NCLK，互补结构有效地控制电路中的电荷传输开关，可以等效成两个并联在一起的、工作状态相反的电荷泵，这两个相对独立的电荷泵交替工作，互相为对方的电荷传输开关提供合适的栅压，并且电路工作在全周期状态。动态栅级控制电荷传输开关：代替普通的MOS开关作为电荷泵转移级，将电荷由前一个泵节点传导至下一个泵节点并借助电容存储。本发明能够显著降低了输入电压，减小了纹波电压值，效率有所提高。
-
公开(公告)号：CN107395194A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710758437.5
申请日：2017-08-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03K19/0175 , H03K5/01
CPC classification number: H03K19/017509 , H03K5/01
Abstract: 本发明公开一种基于频率转换的电容传感器接口电路，由基于电容变化的频率调制电路和频率电压转换电路组成；基于电容变化的频率调制电路的输入端形成整个接口电路的输入端，与被测电容连接；基于电容变化的频率调制电路的输出端连接频率电压转换电路的输入端；频率电压转换电路的输出端形成整个接口电路的输出端；通过基于电容变化的频率调制电路先将被测电容值转换为频率值，再通过频率电压转换电路将频率值转换为电压值。本发明能够有效抑制低频处噪声的影响，仅需要一个输入信号周期，可将频率信号转化为相应的电压信号，减小了输出的延时，极大的提高电容传感器接口电路反应速度。
-
公开(公告)号：CN106549639A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201710035905.6
申请日：2017-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H03F1/306 , H03F3/45394
Abstract: 本发明公开一种增益自适应误差放大器，包括电平偏移电路、运算跨导放大电路和比较电路。电平偏移电路使运算跨导放大电路的输入电平满足正常工作要求；运算跨导放大电路利用双极三极管作为差分对管，并利用MOS管共源结构电流镜为其差分对管提供电流偏置以降低功耗，以保证提供更大的增益；比较电路利用反馈结构控制比较电路输出摆率，从而输出运算跨导放大电路的控制信号；限幅电路对运算跨导放大电路输出电压进行限幅。本发明降低了负载电流稳定应用中的电源输出纹波，从而降低了系统功耗，但同时对负载瞬态特性影响很小。
-
公开(公告)号：CN106527559A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611234699.3
申请日：2016-12-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/561
Abstract: 本发明公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源，其特征是，包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路，并在基准电压源开启时提供电流，使得基准电压源摆脱简并偏置点；IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置；温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差，得到一个与温度无关的基准电流，并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。本发明具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
-
公开(公告)号：CN106374929A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201611096658.2
申请日：2016-12-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M1/34
CPC classification number: H03M1/34
Abstract: 本发明公开一种快速响应动态锁存比较器，包括尾开关单元、预放大输入单元、预放大复位单元、锁存输入单元、交叉耦合锁存结构单元、隔离开关单元、锁存复位单元和正反馈单元。隔离开关单元在复位阶段截止，并在锁存输入NMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的PMOS管栅电位为地GND，在锁存复位PMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的NMOS管栅电位为VDD，使得交叉耦合锁存结构在进入比较阶段时迅速建立正反馈，进而提高比较器速度。本发明能够在不增加功耗的前提下，改善了传统双尾动态锁存比较器随差分输入电压减小延时急剧增加的不足，降低了比较器延时对差分输入电压的灵敏度，提高了比较器性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
148
records
(took 0.039 seconds)
