-
公开(公告)号：CN104726732A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510113366.4
申请日：2015-03-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种含钛酸铅和/或掺杂钛酸铅陶瓷颗粒的铝基或铜基复合材料，所述复合材料以体积百分比计，由30~95%金属相和5~70%陶瓷相两部分制成，所述金属相为纯铜、铜合金、纯铝或铝合金，陶瓷相为钛酸铅和/或掺杂钛酸铅，其化学式为：PbMxTi1-xO3，其中0≤x≤1，M=Fe、Zn、Nb、Mg、(Nb2/3Mg1/3)、Zr中的一种或几种。在-100~+200℃的温度区间，该复合材料的工程热膨胀系数平均为4~20×10-6/℃，导热率在30~350W/(m·K)，同时具有较好的导电性能。该复合材料可用于半导体器件封装和航空、航天、电子、仪器仪表等需要低热膨胀、高热导材料的领域。
-
公开(公告)号：CN103979955A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410200916.1
申请日：2014-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 锂-铝离子对掺杂改性的钛酸钡基无铅压电陶瓷材料及其制备方法，它涉及具有高压电性能钛酸钡基无铅压电陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决利用普通原料和传统固相合成法制备的钛酸钡基无铅压电陶瓷压电性能较差的问题。本发明的钛酸钡基陶瓷组成为Ba1-x(Li0.5Al0.5)xTi1-xSixO3，其中0.02≤x≤0.08mol。本发明采用普通原料和传统固相合成法制备钛酸钡基无铅压电陶瓷，该体系为钙钛矿相，当x＝2-8mol％时，陶瓷中存在Li+-Al3+离子对，使压电常数d33达300-400pC/N，机电耦合系数kp达0.35-0.45。其制备工艺简单，成本低廉。
-
公开(公告)号：CN102826546B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210369707.0
申请日：2012-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种燃烧合成制备石墨烯粉体的方法，它涉及碳结构材料的制备方法。本发明是要解决现有石墨烯的制备方法无法同时具备原料易保存运输、节约能源、操作方法简单、成本低的优点的问题。制备方法：通过干法混粉，制备镁粉和糖粉的混合粉体，将该混合粉体进行燃烧合成反应，得到石墨烯粉体。本发明的石墨烯粉体的制备方法同时具备原料易保存运输、节约能源、操作方法简单、成本低的优点，通过本发明的方法制备出的石墨烯粉体厚度较小。本发明适用于石墨烯的工业化生产。
-
公开(公告)号：CN102839276A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210349683.2
申请日：2012-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C21D10/00
CPC classification number: Y02P10/212
Abstract: 一种超声松弛金属构件螺栓连接处残余应力的方法，涉及松弛金属构件螺栓连接处残余应力的方法。本发明解决了现有的松弛金属构件螺栓连接处残余应力的方法，处理效率低，处理时间长的问题。一种超声松弛金属构件螺栓连接处残余应力的方法：一、将材质为金属的超声探头与金属构件螺栓的螺帽的表面形成刚性的接触，或将材质为金属的超声探头与金属构件螺栓的临近螺帽的区域的表面形成刚性的接触；二、进行超声处理。本发明提供的一种超声松弛金属构件螺栓连接处残余应力的方法应用于高精度仪器仪表制造领域。
-
公开(公告)号：CN102826546A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210369707.0
申请日：2012-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种燃烧合成制备石墨烯粉体的方法，它涉及碳结构材料的制备方法。本发明是要解决现有石墨烯的制备方法无法同时具备原料易保存运输、节约能源、操作方法简单、成本低的优点的问题。制备方法：通过干法混粉，制备镁粉和糖粉的混合粉体，将该混合粉体进行燃烧合成反应，得到石墨烯粉体。本发明的石墨烯粉体的制备方法同时具备原料易保存运输、节约能源、操作方法简单、成本低的优点，通过本发明的方法制备出的石墨烯粉体厚度较小。本发明适用于石墨烯的工业化生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101333076B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200810136853.2
申请日：2008-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 无机薄膜及其制备方法，它涉及薄膜及其制备方法。它解决了现有无机薄膜的制备工艺复杂、设备要求高、成膜条件苛刻、成本高、产品易开裂、易脱落的问题。无机薄膜由有机化合物单体、水、催化剂、溶剂A、溶剂B和有机硅高分子制成。制备方法：制备有机-无机混杂薄膜的前驱体溶液，采用喷涂、浸涂或刷涂的方式将该溶液涂于物体表面，经热处理即得到无机薄膜。本发明得到的薄膜制备方法简单易行、成膜条件容易、对设备要求简单、成本低廉，可广泛的应用于金属表面的抗氧化薄膜，负载催化剂的多孔膜，具有发光特性的发光薄膜，抗磨擦膜、多孔过滤膜、传感器结构膜的使用。
-
公开(公告)号：CN101857221A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010179118.7
申请日：2010-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 高效率制备石墨烯复合物或氧化石墨烯复合物的方法，它涉及石墨烯复合物或氧化石墨烯复合物制备方法。本发明同时解决了石墨烯或氧化石墨烯本身易复合、现有方法制备石墨烯复合物或氧化石墨烯复合物工艺步骤多、成本较高、分散困难的问题。本发明采用机械剥离方法获得石墨烯复合物或氧化石墨烯复合物。本发明使用自动机械，用固体颗粒辅助剥离，极大的增加剥离过程的接触面积和剥离次数，通过剪切和撞击作用，使碳素材料粉在短时间内经历大量的剥离过程，从而显著提高剥离效率，同时达到与复合物之间均匀分散的目的，该方法适于工业化大批量生产石墨烯复合物或氧化石墨烯复合物。
-
公开(公告)号：CN100402691C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200510010130.4
申请日：2005-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 含SnO2涂覆陶瓷相增强铝基或镁基复合材料，它属于金属基复合材料领域。针对现有复合材料存在增强相与基体的润湿性差、增强相和基体以及基体中的合金元素会发生严重的界面反应和热塑性变形能力较差的不足，本发明的含SnO2涂覆陶瓷相增强铝基或镁基复合材料由SnO2涂层、陶瓷增强相和铝或镁基体三种成分组成，其中陶瓷增强相的体积占总体积的15～50%，SnO2的加入量占陶瓷增强相质量的2～20%。该复合材料可以通过物理或化学方法实现陶瓷增强相表面的SnO2涂覆。SnO2涂覆后可以提高增强相与基体的润湿性，抑制增强相与基体的界面反应，还可以降低复合材料的热塑性变形温度，减少复合材料热加工的成本，热变形后复合材料仍有很好的力学性能。
-
公开(公告)号：CN1821433A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610009820.2
申请日：2006-03-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C45/00
Abstract: 含β－锂霞石的铜基复合材料，它涉及一种铜基复合材料。它解决了现有金属材料和陶瓷材料都无法同时具备高热导性、高电导性、低热膨胀系数的问题。含β－锂霞石的铜基复合材料由铜粉和β－锂霞石颗粒制成。含β－锂霞石的铜基复合材料还可由铜粉和有铜或银包覆层的β－锂霞石颗粒制成。本发明除具有可镀覆性、可焊性、耐蚀性、良好的电磁波干扰/射频干扰屏蔽能力、高强度、高硬度，优良的加工性、成形性和低廉的价格外，还同时具备高热导性、高电导性、低热膨胀系数的性能。本发明在－100～300℃范围内热膨胀系数为3×106～14×106/℃，热导率为50～350W/m·K，电导率为5.8×106～5.8×107Ω/m。
-
公开(公告)号：CN1793406A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510127309.8
申请日：2005-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: ZnO涂覆的陶瓷相增强铝基或镁基复合材料及其制备方法，它涉及一种陶瓷相增强铝基或镁基复合材料及其制备方法。它解决了现有复合材料中陶瓷相和基体的浸润性差，界面结合强度低，影响复合材料力学性能的问题。ZnO涂覆的陶瓷相增强铝基或镁基复合材料由ZnO、陶瓷相和铝基或镁基三种原料制成。其制备方法：1.将陶瓷相加入ZnO溶胶中；2.制备ZnO涂覆的陶瓷相；3.将ZnO涂覆的陶瓷相制成预制块并焙烧；4.挤压铸造，即得到ZnO涂覆的陶瓷相增强铝基或镁基复合材料。ZnO涂覆到陶瓷相上提高了陶瓷相与基体的浸润性，改善了陶瓷相与基体的界面，使复合材料的力学性能显著提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
91
records
(took 0.043 seconds)
