公开(公告)号：CN100503882C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200610015983.1

申请日：2006-09-26

Applicant: 南开大学

Inventor： 张建军 ,  赵颖 ,  耿新华 ,  胡增鑫 ,  谷士斌 ,  张丽萍 ,  尚泽仁

IPC: C23C16/22 ,  C30B25/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种制备太阳能电池中吸收层薄膜的方法，特别是在低温下用等离子体辅助反应热化学气相淀积制备微晶硅锗薄膜的方法。薄膜微晶材料直接生长一般需要600摄氏度以上，不能使用玻璃等廉价衬底。我们采用一种称为等离子体辅助反应热化学气相淀积的微晶硅锗生长工艺，来实现低温直接生长，公开了一种等离子辅助反应热法制备微晶硅锗薄膜的技术方案，以制备窄带隙(Eg～lev)、高稳定性的微晶硅锗材料，用Si2H6和GeF4之间的氧化还原反应把成膜温度降低到450℃，再借助等离子体的作用把成膜温度降低到250～350℃左右，成功实现在低温下制备出高质量的微晶硅锗薄膜。本发明的有益效果是：可以得到窄带隙、高稳定性的硅锗材料，可以有效提高太阳能电池的效率。

公开(公告)号：CN1995451A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610015983.1

申请日：2006-09-26

Applicant: 南开大学

Inventor： 张建军 ,  赵颖 ,  耿新华 ,  胡增鑫 ,  谷士斌 ,  张丽萍 ,  尚泽仁

IPC: C23C16/22 ,  C30B25/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种制备太阳能电池中吸收层薄膜的方法，特别是在低温下用等离子体辅助反应热化学气相淀积制备微晶硅锗薄膜的方法。薄膜微晶材料直接生长一般需要600摄氏度以上，不能使用玻璃等廉价衬底。我们采用一种称为等离子体辅助反应热化学气相淀积的微晶硅锗生长工艺，来实现低温直接生长，公开了一种等离子辅助反应热法制备微晶硅锗薄膜的技术方案，以制备窄带隙(Eg～1ev)、高稳定性的微晶硅锗材料，用Si2H6和GeF4之间的氧化还原反应把成膜温度降低到450℃，再借助等离子体的作用把成膜温度降低到250～350℃左右，成功实现在低温下制备出高质量的微晶硅锗薄膜。本发明的有益效果是：可以得到窄带隙、高稳定性的硅锗材料，可以有效提高太阳能电池的效率。