公开(公告)号：CN104591741B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510086371.0

申请日：2015-02-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  张茜 ,  蔡德龙 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 一种SiNCB陶瓷材料的制备方法，涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明是要解决现有方法制备的SiNCB陶瓷材料容易析晶，高温下不稳定的问题。方法：一、将氮源、硅源、缚酸剂和溶剂放入具有惰性气体保护的反应器中，室温条件下反应；二、将反应产物真空抽滤，与硼烷四氢呋喃混合，放入反应器中反应；三、向反应器中加入三氯化硼正己烷溶液，反应后升温至室温；四、将产物抽滤，真空旋转蒸发，得到陶瓷前驱体；五、将陶瓷前驱体放入管式炉中，热解，随炉冷却至室温，即得到SiNCB陶瓷材料。在1450℃下具有优良的抗氧化性，可长期使用不分解，不晶化。本发明应用于硅基陶瓷材料领域。

公开(公告)号：CN105541197A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510968238.8

申请日：2015-12-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 何培刚 ,  苑景坤 ,  贾德昌 ,  杨治华 ,  段小明 ,  王胜金 ,  周玉

IPC: C04B28/00

CPC classification number: C04B28/006 ,  C04B14/38 ,  C04B22/06 ,  C04B22/062

Abstract: 短切碳化硅纤维增强铝硅酸盐聚合物复合材料的制备方法，本发明涉及复合材料的制备方法。本发明要解决现有铝硅酸盐聚合物材料固有的脆性、低机械强度与韧性，严重限制了其在需要一定承载能力、要求可靠性高的高技术材料领域的广泛应用的问题。方法：一、制备活性铝硅酸盐原材料；二、制备球磨混合物；三、制备碱激发溶液；四、制备铝硅酸盐聚合物料浆；五、固化，即完成短切碳化硅纤维增强铝硅酸盐聚合物复合材料的制备方法。本发明用于短切碳化硅纤维增强铝硅酸盐聚合物复合材料的制备。

公开(公告)号：CN103964860B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201410186383.6

申请日：2014-05-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  田卓 ,  叶书群 ,  段小明 ,  杨治华 ,  周玉

IPC: C04B35/5833 ,  C04B35/63

Abstract: 一种以纳米硅溶胶为烧结助剂热压制备的氮化硼基透波复合材料的制备方法，本发明涉及氮化硼基透波复合材料的制备方法。本发明要解决现有氮化硼透波陶瓷复合材料的度低、韧性差的不足的技术问题。方法：一、混合，球磨，制得浆料；二、研碎、过筛，得到混料；三、烧结，冷却。本发明获得的氮化硼基透波复合材料的力学性能，热学性能和介电性能均达到天线窗材料的要求。本发明具有制备过程简单、工艺可控、能够制造大尺寸天线窗陶瓷材料，适于批量生产的优点。本发明用于制备氮化硼基透波复合材料。

公开(公告)号：CN104591741A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201510086371.0

申请日：2015-02-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  张茜 ,  蔡德龙 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 一种SiNCB陶瓷材料的制备方法，涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明是要解决现有方法制备的SiNCB陶瓷材料容易析晶，高温下不稳定的问题。方法：一、将氮源、硅源、缚酸剂和溶剂放入具有惰性气体保护的反应器中，室温条件下反应；二、将反应产物真空抽滤，与硼烷四氢呋喃混合，放入反应器中反应；三、向反应器中加入三氯化硼正己烷溶液，反应后升温至室温；四、将产物抽滤，真空旋转蒸发，得到陶瓷前驱体；五、将陶瓷前驱体放入管式炉中，热解，随炉冷却至室温，即得到SiNCB陶瓷材料。在1450℃下具有优良的抗氧化性，可长期使用不分解，不晶化。本发明应用于硅基陶瓷材料领域。

公开(公告)号：CN104529429A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201510018480.9

申请日：2015-01-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 何培刚 ,  闫姝 ,  段小明 ,  杨治华 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/52 ,  C04B35/622

Abstract: 一种高温原位生成的石墨烯/榴石纳米复相陶瓷材料及其制备方法，它涉及陶瓷材料及其制备方法。本发明是要解决现有的石墨烯加入陶瓷中分散性差，导致其性能差的问题。一种高温原位生成的石墨烯/榴石纳米复相陶瓷材料是由氧化石墨烯悬浮液、碱激发溶液及偏高岭土粉体制备而成。制备方法：一、氧化石墨烯悬浮液的制备；二、碱激发溶液的制备；三、氧化石墨烯/碱激发混合液的配制；四、石墨烯/铝硅酸盐聚合物前驱体浆料的配制；五、前驱体固化成型；六、高温处理。本发明可用于高温原位生成的石墨烯/榴石纳米复相陶瓷材料及其制备。

公开(公告)号：CN103819180A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410090220.8

申请日：2014-03-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  蔡德龙 ,  杨治华 ,  段小明 ,  梁斌 ,  苑景坤 ,  李倩 ,  闫姝 ,  周玉

IPC: C04B35/14 ,  C04B35/5833 ,  C04B35/5835 ,  C04B35/622

Abstract: 一种BN-MAS陶瓷复合材料及其制备方法，涉及一种氮化硼基陶瓷复合材料及其制备方法。本发明是要解决现有氮化硼陶瓷材料生产中烧结温度过高、烧结压力过大导致成本高、效率低的技术问题。一种BN-MAS陶瓷复合材料由MgO粉末、Al2O3粉末、非晶SiO2粉末和六方BN粉末制成。制备方法为：一、称量；二、球磨制浆；三、干燥制粉；四、装模预压；五、烧结处理，即得BN-MAS陶瓷复合材料。本发明的BN-MAS陶瓷复合材料的致密度为99.4％，抗弯强度为213.2MPa±24.8MPa，介电常数为5.81，介电损耗角正切值为6.57×10-3。本发明应用于BN-MAS陶瓷复合材料的制备领域。

公开(公告)号：CN103803957A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410089785.4

申请日：2014-03-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  蔡德龙 ,  杨治华 ,  王胜金 ,  张茜 ,  段小明 ,  苗洋 ,  李权 ,  周玉

IPC: C04B35/185 ,  C04B35/622

Abstract: 一种超低热膨胀系数的堇青石陶瓷材料及其制备方法，涉及一种堇青石陶瓷材料及其制备方法。本发明是要解决现有堇青石陶瓷材料制备过程复杂，制备的堇青石陶瓷材料中α型堇青石含量低，弯曲强度低，热膨胀系数高的技术问题。一种超低热膨胀系数的堇青石陶瓷材料由氧化镁粉末、纳米氧化铝粉末和非晶二氧化硅粉末混合制成。制备方法为：一、称量；二、球磨制浆；三、干燥制粉；四、烧结处理，即得堇青石陶瓷材料。本发明的堇青石陶瓷材料的致密度达99.9％，抗弯强度可达到220.5～332.7MPa，介电常数达到4.81～6.75，热膨胀系数为0.5×10-6～1.8×10-6℃-1。本发明应用于堇青石陶瓷材料的制备领域。

公开(公告)号：CN103232264A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310135823.0

申请日：2013-04-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  王胜金 ,  杨治华 ,  段小明 ,  崔望 ,  张培峰 ,  周玉

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/584 ,  C04B35/583

Abstract: 一种具有球形气孔结构的BN/Si3N4复合陶瓷的制备方法，它涉及一种多孔复合陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有方法制备的陶瓷材料由于气孔重叠和气孔形状不规整而导致材料的稳定性和可靠性下降的问题，本发明的具体方法为：一、制备混合粉体；二、制备浆料；三、制备干燥后的生坯；四、将干燥后的生坯在空气炉中进行脱脂和脱除造孔剂处理，然后进行烧结，即得到具有球形气孔结构的多孔BN/Si3N4复合陶瓷。本发明适用于航空航天和机械工业领域。

公开(公告)号：CN103145112A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310106226.5

申请日：2013-03-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  田卓 ,  段小明 ,  杨治华 ,  叶书群 ,  周玉 ,  张培峰

IPC: C01B31/00

Abstract: 一种BN-Si2N2O复合陶瓷及其制备方法，它涉及一种氮化硼基陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有氮化硼基复合材料的制备方法存在制备成本高、效率低和难于制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的问题。一种BN-Si2N2O复合陶瓷由非晶态纳米二氧化硅、氮化硅粉末和六方氮化硼粉末制成；方法：一、称量；二、球磨制浆料；三、干燥制粉；四、预压成型；五、冷等静压处理；六、烧结处理，即得到BN-Si2N2O复合陶瓷。本发明优点：降低了制备成本高，提高了效率，降低了制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的难度。本发明主要用于制备BN-Si2N2O复合陶瓷。

公开(公告)号：CN101434488B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200810209685.5

申请日：2008-12-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  周玉 ,  段小明 ,  杨治华 ,  徐东

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/63 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提出一种以磷酸盐为烧结助剂的氮化硅基复合陶瓷及制备方法，它是一种将磷酸盐引入氮化硅，并通过冷压后无压烧结的方法得到的氮化硅基复合陶瓷，包括氮化硅粉体和磷酸盐粉体，磷酸盐粉体包括磷酸钙或磷酸铝，其质量占总质量的10～20％，原料的纯度均在99％以上，粒径在1～20μm。制备方法为：首先将氮化硅粉体和磷酸盐粉体按照质量比8∶2～9∶1配比混合，原料的纯度均在99％以上，粒径在1～20μm，其次是混合粉末的预压成型和冷等静压处理，最后对其进行无压烧结，其中，磷酸盐粉体为磷酸钙或磷酸铝，其质量占总质量的10～20％。本发明具有成本低，工艺简单，制成效率高等优点，而且还具有可以制备复杂形状构件的特点，适于制造航天防热等核心零部件。