一种气体驱动的可自动升降搅拌装置

    公开(公告)号:CN116121845A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202211704586.0

    申请日:2022-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种气体驱动的可自动升降搅拌装置,该装置包括壳体、升降杆、转轴、涡轮、活塞。其中,壳体的最上部是压力腔,压缩气体可通过气路进入压力腔控制升降杆的升降,涡轮安装固定在转轴上,涡轮上下通过转轴各配置一个活塞,转轴顶部与升降杆下部连接同一活塞。涡轮处设计有进气口与出气口,压缩气体可进入推动涡轮旋转。本发明装置同时设有升降与搅拌的双重功能,且都是压缩气体驱动,既解决了电力驱动搅拌装置容易短路、易腐蚀、难以适应高温高压环境的问题,又可以通过升降装置实现反应溶液的间断性搅拌。引入压缩气体作为驱动动力,不仅降低了升降旋转装置的加工制造成本,而且增加了设备的安全运行性。

    像素点对选择方法、设备及计算机可读存储介质

    公开(公告)号:CN113596429B

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202110855539.5

    申请日:2019-08-27

    Inventor: 王琦

    Abstract: 本发明提供一种像素点对选择方法、设备及计算机可读存储介质。其中,参数获取方法包括:确定色度预测块对应的N个像素点集合,以及亮度预测块对应的N个像素点集合,所述色度预测块与所述亮度预测块对应,N为大于1的整数;根据所述色度预测块对应的N个像素点集合,以及所述亮度预测块对应的N个像素点集合,获取N组参数,所述N组参数用于预测所述色度预测块的色度值。本发明可以增加参数获取的组数,从而可以提高获取到的参数的准确性。

    三色氮化物发光二极管的制造方法

    公开(公告)号:CN115881863A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202211655380.3

    申请日:2022-12-22

    Abstract: 本发明公开一种三色氮化物发光二极管的制造方法,包括在衬底上进行外延生长功能层和发光层;通过区域选择性刻蚀,形成第一区域、第二区域和第三区域,分别使第一区域、第二区域和第三区域为第一发光层、第二发光层和第三发光层;在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积透明导电薄膜层;对第一区域、第二区域和第三区域进行刻蚀形成台面结构;在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积电介质层,电介质层不完全覆盖透明导电薄膜层;分别在第一区域、第二区域和第三区域的未被电介质层覆盖的透明导电薄膜层的表面沉积电极。本发明使一种芯片具有三种不同的发光区域,减少芯片尺寸缩小后的芯片拣选次数,实现更小型的LED显示应用。

    一种金刚石上薄层器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN115831746A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211630556.X

    申请日:2022-12-19

    Abstract: 本发明公开一种金刚石上薄层器件及其制备方法,包括如下步骤:在蓝宝石衬底上生长薄层器件外延结构;利用离子注入形成离子掩埋层;进行源电极和漏电极制作;进行栅电极制作;淀积氮化硅介质层;沉积金刚石材料层,加热过程中,外延材料从离子掩埋层中分离开,形成金刚石/氮化镓薄层器件;利用激光方法在源漏栅区进行开窗口,用于电路引线,形成正装结构、正向引线的氮化镓薄层器件。本发明精确控制剥离氮化物外延层器件的厚度,实现薄层器件直接转移器件到金刚石材料上,利用金刚石材料直接生长与结合离子注入分离传统衬底,解决现在薄层氮化镓材料或者器件与金刚石材料结合技术路线中应力大、剥离精度不高、不合适量产、散热不好的问题。

    柔性软排线电镀方法
    87.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112951509B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202110102600.9

    申请日:2021-01-26

    Abstract: 本发明涉及柔性软排线电镀领域,特别是涉及一种柔性软排线电镀方法,包括如下步骤:准备金属箔;贴合软导电丝;贴合柔性软排线;压实金属箔;电镀处理;分离处理。本发明提供一种柔性软排线电镀方法,使柔性软排线的镀层结晶更细致、均匀、致密,可以达到更好的防护效果。

    一种超薄氮化镓肖特基二极管材料结构

    公开(公告)号:CN114335194A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111630619.7

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 本申请公开了一种超薄氮化镓肖特基二极管材料结构,包括衬底材料层、氮化铝薄膜层、N型氮化镓薄膜层、金属欧姆接触层和金属肖特基接触层;其中所述衬底材料层顶侧设置有氮化铝薄膜层,所述氮化铝薄膜层顶侧设置有N型氮化镓薄膜层,所述N型氮化镓薄膜层右端顶侧设置有金属欧姆接触层,与其对应的所述N型氮化镓薄膜层左端顶侧设置有金属肖特基接触层。该种超薄氮化镓肖特基二极管材料结构设计新颖、结构简单,解决现有氮化镓上材料器件可靠性问题,可以实现高质量高耐压肖特基二极管,可以有效避免传统器件材料的缓冲层及掺杂层,直接通过氮化薄膜铝层把器件功能层与衬底材料层结合在一起,实现低成本,低应力,高均匀性的器件材料。

    用于调控晶圆外延生长均匀性的装置及方法

    公开(公告)号:CN114318524A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111629561.4

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 本发明涉及一种用于调控晶圆外延生长均匀性的装置及方法,该用于调控晶圆外延生长均匀性的装置包括加热炉、托盘、支撑杆、温度传感器、引线及温度控制模块,托盘与支撑杆均安装于加热炉内,托盘用于放置生长晶圆或测温晶圆,支撑杆连接托盘,支撑杆用于驱动托盘转动;温度传感器安装于托盘上,引线的一端连接温度传感器,另一端连接温度控制模块,引线穿设支撑杆,并用粘接剂密封;工作时,生长晶圆或测温晶圆用于放置于温度传感器上。本装置通过温度传感器实时监测生长晶圆或测温晶圆的表面温度,且将监测的温度在线反馈至温度控制模块进行控温,测温和控温精确,确保调控晶圆外延生长的均匀性,实现大尺寸晶圆生长的一致性。

    光缆密封连接装置
    90.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114089477A

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202111340748.2

    申请日:2021-11-12

    Inventor: 何向阁 张敏 王琦

    Abstract: 本发明涉及光缆连接技术领域,尤指一种光缆密封连接装置,包括上光缆、上连接组件、续接组件、下光缆及下连接组件;续接组件具有容纳腔,上光缆通过上连接组件伸入至该容纳腔内;下连接组件可拆卸地连接于续接组件,下光缆通过下连接组件伸入至该容纳腔内与上光缆熔接;下连接组件具有与容纳腔连通的密闭腔,下连接组件设有与密闭腔连通的打压孔,该打压孔可供打压测试。本发明解决铠装光缆的密封耐压连接问题,可以在施工现场进行制作。

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