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    电容元件及其制造方法
    82.
    发明公开
    电容元件及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1649157A

    公开(公告)日：2005-08-03

    申请号：CN200510006303.5

    申请日：2005-01-26

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 长野能久 ,  三河巧

    IPC: H01L27/10 ,  H01L29/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8239

    CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/57 ,  H01L28/75

    Abstract: 在由氢阻挡膜覆盖的电容元件的结构中，防止高段差的产生。在由下部电极(21)、与所述下部电极(21)相面对形成的上部电极(24)以及电容绝缘膜(22)构成的电容元件中，所述电容绝缘膜(22)由在所述下部电极(21)和所述上部电极(24)之间形成的强电介质或者高电介质构成，所述下部电极(21)、所述电容绝缘膜(22)和所述上部电极(24)被形成至少在从其上面配置了第一氢阻挡膜(17)的层间绝缘膜(16)上所设置的孔(18)的内部的孔上方，配置与第一氢阻挡膜(17)相接的第二氢阻挡膜(26)使得覆盖上部电极(24)的上面以及在该上部电极(24)当中在孔(18)的上方所形成的部分侧面。

    电极形成方法、电容元件及其制造方法
    83.
    发明公开
    电极形成方法、电容元件及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN1617345A

    公开(公告)日：2005-05-18

    申请号：CN200410090389.X

    申请日：2004-11-12

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 三河巧 ,  平野博茂

    IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/82

    CPC classification number: H01L28/92 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65

    Abstract: 本发明公开了一种电极形成方式、电容元件及其制造方法，实现了构成电容元件的电极的微细化，并且提供了具有微细化的电极的电容元件的制造方法。在电容元件的制造方法中，在半导体衬底上形成第1导电膜之后，在第1导电膜上形成在第1方向延伸的第1掩膜图形，接着，用第1掩膜图形对第1导电膜进行刻蚀，由此形成导电膜图形，接下来，在半导体衬底上，在从下起顺序地形成电介质膜和第2导电膜之后，在第2导电膜之上形成在与第1方向不同的第2方向延伸的线状的第2掩膜图形。接着，用第2掩膜图形，对第2导电膜、电介质膜和导电膜图形进行刻蚀，由此形成由电容下部电极、电容绝缘膜和电容上部电极构成的电容元件。

    半导体装置及其制造方法
    84.
    发明公开
    半导体装置及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1610119A

    公开(公告)日：2005-04-27

    申请号：CN200410086599.1

    申请日：2004-10-19

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 久都内知惠 ,  三河巧 ,  十代勇治

    IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

    CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

    Abstract: 在提高具有沉积层构造的导电性阻挡层的阻挡氧元素性的同时，防止在具有沉积层构造的导电性阻挡层上生成浮起或者是剥离得到接触电阻的安定化。半导体装置，具有与电容元件(21)和晶体管的源极区域或者是漏极区域(13)电连接的针型接触点(15)，形成在该针型接触点(15)上的只是高熔点金属氮化物的氮化钛形成的导电层(16A)，氮化钛铝膜，铱膜，氧化铱膜的沉积层形成的防止氧元素扩散的多结晶状导电性氧阻挡层(17)。通过将由结晶定向性低的氮化钛形成的导电层16A设置在导电性氧阻挡层17的下侧，在导电层16A直接上面形成的导电性氧阻挡膜的氮化钛铝膜就会成为致密的膜构造，可以有效地防止氧元素的侵入。

    半导体装置及其制造方法
    85.
    发明公开
    半导体装置及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN1610117A

    公开(公告)日：2005-04-27

    申请号：CN200410085029.0

    申请日：2004-10-13

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 三河巧 ,  藤井英治

    IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

    CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/7687 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91

    Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法，本发明的半导体装置，备有在半导体基板上形成、具有第一凹部(15a)的绝缘膜(14)，在第一凹部(15a)的壁部和底部形成、具有第二凹部(15b)的电容下部电极(15)，由在第二凹部(15b)的壁部和底部形成、具有第三凹部(15c)的电容绝缘膜(17)，和被埋入在第三凹部(15c)的电容上部电极(18)。不依赖于电介质膜中用的材料和电容上部电极中用的材料，在原理上防止构成具有空间层叠结构的电容元件的电容上部电极的断线。

    容量元件及其制造方法
    86.
    发明公开
    容量元件及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN1469477A

    公开(公告)日：2004-01-21

    申请号：CN03136291.5

    申请日：2003-05-20

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 三河巧 ,  十代勇治 ,  林慎一郎

    IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

    CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  Y10T29/43

    Abstract: 提供一种容量元件及其制造方法。所述容量元件是在半导体基板100形成的层间绝缘膜101上形成容量元件，是由白金组成的下面电极102、吸留氢气的元素比如钛元素包含在结晶粒界面、晶格间的位置或空穴的SBT(SrTaBiO)组成的容量绝缘膜103、由白金组成的上面电极104等的层叠体所组成。即使是对强电介质电容实施氢气气氛中的热处理，构成容量绝缘膜的强电介质膜或高电介质膜的极化特性不降低。

    非易失性半导体存储装置及其制造方法
    88.
    发明授权
    非易失性半导体存储装置及其制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN103250253B

    公开(公告)日：2016-01-13

    申请号：CN201280004090.0

    申请日：2012-10-10

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 藤井觉 ,  伊藤理 ,  三河巧

    IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

    CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625

    Abstract: 提供一种非易失性半导体存储装置，具备减小了构成电阻变化元件的下部电极和电阻变化层之间的寄生电阻的电阻变化元件。该非易失性半导体存储装置具备：基板（201）；以及电阻变化元件（208），形成于基板（201）上；电阻变化元件（208）具有：下部电极层（202），形成于基板（201）上；电阻变化层（203），形成于下部电极层（202）上；以及上部电极层（204），形成于电阻变化层（203）上；下部电极层（202）至少包括：第1导电层（202a）；以及第2导电层（202c），形成于第1导电层（202a）上，与电阻变化层（203）相接；在第1导电层（202a）的上表面形成有第1导电层（202a）被氧化而成的层、即氧化变质层（202b）。

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