触控面板传感器
    81.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104334241B

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201480001163.X

    申请日:2014-04-10

    CPC classification number: G06F3/041 G02B1/11 G06F3/044 G06F2203/04103

    Abstract: 本发明提供可以抑制干涉条纹产生的触控面板传感器。触控面板传感器(1)具有透明基材(2),在该透明基材的一侧依次具有折射率调整层(3)、透明电极图案(4)、折射率调整层(5)和粘接层(6),并且在透明基材(2)的另一侧依次具有折射率调整层(7)、透明电极图案(8)、折射率调整层(9)和粘接层(10)。折射率调整层(3)、折射率调整层(5)、折射率调整层(7)、折射率调整层(9)的折射率分别为1.6~1.8,并且厚度为50nm~150nm。

    导电性膜及导电性膜卷
    82.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106653161A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201710150655.0

    申请日:2013-01-04

    Abstract: 本发明涉及一种导电性膜及导电性膜卷。提供一种导电性膜,所述导电性膜在卷成卷状时邻接的膜没有压接而能够维持高品质。导电性膜(1)具备膜基材(2),形成在该膜基材的一侧的透明导电体层(3),形成在透明导电体层(3)的与膜基材(2)相反侧的铜层(4),形成在膜基材(2)的另一侧的透明导电体层(5),形成在透明导电体层(5)的与膜基材(2)相反侧的铜层(6),形成在铜层(4)的与透明导电体层(3)相反侧、含有氧化亚铜的厚度为1nm~15nm的氧化被膜层(7)。

    透明导电性薄膜及其用途
    84.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103730193B

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201310476279.6

    申请日:2013-10-12

    Abstract: 提供有抗粘连性且有良好的透明性和防眩光性的透明导电性薄膜及其用途。本发明为具备具有多边形状的开口部的黑色矩阵的、精细度为150ppi以上的显示元件用的透明导电性薄膜,其具备透明高分子基材、设置在前述透明高分子基材第1主面侧的透明导电层、设置在前述透明高分子基材与前述透明导电层之间及前述透明高分子基材的与第1主面相反侧的第2主面中的至少一处的固化树脂层;形成有前述固化树脂层侧的最表面层在表面具有平坦部和隆起部,前述隆起部高度距离前述平坦部大于10nm,平行于前述平坦部的面在处于距离前述平坦部10nm的位置与前述隆起部交叉而形成的剖面形状的最大径小于前述黑色矩阵的开口部的不相邻两边间的距离的最小值。

    透明导电性薄膜
    87.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103135870B

    公开(公告)日:2015-03-04

    申请号:CN201210479914.1

    申请日:2012-11-22

    Abstract: 本发明提供一种透明导电性薄膜,该透明导电性薄膜(30)具有:由非晶性聚合物薄膜形成的基材(11)和、第1硬涂层(12)、第1透明导体层(13)、第1金属层(14)和、第2硬涂层(26)、第2透明导体层(27)、第2金属层(28)。第1硬涂层(12)包含粘结剂树脂(19)和多个颗粒(18)。第2硬涂层(26)包含粘结剂树脂(23)和多个颗粒(22)。第1金属层(14)在表面具有多个凸部(20)。第2金属层(28)在表面具有多个凸部(21)。

    触控面板传感器
    88.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104380230A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201480001155.5

    申请日:2014-04-10

    CPC classification number: G01B7/14 G01B2210/58 G01R27/2605 G06F3/041 G06F3/044

    Abstract: 本发明提供一种可以抑制干涉条纹产生的触控面板传感器。触控面板传感器(1)具有透明基材(2),在该透明基材的一侧依次具有透明电极图案(3)、折射率调整层(4)和粘接层(5),且在透明基材(2)的另一侧依次具有透明电极图案(6)、折射率调整层(7)和粘接层(8)。折射率调整层(4)的折射率比粘接层(5)的折射率大,折射率调整层(7)的折射率比粘接层(8)的折射率大。另外,折射率调整层(7)与折射率调整层(8)的厚度分别为85nm~120nm。

Patent Agency Ranking