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公开(公告)号:CN111443833A
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN202010241196.9
申请日:2015-05-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及触摸面板。本发明的一个方式的目的之一是提高触摸面板的检测灵敏度。本发明的一个方式的目的之一是提供一种较薄的触摸面板。本发明的一个方式的目的之一是提供一种可弯曲的触摸面板。本发明的一个方式的目的之一是提供一种轻量的触摸面板。本发明的一个方式采用在一对衬底之间包括显示元件及构成触摸传感器的电容器的结构。再者,构成电容器的一对导电层优选都包括开口。该开口与显示元件互相重叠。另外,在构成电容器的一对导电层与显示面一侧的衬底之间设置遮光层。
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公开(公告)号:CN111415633A
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN201911270226.2
申请日:2014-04-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的课题之一是通过栅极驱动器的布局设计缩短显示装置的边框宽度。将两个栅极驱动器设置在像素部的左右侧。栅极线按每M行交替地连接于左右侧的栅极驱动器。两个栅极驱动器包括由单一导电型的晶体管构成的移位寄存器和多路分配器。移位寄存器包括级联连接的k个第一单元电路。多路分配器包括从第一单元电路输入信号且连接于M条栅极线的k个第二单元电路。第二单元电路从M条栅极线中选择一条或多条输出来自第一单元电路的输入信号的布线,并对所选的布线输出来自第一单元电路的信号。由于可以从1级的移位寄存器对M条栅极线输出栅极信号,因此可以缩短移位寄存器的宽度。
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公开(公告)号:CN111129039A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201911375684.2
申请日:2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/24 , H01L29/786
Abstract: 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括:与栅极重叠的第一半导体区域;与源极或漏极接触的第二半导体区域;以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。
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公开(公告)号:CN106211413B
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201610363315.1
申请日:2016-05-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置,该半导体装置包括:像素电路;监控电路;以及校正电路,像素电路包括:选择晶体管;驱动晶体管;以及发光元件,监控电路包括监控发光元件;以及监控晶体管,在半导体装置中,取得流过监控发光元件及监控晶体管的电流值,并通过校正电路控制流过发光元件及驱动晶体管的电流值。
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公开(公告)号:CN110908203A
公开(公告)日:2020-03-24
申请号:CN201911225746.1
申请日:2010-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种显示设备,包括:包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管,所述沟道形成区包括氧化物半导体;电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极;以及与所述像素电极相邻的液晶材料,其中,所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
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公开(公告)号:CN110824800A
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201911225794.0
申请日:2010-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L29/786 , G09G5/18
Abstract: 本发明涉及一种显示设备,包括:包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管,所述沟道形成区包括氧化物半导体;电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极;以及与所述像素电极相邻的液晶材料,其中,所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
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公开(公告)号:CN105513644B
公开(公告)日:2019-10-15
申请号:CN201610068680.X
申请日:2010-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及驱动器电路、包括驱动器电路的显示设备以及包括显示设备的电子电器。本发明的目的是提供包括正常导通的薄膜晶体管的驱动器电路,其中该驱动器电路确保了故障少的且高可靠性的操作。该驱动器电路包括包含具有第一晶体管和第二晶体管的反相器电路以及具有第三晶体管的开关的静态移位寄存器。第一至第三晶体管各自包括包含氧化物半导体的半导体层并且是耗尽模式晶体管。用于驱动第三晶体管的时钟信号的振幅电压高于用于驱动反相器电路的电源电压。
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公开(公告)号:CN106233233B
公开(公告)日:2019-09-10
申请号:CN201580020887.3
申请日:2015-04-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供方便性或可靠性优异的新颖的输入/输出装置。本发明提供输入/输出装置的驱动方法。本发明人构想出一种结构,该结构包括:被供应选择信号、控制信号、包括显示数据的显示信号及感测信号,且能够供应基于感测信号的电位的输入/输出电路;能够供应基于感测信号的感测数据的转换电路;能够供应感测信号的感测元件;以及被供应电流的显示元件。
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公开(公告)号:CN105070749B
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201510536562.2
申请日:2010-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 一个目的是降低半导体装置的制造成本。一个目的是改进半导体装置的孔径比。一个目的是使半导体装置的显示部分显示较高清晰度图像。一个目的是提供能够以高速度来操作的半导体装置。半导体装置包括一个衬底之上的驱动器电路部分和显示部分。驱动器电路部分包括:驱动器电路TFT,其中源和漏电极使用金属来形成,并且沟道层使用氧化物半导体来形成;以及使用金属来形成的驱动器电路布线。显示部分包括:像素TFT,其中源和漏电极使用氧化物导体来形成,并且半导体层使用氧化物半导体来形成;以及使用氧化物导体来形成的显示布线。
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公开(公告)号:CN109037207A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810867703.2
申请日:2013-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1244 , H01L27/0296 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供一种新颖的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置,包括:像素部;设置在像素部的外侧的驱动电路部;以及与像素部和驱动电路部中的一方或双方连接且包括一对电极的保护电路,其中,像素部包括配置为矩阵状的像素电极和与像素电极电连接的晶体管,晶体管包括包含氮和硅的第一绝缘层和包含氧、氮和硅的第二绝缘层,并且,保护电路在一对电极之间具有第一绝缘层。
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