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公开(公告)号：CN110117191A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910409505.6
申请日：2019-05-17
Applicant: 北京科技大学 , 新奥科技发展有限公司 , 北京大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 一种纳米晶Cu-S基块体热电材料的制备方法，属于热电材料技术领域。采用机械合金化反应结合室温高压烧结技术，以单质Cu粉、S粉、及掺杂元素A粉为原料，A为Se或Te，按照化学通式Cu2-xS1-yAy进行配置，其中，0≤x≤0.2，0≤y≤0.5，利用机械合金化反应获得高烧结活性的纳米级预合成粉体，再结合室温高压烧结技术制备成分均匀，晶粒细小，结构致密的纳米晶Cu-S基块体热电材料。所制备获得的纳米晶Cu-S基块体热电材料具有纳米晶结构，晶粒尺寸为10-80nm，结构致密，相对密度大于97％，组成元素分布均匀，功率因子在623K时为1.1×10-4～7.5×10-4Wm-1K-2。本发明所提出的制备方法能有效抑制S元素挥发、控制晶粒尺寸并促进掺杂元素在基体材料中的有效固溶，有利于在更大成分范围内进行热电性能的调控。
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公开(公告)号：CN109817804A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910043957.7
申请日：2019-01-17
Abstract: 本发明涉及了一种n型SnS基热电材料及其制备方法，属于能源材料技术领域。本发明利用卤族元素对SnS进行掺杂改性得到n型SnS。将Sn、S和卤化物按照化学计量比SnS1-xβx(β＝Cl,Br,I等卤族元素)进行配料，其中x取值范围为0≤x≤0.2；然后将原料放入行星式球磨机，充入保护气，在一定转速下合成n型SnS1-xβx粉体，最后通过放电等离子烧结得到n型SnS1-xβx块体材料。对SnS热电性能的报道主要集中在p型半导体，n型SnS基半导体的热电性能未见报道。卤族元素的掺杂提高了电子浓度，得到n型SnS基热电半导体的热电优值ZT为0.15～0.5。该制备方法过程简便、易于操作，对设备和制备环境要求低，周期短、适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN105244434B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510670642.7
申请日：2015-10-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L35/12 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 一种C掺杂ZnO热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域，所述制备方法以氯化锌为原料，并添加C源，并利用水热法结合放电等离子烧结技术，制得相对密度大于95%的C掺杂ZnO块体热电材料，所述C掺杂ZnO热电材料的禁带宽度为2.4～2.9eV，晶粒尺寸为1～10μm，功率因子为5×10‑4～7×10‑4Wm‑1K‑2。本发明通过水热法并结合放电等离子烧结技术制备得到的C掺杂ZnO块体热电材料相对密度较高，大于95%，制备过程中烧结温度高在900～1400℃，通过所掺杂的C源的选择克服了常规技术中高的烧结温度不利于C掺杂ZnO的局限；并进一步提高了ZnO材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN104477991B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410689801.3
申请日：2014-11-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G30/00
Abstract: 一种低热导CuSbS2+x热电材料及制备方法，属于能源材料技术领域。本发明是将Cu、Sb和S按照化学量比CuSbS2+x配置，其中x取值范围为0≤x≤1。以Cu粉（质量百分比≥99.5%）、Cr粉（质量百分比≥99.5%）和S粉（质量百分比≥99.5%）作为原料，混合后放入行星式球磨机，在一定转速下干磨合成化合物粉体，然后加入一定量的无水乙醇进行湿磨，烘干后得到CuSbS2+x粉体，然后通过放电等离子烧结成块体。相比于其它中温区热电材料，CuSbS2+x具有较低的热导率，最低值为~0.05Wm-1K-1。该制备方法过程简便、易于操作，对设备和制备环境要求低，周期短、适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN105272206A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510671114.3
申请日：2015-10-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/453
Abstract: 一种C和Ni共掺杂ZnO热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域。所述制备方法以氯化锌和硝酸镍为原料，所述氯化锌和硝酸镍的摩尔量按照化学通式Zn1-xNixO进行配置，其中，0.005≤x≤0.6mol，并加入C源，利用水热法结合放电等离子烧结法，制得相对密度大于95%的C和Ni共掺杂ZnO块体热电材料，所述C和Ni共掺杂ZnO块体热电材料的功率因子为4×10-4～8×10-4Wm-1K-2。本发明通过水热法并结合放电等离子烧结法制备得到的C和Ni共掺杂ZnO块体热电材料相对密度较高，大于95%，制备过程中烧结温度高在950～1300℃，通过所掺杂C源的选择克服了常规技术中高的烧结温度不利于C掺杂ZnO的局限；并进一步提高了ZnO材料的热电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105244434A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510670642.7
申请日：2015-10-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L35/12 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 一种C掺杂ZnO热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域，所述制备方法以氯化锌为原料，并添加C源，并利用水热法结合放电等离子烧结技术，制得相对密度大于95%的C掺杂ZnO块体热电材料，所述C掺杂ZnO热电材料的禁带宽度为2.4～2.9eV，晶粒尺寸为1～10μm，功率因子为5×10-4～7×10-4Wm-1K-2。本发明通过水热法并结合放电等离子烧结技术制备得到的C掺杂ZnO块体热电材料相对密度较高，大于95%，制备过程中烧结温度高在900～1400℃，通过所掺杂的C源的选择克服了常规技术中高的烧结温度不利于C掺杂ZnO的局限；并进一步提高了ZnO材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN104477991A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410689801.3
申请日：2014-11-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G30/00
CPC classification number: C01G30/00
Abstract: 一种低热导CuSbS2+x热电材料及制备方法，属于能源材料技术领域。本发明是将Cu、Sb和S按照化学量比CuSbS2+x配置，其中x取值范围为0≤x≤1。以Cu粉（质量百分比≥99.5%）、Cr粉（质量百分比≥99.5%）和S粉（质量百分比≥99.5%）作为原料，混合后放入行星式球磨机，在一定转速下干磨合成化合物粉体，然后加入一定量的无水乙醇进行湿磨，烘干后得到CuSbS2+x粉体，然后通过放电等离子烧结成块体。相比于其它中温区热电材料，CuSbS2+x具有较低的热导率，最低值为~0.05Wm-1K-1。该制备方法过程简便、易于操作，对设备和制备环境要求低，周期短、适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN103985813A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410244778.7
申请日：2014-06-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种核壳结构NiSe2@SiO2热电材料及制备方法。本发明通过机械合金化法制备了颗粒尺寸为0.1~1μm的NiSe2前驱粉体，通过溶胶凝胶法在NiSe2粉体表面包覆厚度在5~500nm范围内可控的无定形SiO2，制备出以SiO2为壳、NiSe2为核的核壳结构NiSe2@SiO2复合粉体。所得复合粉体经放电等离子烧结后，核壳结构保存于块体中，制备出核壳结构的NiSe2@SiO2复合块体热电材料。NiSe2@SiO2复合块体热电材料较单相NiSe2热电材料具备更高的塞贝克系数、功率因子，同时降低了热导率。本发明工艺具有节能、省时、产量高等特点。
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公开(公告)号：CN102443848A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201210020143.X
申请日：2012-01-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种提高硫化铋多晶热电性能的方法，属于能源材料技术领域。其特征是：以机械合金化法制备的硫化铋纳米粉体与水热法合成的（001）取向的单晶硫化铋纳米棒粉体混合，在无水乙醇中超声分散10~200分钟，烘干后在玛瑙研钵中手工研磨10~100分钟。将研磨好的粉体置于石墨模具中，采用放电等离子烧结工艺在300~500℃烧结，保温0~30分钟制备出硫化铋多晶块体。放电等离子烧结加热速度快，抑制了晶粒长大和融合，使单晶纳米棒结构被保留在多晶块体中，形成载流子迁移的快速通道，大幅提高硫化铋多晶的电传输性能和热电性能，该方法具有所需设备简单，易操作，成本低，效果显著等优点。
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公开(公告)号：CN102352497A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110227386.6
申请日：2011-08-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种金银纳米颗粒分散氧化物非线性光学薄膜及制备方法，属于金属纳米颗粒与氧化物复合材料领域。本发明提供一种金银合金纳米颗粒分散氧化物非线性光学薄膜，其特征是化学成分组成通式为AgxAuy/(Co3O4)1-x-y，其中x、y分别表示Ag、Au组成元素的摩尔分数，x的取值范围为0.01~0.60，y的取值范围为0.01~0.60，1-x-y的取值范围为0.20~0.98。金银纳米颗粒以合金的形式分散于四氧化三钴基体中，金银合金颗粒直径均为1～500nm。通过改变金银组成元素的摩尔分数调控合金吸收峰的峰位，薄膜在350～650nm波段出现吸收峰，表现出具有优良的非线性光学性质，增加了非线性光吸收的波长选择范围。
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