公开(公告)号：CN110164884A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910112791.X

申请日：2019-02-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种能够抑制由偏压配线的剥离引起的检测不良的有源矩阵基板、具备该其的X射线摄像面板及其制造方法。有源矩阵基板(1)具有配置为矩阵状的多个检测部。多个检测部中的每一个均具备：光电转换层(15)；一对第一电极(14a)和第二电极(14b)；保护膜(106)，其覆盖光电转换层(15)的侧端部，并与第二电极(14b)的至少一部分重叠；以及偏压配线(16)，其设置于光电转换层(15)的外侧，并对第二电极(14b)施加偏压。第二电极(14b)的与偏压配线(16)重叠的电极部分具有至少一个电极开口部(141h)。偏压配线(16)在光电转换层(15)的外侧与第二电极(14b)的电极部分接触，同时，在电极开口部(141h)中与保护膜(106)接触。

公开(公告)号：CN110098197A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910081931.1

申请日：2019-01-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 提供能够抑制天线特性的降低的扫描天线、用于这种扫描天线的TFT基板、及这种TFT基板的制造方法。TFT基板(101A)具有半导体层(5)、包含栅极电极(3G)的栅极金属层(3)、栅极绝缘层(4)、包含源极电极(7S)及漏极电极的源极金属层(7)、以及包含源极接触部(6S)和漏极接触部(6D)的接触层(6)。源极金属层具有包含下部源极金属层(S1)和上部源极金属层(S2)的层叠结构，下部源极金属层的边缘位于比上部源极金属层的边缘靠内侧的位置。从电介质基板的法线方向观察时，至少多个天线单位区域的下部源极金属层的边缘及上部源极金属层的边缘中的不与源极接触部漏极接触部重叠的部分由至少两个无机层覆盖。

公开(公告)号：CN109950262A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811535817.3

申请日：2018-12-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种可抑制光电转换元件的漏电流导致的检测精度下降的有源矩阵基板及具备其的X射线摄像面板。有源矩阵基板(1)具有分别设置有开关元件的多个像素。每一像素分别具备：光电转换元件，其具有与该像素的开关元件连接的一对电极(14a、14b)、设置在该一对电极之间的半导体层(15)；无机膜，其覆盖光电转换元件的表面；有机树脂膜(106b)，其覆盖无机膜。无机膜具有：第一无机膜(105a)；第二无机膜(105b)，其设置在与第一无机膜(105a)不同的层。第一无机膜(105a)至少与光电转换元件的侧面相接设置，第二无机膜(105b)与第一无机膜(105a)的至少一部分相接，覆盖光电转换元件的侧面。

公开(公告)号：CN109804468A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201780062797.X

申请日：2017-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/20 ,  H01L27/144 ,  H01L29/786 ,  H04N5/32

Abstract: 提供能抑制光电转换层的漏电流的X射线的摄像面板及其制造方法。摄像面板(1)基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像。摄像面板(1)在基板(101)上具备：薄膜晶体管(13)；绝缘膜(103)，其覆盖薄膜晶体管(13)；光电转换层(15)，其将闪烁光转换为电荷；上部电极(14b)；下部电极(14a)，其与薄膜晶体管(13)连接；以及保护膜(142)，其覆盖下部电极(14a)的侧端部。

公开(公告)号：CN109616769A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811125824.6

申请日：2018-09-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01Q3/26 ,  H01Q3/36 ,  H01Q21/00

Abstract: 本发明使扫描天线的成本降低、及提供能够使扫描天线的成本降低的TFT基板。TFT基板(101)分别具有多个天线单元区域(U)，该多个天线单元区域(U)具有TFT(10)、及与TFT的漏极电极(7D)电连接的贴片电极(15)。TFT基板具有：包含TFT的源极电极(7S)的源极金属层(7)；形成于源极金属层上、且包含TFT的栅极电极(3G)的栅极金属层(3)；TFT的半导体层(5)；以及形成在半导体层与栅极金属层之间的栅极绝缘层(4)，源极金属层还包含贴片电极。TFT基板还具有配置在非发送接收区域(R2)的源极端子部(ST)，栅极金属层还包含源极端子部的源极端子用上部连接部(3sA)。

公开(公告)号：CN109564944A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780047501.7

申请日：2017-07-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: TFT基板(107)具备TFT(10)、形成在贴片金属层内的贴片电极(15)、以及形成在栅极金属层内的栅极连接布线(3sg)，贴片金属层具有：第一部分，其具有包含高熔点金属的下部金属层(M1)和包含Cu、Al或Ag的上部金属层(M2)的层叠结构；和第二部分，其包含下部金属层且不包含上部金属层，第一部分包含贴片电极(15)，第二部分包含将源极总线(SL)与栅极连接布线(3sg)电连接的第一贴片连接部(15sg)，第一贴片连接部(15sg)在设置于第一绝缘层的第一开口部(12sg(1))内与源极总线接触，且在设置于栅极绝缘层及第一绝缘层的第二开口部(12sg(2))内与栅极连接布线(3sg)接触。

公开(公告)号：CN109314316A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780033593.3

申请日：2017-05-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪 ,  植田智志

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: 一种排列有多个天线单元的扫描天线(1000)，其具有TFT基板(101)、缝隙基板(201A)、设置于TFT基板(101)与缝隙基板(201A)之间的液晶层LC。缝隙基板(201A)具有第二电介质基板(51)、支撑于第二电介质基板(51)的第一主面的缝隙电极(55)、和配置于第二电介质基板(51)与缝隙电极(55)之间的第一电介质层(52a)。缝隙电极(55)具有拉伸应力。第一电介质层(52a)具有压缩应力。

公开(公告)号：CN109314145A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780035760.8

申请日：2017-06-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1368 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: TFT基板(105)是具有电介质基板(1)、排列在电介质基板上的多个天线单位区域(U)的TFT基板，该TFT基板(105)包含发送接收区域(R1)和位于发送接收区域以外的区域的非发送接收区域(R2)，其中发送接收区域(R1)包含多个天线单位区域。多个天线单位区域的每一个具备：TFT(10)，其被电介质基板支撑，且包含栅极电极(3)、半导体层(5)、形成于栅极电极与半导体层之间的栅极绝缘层(4)、与半导体层电连接的源极电极(7S)及漏极电极(7D)、以及贴片电极(3PE)，所述贴片电极(3PE)与TFT的漏极电极电连接，贴片电极由与栅极电极相同的导电膜形成。

公开(公告)号：CN104685635B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201380051313.3

申请日：2013-09-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体装置(201)包括具有氧化物半导体层(5)的薄膜晶体管(101)，薄膜晶体管(101)的源极电极(7)和漏极电极(9)分别具有：包含第一金属的主层(7a、9a)；下层(7c、9c)，其配置在主层的基板侧，从主层侧起依次包括由第二金属氮化物构成的下部金属氮化物层和由第二金属构成的下部金属层；和上层(7b、9b)，其配置在主层的与基板相反的一侧，从主层侧起依次包括由第二金属的氮化物构成的上部金属氮化物层和由第二金属构成的上部金属层，第一金属是铝或铜，第二金属是钛或钼。

公开(公告)号：CN104487925B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201380039055.7

申请日：2013-07-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: G06F3/044 ,  G06F3/041

CPC classification number: G06F3/044 ,  B29C59/00 ,  G06F1/16 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04107 ,  G06F2203/04111 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/064 ,  H05K2201/0326 ,  H05K2201/10128

Abstract: 本发明提供削减了工序数量的触摸面板的制造方法。触摸面板(1)的制造方法包括：对第一透明导电膜进行图案化而形成包括传感电极(14、15)的一部分的层的工序；对与上述第一透明导电膜相比电阻低的高导电膜进行图案化而形成包括配线(171)的层的工序；对遮光膜进行图案化而形成包括遮光部(11)的层的工序；和在形成包括上述遮光部(11)的层后，对绝缘膜进行图案化而形成包括层间绝缘膜(121)和平坦化膜(122)的层的工序。对上述遮光膜进行图案化的工序和对上述绝缘膜进行图案化的工序，在对上述第一透明导电膜进行图案化的工序与对上述高导电膜进行图案化的工序之间进行。