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公开(公告)号：CN103904932B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410164513.6
申请日：2014-04-23
Applicant: 东南大学
IPC: H02N1/06
Abstract: 本发明公开了一种静电式振动能量收集器及其制作方法，采用在电荷陷阱型非易失性存储器结构(10)上表面通过支撑结构(21)设置盖板(22)构成腔体，在腔体内设置有可动金属电极(23)，可动金属电极（23）能够在电荷陷阱型非易失性存储器结构(10)表面运动，储存在电荷陷阱型非易失性存储器结构中的电荷极化可动金属电极。本发明提供的静电式振动能量收集器无需外加电源，设计和结构简单，具有高的能量采集效率，与CMOS工艺兼容，易于微型化，可靠性高，并能应用于高温、高湿等恶劣环境。
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公开(公告)号：CN119797774A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411787548.5
申请日：2024-12-06
Applicant: 东南大学
IPC: C03C17/36 , H01M10/42 , H01M10/0562 , H01M10/058 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种用于制备全固态薄膜储能器件的界面改性方法，属于储能器件制备领域。该方法通过氧等离子体处理在锂磷氧氮化物表面形成磷酸锂/氧化锂复合膜作为锂磷氧氮化物/阳极界面之间的缓冲层，有效降低了锂磷氧氮化物的界面阻抗，并抑制了电子在电解质之间的传输。与磷酸锂或氧化锂等单一缓冲层相比，氧等离子体处理工艺可以一步生成复合缓冲层，工艺简单，而且生成的复合缓冲层借鉴了磷酸锂和氧化锂二者的优点，规避了二者的缺点，该复合缓冲层具有高锂离子电导率、高化学稳定性、高机械性能、低电子电导率等优点。
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公开(公告)号：CN118392382A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410867038.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，该传感器包括三层压敏薄膜，中间层厚度大于顶层压敏薄膜厚度，每层压敏薄膜的上表面分别设有压敏电阻；顶层与中间层压敏薄膜之间为气体缓冲腔，中间层与底层压敏薄膜以及底层压敏薄膜与传感器的底部衬底之间分别设置真空腔，三层压敏薄膜与气体缓冲腔、真空腔在厚度方向上的投影均重合。本发明采用三层压力敏感薄膜设计，结合气体缓冲腔设计，使气体缓冲腔周围的两层薄膜在其最佳的工作范围内都能提供近线性响应，在不影响传感器灵敏度的前提下，拓宽了传感器的线性工作区间。此外，弹性的气体腔室还可以有效地缓解局部的压力尖峰，从而消除尖峰压力带来的非线性响应。
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公开(公告)号：CN118011199A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410084140.5
申请日：2024-01-19
Applicant: 东南大学
IPC: G01R31/327 , G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种自矫正的RF MEMS开关可靠性测试系统，包括信号输入模块、用于可靠性测试实验的RF MEMS开关、信号监测模块、信号采集反馈模块。其中，信号输入模块一方面提供驱动波形控制可靠性测试实验RF MEMS开关的导通和断开，另一方面在开关输入端口提供所需的射频信号；信号监测模块用于监测实时的开关输出端信号，以及开关驱动信号、输入输出端电阻、温度等参数，并传输给信号采集反馈模块完成最终实验数据的计算整理、存储和分析，并根据测得RF MEMS开关吸合电压变化情况，自动反馈调节信号输入模块提供的驱动波形的占空比，从而控制RF MEMS开关在测试过程中的充电效应。
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公开(公告)号：CN113848001B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202111072848.1
申请日：2021-09-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种RF谐振压力传感器，包括敏感RF谐振器、RF谐振器和共面波导端口，敏感RF谐振器和RF谐振器形成对称弱耦合结构。本发明采用了对称弱耦合状态的RF谐振器，基于模态局域化原理，其谐振信号幅值将随施加的压力剧烈变化，因此传感器灵敏度极高；传感器工作在RF频段，因此不易受工频等低频信号干扰；传感器结构只包含金属和高阻衬底，传感器敏感结构受温漂的影响小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114235233A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111541027.8
申请日：2021-12-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器及其制备方法，主要包括体硅层、埋氧层、顶硅层、压敏电阻、重掺杂区、绝缘介质层、压焊块和钝化层；顶硅层中心位置设有大空腔，并在大空腔四边中心位置的上方设有小空腔；大空腔上方的顶硅层和绝缘介质层构成压力敏感薄膜；压力敏感薄膜上表面设置十字梁结构，在所述的十字梁结构四个端部设置有压敏电阻、重掺杂区和金属引线，各组压敏电阻通过重掺杂区与金属引线形成惠斯通电桥；所述的十字梁结构抑制了压力敏感薄膜的形变，进而提高了线性度；所述的小空腔结构提高了压敏电阻区域的应力集中，使得传感器在保持微型化的同时提高了灵敏度；此外该传感器制备方法与CMOS与MEMS工艺兼容，节约成本。
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公开(公告)号：CN114235231A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111540689.3
申请日：2021-12-16
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明的目的是提出一种单片集成压力传感器、制备及封装方法，首先在SOI硅片上制备信号调理电路、压敏电阻、金属引线、第一压焊块以及第一密封环；然后在一块玻璃基片上进行刻蚀腔体、通孔以及导电金属填充，制备第二压焊块、金属触点以及第二密封环；最后通过第一密封环与第二密封环对准键和方式，将加工好的SOI硅片键合在已填充金属的玻璃基片上，其中在SOI硅片上的第一压焊块与玻璃基片上的第二压焊块通过玻璃通孔及金属触点与外部电路实现电连接，进而构成了单片集成压力传感器，同时实现了该压力传感器的三维封装。本发明不仅降低封装难度、增强电学通讯可靠性、优化传感器的传感性能，还具有更高的集成度、降低体积和制造成本。
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公开(公告)号：CN114061797A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111361809.3
申请日：2021-11-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种双电桥结构MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，在敏感薄膜的上表面和下表面分别制备四个压敏电阻，上表面和下表面的各压敏电阻分别正对设置，且相互正交排布；同一表面的四个压敏电阻分别正对敏感薄膜各边缘的中心位置。敏感薄膜下表面的四个压敏电阻的两端分别通过金属引线与结构上表面的电极层电连接，金属引线上设有绝缘层。上表面和下表面两组压敏电阻形成两组惠斯通电桥。本发明在不减小传感器的敏感薄膜厚度以及不增加传感器敏感薄膜的面积的前提下，有效提升了传感器的灵敏度，有助于改善传感器的可靠性能，提高传感器的集成度，降低传感器的面积和成本，简洁的布线进一步保证传感器的精度不受影响。
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公开(公告)号：CN113903982A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111171771.3
申请日：2021-10-08
Applicant: 东南大学
IPC: H01M10/0525 , H01M10/058
Abstract: 本发明公开了一种微型全固态锂离子电池及制备方法，结构包括依次层叠设置的负极集流体、负极层、固态电解质层、正极层、正极集流体层；还包括包裹整体层叠结构的钝化层，在钝化层外侧还包裹柔性防水保护层；还包括从外侧连通到正极集流体层表面中央的正极引出孔，以及从外侧连通到负极集流体表面中央的负极引出孔。本发明通过去除电池基底并制作柔性防水保护层，在有效释放电池充放电过程中由于体积膨胀产生的应力的同时还提升电池的能量密度，并且对电池进行良好的密封以改善其可靠性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN113701927A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111251494.7
申请日：2021-10-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种实现可靠性测试及阻值偏差补偿的压阻式传感器，包括压力敏感薄膜、压敏电阻、隧穿层，电荷存储层设置在隧穿层的上表面，并位于压敏电阻的上方，且部分覆盖压敏电阻；阻挡层完全覆盖隧穿层和电荷存储层的上表面；压阻电极设置在阻挡层的上表面，并穿过隧穿层和阻挡层上的通孔与压敏电阻电连接；调控电极设置在阻挡层的上表面，与压阻电极相间隔，并部分覆盖电荷存储层。其中，压敏电阻、隧穿层、电荷存储层、阻挡层与调控电极构成电荷型非易失性存储器结构，该结构能够实现定量调控电荷存储层中的俘获电荷数目以及通过俘获的电荷调控压敏电阻的载流子浓度进而调整压敏电阻的阻值，从而实现压敏电阻的有效修正与补偿。
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