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公开(公告)号：CN102621617B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210050394.2
申请日：2012-02-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
Abstract: 本发明提供了一种可电场调控宽波反射的液晶圆偏振片的制造方法，属于功能材料液晶显示技术领域。该方法通过将一维纳米材料与胆甾相液晶混合并灌注液晶盒或薄膜中，施加不同电场来控制反射波宽。其优点在于成分和工艺简单，偏振片的反射波宽可根据实际需要通过电场进行控制，并可实现可逆调控。可应用在功能薄膜和器件上，如智能玻璃、电子纸张、液晶显示器光增量膜等。
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公开(公告)号：CN101692478B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200910180636.8
申请日：2009-10-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种非化学计量比Bi-Ag-S系热电材料及制备方法，属于能源材料技术领域。本发明提供了一种制备非化学计量比Bi-Ag-S材料的方法，其特征是：以高纯金属单质Bi、Ag粉末及高纯S粉为原料，按照化学通式Bi2-xAgxS3或BiAg3S3-y配置(其中x为Ag组成元素的摩尔分数，x取值范围为0.001≤x≤1，y为硫元素欠量的摩尔分数，y＝1.5)，采用机械合金化法(MA)合成化合物粉体，通过放电等离子烧结(SPS)制备块体。该方法能够简单、方便、精确地制备出非化学计量比的Bi-Ag-S系块体材料，通过组分非化学计量比控制材料载流子浓度和主要载流子种类，提高热电性能。
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公开(公告)号：CN101717118A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910237331.6
申请日：2009-11-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种CuCrS2纳米粉体的制备方法，属于纳米材料技术领域。本发明以Cu粉(质量百分比≥99.9％)、Cr粉(质量百分比≥99.9％)和S粉(质量百分比≥99.5％)作原料，按照最终产物的化学计量比Cu∶Cr∶S＝1∶1∶2(摩尔比)配置，混合后放入行星式球磨机，在一定的转速下干磨合成化合物粉体，然后加入一定量的无水乙醇进行湿磨，烘干后得到CuCrS2纳米粉体，颗粒大小均匀，颗粒尺寸为5～990nm。该制备方法的优点是：原料廉价易得；制备过程简单，时间短，易于操作；对设备和制备环境要求低；粉末颗粒尺寸均匀、可控。
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公开(公告)号：CN101704672A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910237330.1
申请日：2009-11-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , H01L35/16 , H01L35/24
Abstract: 本发明公开了一种Cu-Cr-S三元热电材料及其制备方法，属于能源材料的技术领域。本发明是将Cu、Cr和S按照化学计量比CuCrSx配置，其中x的取值范围1.0≤x≤2.5。以Cu粉(质量百分比≥99.9％)、Cr粉(质量百分比≥99.9％)和S粉(质量百分比≥99.5％)作原料，通过机械合金化合成化合物粉体，然后通过放电等离子烧结块体。本发明技术的特点是通过调节硫空位的浓度，优化材料的载流子浓度，提高电导率和Seebeck系数，机械合金化与放电等离子烧结成相结合制备纳米结构块体材料则有利于降低热导率，取得较高的热电优值。该制备方法所用原料廉价，制备过程简便，易于操作，对设备和制备环境要求低，周期短，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN102443848B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210020143.X
申请日：2012-01-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种提高硫化铋多晶热电性能的方法，属于能源材料技术领域。其特征是：以机械合金化法制备的硫化铋纳米粉体与水热法合成的（001）取向的单晶硫化铋纳米棒粉体混合，在无水乙醇中超声分散10~200分钟，烘干后在玛瑙研钵中手工研磨10~100分钟。将研磨好的粉体置于石墨模具中，采用放电等离子烧结工艺在300~500℃烧结，保温0~30分钟制备出硫化铋多晶块体。放电等离子烧结加热速度快，抑制了晶粒长大和融合，使单晶纳米棒结构被保留在多晶块体中，形成载流子迁移的快速通道，大幅提高硫化铋多晶的电传输性能和热电性能，该方法具有所需设备简单，易操作，成本低，效果显著等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102002757B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010506696.7
申请日：2010-10-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种控制硫化铋多晶热电材料织构的方法，属于能源材料技术领域。其特征是：以硝酸铋和硫代硫酸钠为原料，乙二胺为pH值调节剂，去离子水和无水乙醇为溶剂，在160~200℃水热反应6~72小时，制备出沿[001]取向的单晶硫化铋纳米棒，纳米棒尺寸为直径50~400nm，长度为500~5μm，然后将纳米棒粉体用放电等离子烧结技术，在压力10~80MPa,温度250~550℃下烧结，无保温时间，单晶纳米棒结构在块体中得以保留，并沿水平方向排列，制备出高织构度的硫化铋块体材料，并且织构度可控。该方法能够简单、方便地制备出具有织构度可控的硫化铋块体热电材料，从而优化材料的载流子迁移率，并提高其电传输性能和热电性能的热稳定性。
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公开(公告)号：CN101704672B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910237330.1
申请日：2009-11-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , H01L35/16 , H01L35/24
Abstract: 本发明公开了一种Cu-Cr-S三元热电材料及其制备方法，属于能源材料的技术领域。本发明是将Cu、Cr和S按照化学计量比CuCrSx配置，其中x的取值范围1.0≤x≤2.5。以Cu粉(质量百分比≥99.9％)、Cr粉(质量百分比≥99.9％)和S粉(质量百分比≥99.5％)作原料，通过机械合金化合成化合物粉体，然后通过放电等离子烧结块体。本发明技术的特点是通过调节硫空位的浓度，优化材料的载流子浓度，提高电导率和Seebeck系数，机械合金化与放电等离子烧结成相结合制备纳米结构块体材料则有利于降低热导率，取得较高的热电优值。该制备方法所用原料廉价，制备过程简便，易于操作，对设备和制备环境要求低，周期短，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN102674842A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210148701.0
申请日：2012-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/547
Abstract: 一种Cu-S-Se三元热电材料及制备方法，属于能源材料技术领域。本发明提供了一种制备三元Cu-S-Se热电材料的方法，其特征是：以高纯金属单质Cu粉末及高纯Se和S粉为原料，按照化学通式Cu1.8S1-xSex配置（其中x为Se组成元素的摩尔分数，x取值范围为0.01≤x≤0.99），采用机械合金化法合成化合物粉体，通过放电等离子烧结制备块体。该方法能够简单、方便、精确地制备Cu-S-Se三元块体材料，该三元系热电材料具有优异的中温区热电性能。
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公开(公告)号：CN102621617A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210050394.2
申请日：2012-02-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
Abstract: 本发明提供了一种可电场调控宽波反射的液晶圆偏振片的制造方法，属于功能材料液晶显示技术领域。该方法通过将一维纳米材料与胆甾相液晶混合并灌注液晶盒或薄膜中，施加不同电场来控制反射波宽。其优点在于成分和工艺简单，偏振片的反射波宽可根据实际需要通过电场进行控制，并可实现可逆调控。可应用在功能薄膜和器件上，如智能玻璃、电子纸张、液晶显示器光增量膜等。
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公开(公告)号：CN102320647A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110236749.2
申请日：2011-08-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种不同化学计量比的硫化铜纳米粉体的制备方法，属于纳米材料技术领域。其特征是：以金属单质铜粉（质量分数大于99.9%）和单质硫粉（质量分数大于99.8%）为原料，按照化学通式Cu2-xS配置，x表示(-0.5≤x≤1.5)配比，在氩气气氛保护下，球磨转速为100~425rpm球磨5~600min，获得化学计量比可调的单相硫化铜纳米粉体，尺寸为1~500nm。该方法所需原料廉价易得，设备简单易操作，工艺流程短，能够方便、快速地大规模生产不同化学计量比的硫化铜纳米粉体，具有很大的应用前景。
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