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公开(公告)号：CN101882632A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010202111.2
申请日：2010-06-18
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种玻璃衬底绒面结构ZnO薄膜，利用磁控溅射技术制备，以玻璃为衬底，以Zn-Al合金靶和O2为原材料，以Al为掺杂剂，在真空条件下进行磁控溅射，在玻璃衬底上直接生长绒面结构ZnO薄膜，薄膜厚度(900～1500)nm，薄膜结构为glass/绒面ZnO薄膜，应用于pin型a-Si薄膜太阳电池或a-Si/uc-Si叠层薄膜太阳电池。本发明的优点是：利用磁控溅射技术，镀膜温度相对低，生长速率快，有利于大面积生长；无需后续湿法刻蚀技术制绒，可直接生长获得粗糙表面的绒面结构ZnO-TCO薄膜，有利于增加光散射作用；应用于pin型a-Si薄膜太阳电池，光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN101724821A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910245083.X
申请日：2009-12-25
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种可调控生长硅薄膜电池陷光结构薄膜的磁控溅射系统，可以有效地改变靶材表面的磁场强度和分布状态，减少和避免磁控溅射过程中产生的高能粒子对硅薄膜太阳电池的轰击作用，改善透明导电氧化物TCO和硅Si薄膜的界面特性，可以明显提高硅薄膜太阳电池的性能，具有重大的生产实践意义。
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公开(公告)号：CN101510577A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910068279.6
申请日：2009-03-27
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提出一种在聚对苯二甲酸乙二酯塑料(PET)廉价塑料衬底上低温沉积柔性非晶硅薄膜太阳电池的技术，方法是：首先采用等离子体辉光对PET塑料薄膜进行预处理，以实现硅基薄膜电池所需求的衬底表面形貌；采用高压高氢稀释相结合的方式，在125℃温度下优化非晶硅薄膜材料及电池的性能；在PET塑料衬底上获得了转换效率达到5.4％的柔性非晶硅太阳电池。本发明的优点是，采用廉价的聚对苯二甲酸乙二酯塑料代替昂贵的聚酰亚胺作塑料衬底，成本低廉，性能完全达到使用要求；非晶硅电池部分p、i、n三层均采用低温的制备工艺，沉积温度不超过125℃，在制备过程中能耗大大减少，使得太阳电池的制造成本大大降低。
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公开(公告)号：CN100511728C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710061325.0
申请日：2007-09-30
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种利用绒面临时衬底制备柔性转移衬底太阳电池的方法，该方法将金属衬底浸入电解液中进行表面处理，使金属衬底具有绒面结构，然后在绒面金属铝箔上制备前电极、然后激光切割、制备P-I-N层、激光切割、制备背电极、激光切割和层压聚合物衬底，最后再去除金属衬底制成柔性转移衬底太阳电池。所述本发明中作为柔性转移衬底的金属衬底表面平整且具有绒面结构，使在其表面沉积的前电极也随之具有一定的绒度，从而使所制备的太阳电池具有很好的陷光结构，提高太阳电池效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101217174A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810052036.9
申请日：2008-01-09
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种简便的、可减轻甚至消除染料敏化太阳电池光阳极的微裂纹的修复方法。该方法针对烧结后有微裂纹的多孔TiO2电极，处理方法为：在易水解的浓度为0～0.4M的钛盐或钛醇盐(TiCl4、TiOSO4、Ti(SO4)2、Ti(OC3H7)4、Ti(OC4H9)4)水溶液中处理，处理条件：室温～90℃，时间0.1～48小时，然后再经过400～500℃烧结，可使电极的显微裂纹明显减轻甚至消除。
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公开(公告)号：CN101187015A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710150228.9
申请日：2007-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室异形电极。它的功率电极板在功率馈入端口附近设有对应的附加电极片，所述附加电极片平行于功率电极板水平面，所述附加电极片的厚度小于功率电极板，所述附加电极片连接在功率电极板的功率电极面的边缘。本发明的异形功率电极可以在任意激发频率和任意面积大小的PECVD反应室中采用。这种异形功率电极利用电极功率馈入端口的附加电极改变电极表面电流分布，可以抑制电极馈入端口附近电势的对数奇点效应。
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公开(公告)号：CN101187014A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710150227.4
申请日：2007-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室电极。它包括功率电极板和功率馈入端口，所述功率电极板在功率电极面与功率电极馈入端口之间，设有电极槽。应用本发明的这种电极可获得具有均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室。本发明通过优化大面积甚高频功率源馈入方式、电极结构等，解决大面积电极板电位分布均匀性，是研发大面积VHF－PECVD薄膜沉积和刻蚀系统的基础，这种刻槽式电极利用电极功率馈入端口沟槽分布改变电极表面电流的分布，可以抑制电极馈入端口附近电势的对数奇点效应。
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公开(公告)号：CN1995451A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610015983.1
申请日：2006-09-26
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种制备太阳能电池中吸收层薄膜的方法，特别是在低温下用等离子体辅助反应热化学气相淀积制备微晶硅锗薄膜的方法。薄膜微晶材料直接生长一般需要600摄氏度以上，不能使用玻璃等廉价衬底。我们采用一种称为等离子体辅助反应热化学气相淀积的微晶硅锗生长工艺，来实现低温直接生长，公开了一种等离子辅助反应热法制备微晶硅锗薄膜的技术方案，以制备窄带隙(Eg～1ev)、高稳定性的微晶硅锗材料，用Si2H6和GeF4之间的氧化还原反应把成膜温度降低到450℃，再借助等离子体的作用把成膜温度降低到250～350℃左右，成功实现在低温下制备出高质量的微晶硅锗薄膜。本发明的有益效果是：可以得到窄带隙、高稳定性的硅锗材料，可以有效提高太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN221263456U
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202322821576.1
申请日：2023-10-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本实用新型提供了一种基于非侵入式负荷监测与识别装置，具体涉及负荷监测技术领域。一种基于非侵入式负荷监测与识别装置，包括MCU模块、三相电能计量模块、交流输入模块、电源模块、显示模块、存储模块、云端负荷识别网络，MCU模块的输入端与电源模块电连接。本实用新型的有益效果在于：可以同时对三相进行负荷监测和负荷识别，传统的负荷监测与识别通常是对某一相电，并且本设计的负荷识别准确率高。通过本申请提供的基于非侵入式负荷监测与识别装置来监测用电，可以对负荷进行精准识别，负荷识别指的是通过对一连串原始电器采样数据的分析，得出该原始采样数据是何种用电器，或者说是哪几类用电器组合在一起的。
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