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公开(公告)号：CN105071786B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510460010.8
申请日：2015-07-30
Applicant: 北京大学
IPC: H03K3/012
Abstract: 本发明涉及一种采用半周期预充电补偿技术的电阻电容型弛豫振荡器，利用计时电容器在每个周期中空闲的半个周期进行预充电以补偿比较器和锁存器产生的延迟时间td，包括一个参考电压产生电路、两个计时电容器充放电电路、两个参考电压切换电路、两个比较器、一个SR锁存器、一个充放电控制逻辑产生电路和两个输出缓冲器；在振荡器控制信号上升沿到来之后的第一个振荡周期，振荡频率为1/(2RC+td)，从第二个周期开始，振荡频率为消除了延迟时间td后的频率1/(2RC)。本发明可以从根本上消除比较器和SR锁存器产生的延迟时间td在振荡器周期中引入的误差，提高了振荡器的频率精度。
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公开(公告)号：CN104880706B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410218525.2
申请日：2014-05-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于片上定向耦合器的调频连续波雷达，包括锁相环、压控振荡器、功率放大器、低噪声放大器、混频器、中频放大器、数字处理模块和天线，所述锁相环的输出端与所述压控振荡器的输入端相连，所述压控振荡器的输出端分别与所述功率放大器的输入端、所述混频器的输入端相连，所述低噪音放大器的输出端与所述混频器的输入端相连，所述混频器的输出端与所述中频放大器的输入端相连，所述中频放大器的输出端与所述数字处理模块的输入端相连，还包括定向耦合器，所述定向耦合器分别与所述功率放大器、所述低噪音放大器及所述天线相连。本发明的雷达结构，具备兼容性高，成本低，可集成度高，适合芯片等特点。
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公开(公告)号：CN104362095B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410616285.1
申请日：2014-11-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中，采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区，且相比标准CMOS IC工艺，增加了一块用于注入N—的掩膜版，通过在沟道较深处注入N—隔离区，实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离，同时不影响器件性能和器件面积。
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公开(公告)号：CN104332409B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201410616283.2
申请日：2014-11-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/761
Abstract: 本发明公开了一种基于深N阱工艺来隔离隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该方法有效利用了标准CMOS IC工艺中现有的工艺，采用深N阱以及STI区注入N阱的设计，在不增加任何掩膜版和工艺步骤的基础上，实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离，同时不影响器件性能。
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公开(公告)号：CN103281039B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310129783.9
申请日：2013-04-15
Applicant: 北京大学
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明公开一种采用延迟控制泄放支路的差分E类功率放大器，该功率放大器在差分支路设置并联的晶体管组成电流泄放支路，在泄放支路的信号控制端接入电感使控制信号产生相位延迟。本发明利用辅助泄放支路以降低寄生电阻的影响，提高功率放大器的效率；利用电感对控制信号进行延迟，以优化晶体管在不同时间的功率损失。本发明的E类功率放大器具有结构简单、效率高、制造成本低和便于在片集成的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105515386A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510891797.3
申请日：2015-11-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于环形振荡器的DC-DC转换器,用环形振荡器的理论来实现DC-DC转换器的控制。该DC-DC转换器利用其反馈控制环路的自由振荡，产生控制开关管通断的信号，无外加脉冲信号；通过一个比较器稳定输出电压。本发明的DC-DC转换器控制电路产生的功耗很小，可以在很宽负载范围内实现高转换效率；该DC-DC转换器控制电路简单，无稳定性问题，不需要补偿电路；该DC-DC转换器占用更小的芯片面积，节约成本；该DC-DC转换器具有较快的响应速度和较小纹波。
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公开(公告)号：CN102832992B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201110157966.2
申请日：2011-06-13
Applicant: 北京大学
IPC: H04B10/60 , H01L27/144
Abstract: 本发明涉及一种基于标准CMOS工艺全集成光电转换接收机。包括光电探测器、跨导放大器、均衡器、多级限幅器、DCOC处理电路、输出缓冲器、斜率探测器、误差放大器；所述光电探测器的P端接地、N端与所述跨导放大器输入端连接，所述跨导放大器经一高通电路与所述均衡器的差分输入端连接，所述均衡器输出端经所述多级限幅器与所述输出缓冲器的差分输入端连接；所述输出缓冲器的差分输入端经所述DCOC处理电路与所述均衡器的输出端连接。能够适应于更高数据率传输，改善Jitter和误码率并能够实现了自适应调节。可广泛应用于通信技术领域。
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公开(公告)号：CN103138037B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201110399962.5
申请日：2011-12-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01P5/18
CPC classification number: H01P5/187
Abstract: 本发明提供一种基于标准CMOS工艺的集成定向耦合器。该集成定向耦合器包括：第一层线圈，两端分别为输入端和直通端，其间设有可调电容阵列，用于频率调谐；第二层线圈，两端分别为耦合端和隔离端，其间设有可调电容阵列，用于隔离度调谐。两层线圈均为同心多圈结构，相邻两圈的交叉部分跨接。第一层线圈的金属线中心正对所述第二层线圈的金属线间距中心，呈立体结构。所述直通端和所述耦合端的空间距离小于所述输入端和所述隔离端的空间距离。该集成定向耦合器可在硅基CMOS/BiCMOS工艺上单芯片集成，具有插入损耗小、隔离度大、定向性好、调谐性强、适用性强、成本低的特点。
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公开(公告)号：CN104332409A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410616283.2
申请日：2014-11-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/761
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/761 , H01L29/1033
Abstract: 本发明公开了一种基于深N阱工艺来隔离隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该方法有效利用了标准CMOS IC工艺中现有的工艺，采用深N阱以及STI区注入N阱的设计，在不增加任何掩膜版和工艺步骤的基础上，实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离，同时不影响器件性能。
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公开(公告)号：CN102403971B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201010286327.1
申请日：2010-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: H03G3/20
Abstract: 本发明公开了一种增益自动控制解调电路，属于射频集成电路领域。本发明的电路包括可变增益放大器、解调环路、缓冲器、电荷泵；其中，所述可变增益放大器的输出端与所述解调环路的输入端连接、所述解调环路的输出端与所述缓冲器的输入端连接、所述缓冲器的输出端与所述电荷泵的输入端连接、所述可变增益放大器的控制端与所述电荷泵的输出端连接。与现有技术相比，本发明具有结构简单、功耗低、易于实现和对输入信号的功率自调节范围大的优点。
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