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公开(公告)号：CN101319399B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810064810.8
申请日：2008-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种伴有串状结构的碳化硅纳米线的制备方法，本发明涉及一种准一维纳米结构的制备方法。伴有串状结构的碳化硅纳米线：立方相碳化硅的单晶体。方法：将非晶态的碳/二氧化硅纳米复合粉体放入坩埚内并置于气氛烧结炉中，抽真空后向炉内充入氩气使初始气压达0.1～2.0MPa，然后以5～30℃/min的升温速度加热至1500～1800℃保温0.5～6小时，随炉冷却到室温，即得到伴有串状结构的碳化硅纳米线，中心线或中心杆的直径分布在50～100纳米范围内，中心线或中心杆上串状结构的碳化硅纳米线的直径分布在100～500纳米范围内。本发明制备工艺简单、成本低、制备周期短，且能够实现对产物结构和形貌的控制。
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公开(公告)号：CN101949012A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010288344.9
申请日：2010-09-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: C23C28/00
Abstract: 本发明涉及一种镍-稀土复合膜的制备方法，其以金属材料为基体，在预处理过的金属材料表面上沉积镍，形成镀镍层，将上述表面形成镀镍层的金属材料浸入配置好的稀土盐溶液中，所述稀土盐的浓度是1~10g/L，浸入时间是30~120min，温度是20~30℃，而后加热烘干，温度在100℃~600℃之间，时间20~120min，即在金属材料表面得到镍-稀土复合膜。本发明膜层制备简便，设备要求低，成膜均匀，耐蚀性能高，可用于在不同种类的金属和金属基复合材料表面处理。
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公开(公告)号：CN101948480A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010290358.4
申请日：2010-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07F5/05 , C08G73/02 , C04B35/583
Abstract: 氮化硼陶瓷纤维有机先驱体及其制备方法，它涉及氮化硼陶瓷有机先驱体及其制备方法。本发明解决了现有的以三氯硼吖嗪和苯胺制备的氮化硼陶瓷材料有机先驱体分子量低，在纺丝过程中成丝性差的问题。本发明的氮化硼陶瓷纤维有机先驱体的结构式为其中n是10～13的整数。制备方法：将三氯硼吖嗪和烯丙基胺加入到甲苯中搅拌，然后过滤，得到的滤液在60℃～90℃回流，再减压蒸馏脱除甲苯后，最后在烘箱中加热处理，得到氮化硼陶瓷纤维有机先驱体。氮化硼陶瓷纤维有机先驱体数均分子量为2000～2750，可熔融纺丝，操作方便，成丝性好，经热处理后得到纯净且结晶良好的六方结构的氮化硼纤维，可用于制备氮化硼纤维。
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公开(公告)号：CN101928915A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010200513.9
申请日：2010-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/06
Abstract: 一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，它涉及一种在纳米材料表面镀氮化硼膜的方法。本发明解决了由于一维纳米材料间的接触，导致一维纳米材料易被氧化、寿命短、稳定性差的问题。本方法如下：将氨硼烷加入到石墨坩埚或氧化铝坩埚中，将待包覆的一维纳米材料固定于坩埚内部，再将坩埚置于气压炉中，然后在700℃～1600℃的条件下保温0.5h～4h，然后冷却至室温，即得表面镀氮化硼膜的一维纳米材料。本发明在一维纳米材料表面镀上了厚度为3nm～50nm的氮化硼膜，防止一维纳米材料间互相接触，从而避免了一维纳米材料在使用的过程中被氧化、寿命短、稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN101139170B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200710072597.0
申请日：2007-08-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03C10/04
Abstract: 以ZrO2为增强相的二硅酸锂微晶玻璃复合材料及其制备方法，它涉及二硅酸锂微晶玻璃复合材料及制备方法。它解决了现有生产周期长，成本高，产品容易变形，二硅酸锂微晶玻璃力学性能较低的问题。本发明由二硅酸锂基础玻璃和氧化锆粉体组成。制备方法为一、按照原始玻璃的成分配比球磨；二、将烘干的原料放入刚玉坩埚中高温熔化；三、将玻璃熔液倒入蒸馏水中水淬成1～2mm玻璃颗粒；四、将水淬后的玻璃颗球磨得到玻璃粉末；五、取二硅酸锂玻璃粉末与氧化锆粉体以酒精为介质进行混合球磨；六、进行真空热压烧结后，即制备出以ZrO2为增强相的二硅酸锂微晶玻璃复合材料。本发明不易变形、生产周期短和成本低，抗弯强度和断裂韧性指标优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101845711A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010204482.4
申请日：2010-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳化硅纳米无纺布及其制备方法，涉及SiC纳米线材料及其制备方法。本发明解决现有SiC纳米纤维在应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由β-SiC单晶相纳米纤维自组装交叉叠加形成，厚度0.2~50mm，单根长度为50微米至5厘米。方法：凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体，然后将复合粉体研磨后与乙醇混合得浆料，再将浆料涂在坩埚底部后将坩埚置于气氛烧结炉，在惰性气氛中热处理即可。碳化硅纳米无纺布解决SiC纳米纤维难以应用的弊端，作为增强相得的复合材料中纳米纤维分布均匀，复合材料性能提高。方法简单，制备周期短，大规模、高产率地制备SiC纳米无纺布。
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公开(公告)号：CN101717077A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910310305.1
申请日：2009-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 氮化硼纳米管的制备方法，它涉及一种纳米管的制备方法。本发明解决了现有方法得到的硼纳米管产率低的问题。本方法如下：将氨硼烷和催化剂的混合粉末或氨硼烷加入到以石墨纸或滤纸为内衬的坩埚中，再将坩埚置于气压炉中，向气压炉内充入高纯氮气，然后以5℃/min～30℃/min的升温速度升温，再保温，然后冷却至室温，即得氮化硼纳米管。本发明方法制备氮化硼纳米管的产率为60％～85％。
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公开(公告)号：CN101597058A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910072347.6
申请日：2009-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种应用硼酸提高碳化硅纳米纤维产率的方法，它涉及了一种硼酸的应用方法。本发明解决了现有SiC纳米纤维制备方法存在产率低的缺陷以及硼酸未被应用到SiC纳米纤维生产领域的问题。本发明应用硼酸提高SiC纳米纤维产率的方法按照如下步骤进行：一、将蔗糖与硅溶胶混合，再将硼酸加入到混合液中，干燥，得到干凝胶；二、将步骤一得到的干凝胶置入管式炉中，通入氮气，升温，保温，即得凝胶粉末；三、球磨3h，加入无水乙醇，气氛烧结炉，冷却至室温；即得到呈羊毛毡状的SiC纳米线毛层。本发明在纳米纤维生产中应用硼酸，应用硼酸后，SiC纳米纤维的产率提高了10倍以上，纤维长度达到5～6cm。
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公开(公告)号：CN100563727C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610009993.4
申请日：2006-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米羟基磷灰石/丝素蛋白—壳聚糖复合支架的制备方法，属于组织工程技术领域。为了解决现有制备支架的方法引进了有毒的有机溶剂损害了材料的生物活性，材料内部结构气孔尺寸小气孔率低，气孔连通性不好，不利于骨细胞的粘附分化增殖生长等缺点，本发明的复合支架的材质由无机材料和有机材料复合而成，无机材料为纳米羟基磷灰石，有机材料为丝素蛋白和壳聚糖，无机材料和有机材料的重量比为50～70∶30～50，丝素蛋白和壳聚糖的重量比为1∶1～2，采用冷冻干燥方法制备上述支架。本发明细胞支架气孔率在75%～90%之间。气孔尺寸为150～500μm，气孔连通性良好，抗压强度为0.85～1.85Mpa之间。
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公开(公告)号：CN100467374C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200610151102.9
申请日：2006-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线的制备方法，它涉及一种带有伴生结构的纳米线的制备方法。一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线由6～24%的碳、53～68%的硅和11～40%的氧制成。一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线的制备方法通过以下步骤实现：(一)配制混合溶胶；(二)搅拌；(三)凝胶化处理；(四)将得到的凝胶放入坩埚内并置于管式加热炉中，抽真空；(五)向管式加热炉中通入氩气；(六)进行气氛烧结；(七)冷却到室温，即得到含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线。
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