公开(公告)号：CN103855200A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210506054.6

申请日：2012-11-30

Applicant: 上海联星电子有限公司 ,  中国科学院微电子研究所 ,  江苏中科君芯科技有限公司

Inventor： 褚为利 ,  朱阳军 ,  左小珍 ,  赵佳 ,  吴振兴 ,  田晓丽

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66333

Abstract: 发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：基底，所述基底内形成有基区和主结，所述基区内形成有发射区；发射极金属电极，所述发射极金属电极形成于所述基区和发射区表面，且与所述基区和发射区电连接；第一场板，所述第一场板覆盖所述主结，且与所述发射极金属电极电连接。本发明提供的半导体器件的靠近过渡区主结的基区处存在一个电流通路，为半导体器件在开启过程和关断过程中出现的动态雪崩电流提供了电流泄放通路，从而避免动态雪崩电流使半导体器件失效，改善了半导体器件的性能。而且，第一场板覆盖主结的同时与基区电连接，第一场板电位恒为零，增强了第一场板的电场屏蔽作用，从而提高半导体器件的反向耐压能力。

公开(公告)号：CN103855089A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210519817.0

申请日：2012-12-06

Applicant: 江苏物联网研究发展中心 ,  中国科学院微电子研究所 ,  江苏中科君芯科技有限公司

Inventor： 朱阳军 ,  田晓丽 ,  张文亮 ,  吴振兴

IPC: H01L21/8222 ,  H01L27/082 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/8222 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0615

Abstract: 一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法，该方法包括：提供一重掺杂衬底，在所述重掺杂衬底表面上形成缓冲层，所述缓冲层的厚度大于1μm，峰值浓度为1e14/cm3～3e16/cm3，减薄所述重掺杂衬底。由于所述缓冲层的厚度可以根据器件的耐压水平做的更厚，而浓度可以做的更加精确，所以可以进一步的优化逆导型绝缘栅双极晶体管的通态压降和导通损耗，改善所述逆导型绝缘栅双极晶体管的性能。

公开(公告)号：CN103839993A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310086355.2

申请日：2013-03-18

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  上海联星电子有限公司 ,  江苏中科君芯科技有限公司

Inventor： 褚为利 ,  朱阳军 ,  田晓丽 ,  张文亮 ,  陆江

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0623 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明公开了用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区，包括：在正面结构中，包括衬底、场限环、覆盖场限环的氧化层或者钝化层、绝缘栅双极晶体管IGBT元包的基区、IGBT元包的发射极及发射极金属电极，所述场限环的掺杂类型与衬底相反，IGBT元包的基区掺杂类型与衬底相反，IGBT元包的发射极掺杂类型与衬底相同；在背面结构中，采用一层掩膜版对有源区的背面进行P型注入，形成P型发射极，而终端区发射极的位置保持N型掺杂。本发明还公开了另外两种用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区。本发明将终端背面的集电区P型层用绝缘物质代替，避免了器件关断过程中元包发生闩锁并最终失效。

公开(公告)号：CN103839989A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310085560.7

申请日：2013-03-18

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  上海联星电子有限公司 ,  江苏中科君芯科技有限公司

Inventor： 田晓丽 ,  朱阳军 ,  吴振兴 ,  陆江

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02612 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明公开了一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。所述低压IGBT包括P+型衬底、N+缓冲层、N-漂移区和正面结构；N+缓冲层在P+型衬底上，N-漂移区在N+缓冲层上，正面结构在N-漂移区的上方。所述方法包括：在均匀掺杂的P+型衬底上外延生长N+缓冲层，并抛光N+缓冲层的表面；将N-单晶硅片减薄，并抛光其表面；通过键合的方式将N+缓冲层与N-单晶硅片合成一个整体；在N-单晶硅片上制作正面结构。本发明通过键合的方式形成基底材料，只需要进行一次外延工艺，且生长的外延层厚度较薄，降低了制造成本，保证了外延质量，提高了器件性能。

公开(公告)号：CN103839803A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310085579.1

申请日：2013-03-18

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  上海联星电子有限公司 ,  江苏中科君芯科技有限公司

Inventor： 赵佳 ,  朱阳军 ,  陆江 ,  卢烁今 ,  田晓丽

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66325

Abstract: 本发明公开了一种平面型IGBT结构的制备方法，属于半导体技术领域。该方法为：在N-型衬底上开出一窗口区域，在窗口区域通过硅的选择氧化方法淀积氧化层，在N-型衬底和窗口区域的上表面均生长栅氧层，在栅氧层上淀积多晶硅层，将窗口区域以外的多晶硅层形成栅极，通过离子注入法，在N-型衬底的上表面依次形成P-基区和N-注入区，在多晶硅层的表面依次淀积层间氧化层和金属层，形成发射极，在N-型衬底的背面，通过离子注入法依次形成N型缓冲层和p-集电极区，在N-型衬底的背面，淀积背面金属层。本发明在硅表面以下生长氧化层，通过增加电容介质的厚度，减小密勒电容，改善了传统工艺中造成材料断裂的问题。

公开(公告)号：CN103681819A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210345357.4

申请日：2012-09-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张文亮 ,  朱阳军 ,  卢烁今 ,  赵佳 ,  田晓丽 ,  吴振兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明公开了一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该绝缘栅双极性晶体管包括集电极、发射极、P-基区、N+缓冲侧、N-漂移区和栅极，栅极在沟槽内，栅极与N-漂移区、P-基区和发射极通过绝缘层电学隔离；其中，栅极由多晶硅组成，在沟槽内多晶硅栅上镶嵌一个以上不连续的绝缘体。本发明利用梳状栅结构减小了沟槽密度，从而提高抗短路能力。同时保持较高的栅密度，从而保证器件击穿电压下较小；同时，减小了器件的寄生电容，使器件有较高的开关速度。

公开(公告)号：CN102842609A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201110166489.6

申请日：2011-06-20

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 田晓丽 ,  朱阳军 ,  吴振兴 ,  卢烁今

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/402 ,  H01L29/405

Abstract: 本发明公开了一种结终端延伸结构，包括：第一导电类型的集电区；集电区上的第二导电类型的漂移区；漂移区上的第一导电类型的主结区以及主结区一侧的第一导电类型的延伸区；延伸区之外的第二导电类型的截止环；以及至少部分覆盖所述主结区之外区域的叠层结构，所述叠层结构包括氧化物层和场板，所述场板为位于至少部分延伸区以及延伸区与截止环之间的至少部分区域之上的连续结构，所述场板用于屏蔽界面电荷、改善表面电场分布。通过场板结构屏蔽延伸区及其外侧界面电荷的影响，改善表面电场，保证器件的击穿电压并提高器件的可靠性，可应用于高压(4500V及其以上)IGBT器件的保护终端。

公开(公告)号：CN118348376A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410425697.0

申请日：2024-04-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汤益丹 ,  刘新宇 ,  白云 ,  李轩 ,  田晓丽 ,  郝继龙 ,  杨成樾

IPC: G01R31/26 ,  G06F30/20 ,  G06F111/06

Abstract: 本公开提供了一种功率器件地面模拟空间环境下带电粒子辐照协同效应的试验方法。该方法包括：基于针对不同结构类型的器件的多次单一辐照试验的试验结果，确定不同结构类型的器件的单粒子、总剂量、质子辐照时对功率器件失效瞬态内部物理变化过程的对应关系数据库，得到第一对应关系；基于针对不同结构类型的器件的多次双辐照协同耦合试验的试验结果，确定器件结构与多个双重辐照协同效应之间的对应关系，得到第二对应关系；基于针对不同结构类型的器件的退火试验的试验结果，确定器件在试验后存在的缺陷类型；基于不同结构类型的器件的缺陷类型、第一对应关系和第二对应关系，确定与器件结构的缺陷机制对应的辐照协同效应。

公开(公告)号：CN117832270A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311595219.6

申请日：2023-11-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 邱乐山 ,  白云 ,  刘新宇 ,  汤益丹 ,  郝继龙 ,  杨成樾 ,  田晓丽

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/552 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，包括：衬底；位于衬底底部的漏极；位于衬底上外延层；位于外延层中、靠近外延层上表面且呈轴对称的两个P基区；位于P基区中的源区和短路区；位于外延层上的第一栅极绝缘介质层；位于第一栅极绝缘介质层上的第二栅极绝缘介质层；位于第二栅极绝缘介质层上的栅极；位于栅极、部分第一栅极绝缘介质层和部分第二栅极绝缘介质层上的层间介质；位于层间介质、短路区和部分源区上的源极；其中，第二栅极绝缘介质层包括低介电常数介质层和高介电常数介质层，高介电常数介质层设置于低介电常数介质层的外周侧并在外延层轴心线的延伸方向上与靠近外延层上表面的部分P基区相对设置。

公开(公告)号：CN117712166A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311482105.0

申请日：2023-11-08

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 邱乐山 ,  白云 ,  刘新宇 ,  汤益丹 ,  郝继龙 ,  杨成樾 ,  田晓丽

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，包括：衬底；位于衬底底部的漏极；位于衬底上的外延层；位于外延层中、靠近外延层上表面且呈轴对称的两个P基区；位于P基区中的源区和短路区；位于外延层背离衬底一侧的栅极绝缘介质层；位于外延层上的分隔栅极；位于栅极绝缘介质层和分隔栅极上的层间介质；位于层间介质、短路区和部分源区上的源极；位于外延层中、沿外延层的轴心线的延伸方向与栅极绝缘介质层相对设置的注入区。通过设置注入区能够对栅极绝缘介质层进行遮蔽，减轻了分隔栅极受单粒子效应的影响，以使器件在单粒子辐照过程中的栅极漏电流减小；同时为电子空穴对提供了泄露路径，以避免器件受单粒子辐照而烧毁失效。