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公开(公告)号：CN110572135A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910876649.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于极低声阻部件的高频声波谐振器及其制备方法，高频声波谐振器的制备方法包括如下步骤：1)制备极低声阻部件；2)于所述极低声阻部件的上表面上形成压电膜；3)于所述压电膜的上表面形成图案化上电极。本发明的高频声波谐振器及其制备方法，通过在压电膜下设置极低声阻部件，增大压电膜与其下方的极低声阻部件的阻抗差，可有效激发高声速弹性波(如S0波)，在加强对其界面反射的同时并将其机械能有效约束在压电膜中，从而在提高声表面波谐振器频率的同时，使其保持较高的Q值；避免了高频声表面波谐振器所激发的高声速弹性波大量向衬底泄露而导致的器件性能严重退化的问题的发生。
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公开(公告)号：CN110138356A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910576571.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高频声表面波谐振器及其制备方法，所述高频声表面波谐振器包括：高波速支撑衬底，位于所述高波速支撑衬底上表面的压电膜，及位于所述压电膜上表面的顶电极；其中，所述高波速支撑衬底中传播的体波波速大于所述压电膜中传播的目标弹性波波速。通过本发明提供的高频声表面波谐振器及其制备方法，解决了现有声表面波谐振器的工作频率较低的问题。
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公开(公告)号：CN109671612A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811359791.1
申请日：2018-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓半导体结构的制备方法，包括提供具有注入面的氧化镓单晶晶片；从注入面向氧化镓单晶晶片进行离子注入，使得注入离子到达预设深度并在预设深度处形成注入缺陷层；将注入面与高热导率衬底键合，得到第一复合结构；对第一复合结构进行退火处理，使得第一复合结构中的氧化镓单晶晶片沿着注入缺陷层剥离，由此得到第二复合结构和第三复合结构；对第二复合结构进行表面处理以除去第一损伤层，得到包括第一氧化镓层和高热导率衬底的氧化镓半导体结构。本发明还提供一种由此得到的氧化镓半导体结构。根据本发明的制备方法形成的氧化镓半导体结构，氧化镓单晶薄膜与高热导率衬底集成，有效提高了氧化镓单晶薄膜的导热性。
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公开(公告)号：CN106209003B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610527875.6
申请日：2016-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法，包括：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，得到氧化物单晶薄膜，氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）腐蚀支撑衬底以形成空腔；6）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明提供一种新的方法制备金属电极‑单晶氧化物‑金属电极的薄膜体声波滤波器核心结构，有效解决金属电极间无法制备单晶氧化物的问题。
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公开(公告)号：CN106711026A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710071303.6
申请日：2017-02-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种InP薄膜异质衬底的制备方法，至少包括：提供InP衬底，且所述InP衬底具有注入面；于所述注入面进行离子共注入，以在所述InP衬底的预设深度处形成缺陷层；提供异质衬底，将所述InP衬底与所述异质衬底进行键合，所述InP衬底的注入面为键合面；沿所述缺陷层剥离部分所述InP衬底，使所述InP衬底的一部分转移至所述异质衬底上，以在所述异质衬底上形成InP薄膜，获得InP薄膜异质衬底。通过上述方案，有效地降低剥离及转移InP薄膜所需的单一离子注入的剂量，同时避免了文献中所报道的采用零度以下低温注入的方法剥离InP材料，进而缩短了制备周期，节约了生产成本；不需要低温或高温注入，从而降低控制注入温度所需的额外能耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111817678B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010631496.8
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种单片式混合集成声波谐振器阵列及其制备方法，声波谐振器阵列包括支撑衬底；位于支撑衬底上表面的压电层；压电层包括多个厚度不相同的区域；压电层与支撑衬底接触的一面平整或压电层远离支撑衬底的一面平整；位于压电层上表面的叉指电极阵列；叉指电极阵列中几何特征相同的多个叉指电极与多个厚度不相同的区域一一对应；叉指电极阵列中几何特征不同的多个叉指电极在压电层上的对应区域的厚度相同；且几何特征不同的多个叉指电极对应的多个目标声波模式不同。本申请中声波谐振器阵列的工作频率可以同时覆盖低频、中频和高频频段，如此，可以解决实际应用中需要将分立声波谐振器进行系统级集成导致的工艺、设计复杂等问题。
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公开(公告)号：CN111880124B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010661706.8
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/00
Abstract: 本发明涉及磁场探测技术领域，本发明公开了一种高频可调节磁场探测器的制备方法。该探测器的制备方法具体如下，通过对具有二氧化硅介质层的碳化硅薄膜衬底进行图形化，进而得到待键合碳化硅薄膜衬底，并将该待键合碳化硅薄膜衬底与压电薄膜衬底进行键合，对键合后的薄膜衬底进行退火剥离，得到碳化硅‑压电薄膜结构，再通过刻蚀掉该碳化硅‑压电薄膜内部的部分二氧化硅介质层，之后通过制备叉指电极、低温快退火等工序，得到该磁场探测器。本申请提供的磁场探测器具有频率高和灵敏度高的特点。
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公开(公告)号：CN111865257B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010627339.X
申请日：2020-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种声波谐振器及其制备方法，制备方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上通过离子束剥离和键合法形成单晶薄膜层；在单晶薄膜层上外延形成高声速层；在高声速层上形成压电层；在压电层上形成图案化电极；其中，高声速层中传播的体波声速大于压电层中传播的目标弹性波声速。本申请通过在压电层下设置高声速层，可以有效提高器件的工作频率和品质因子；且利用离子束剥离和键合技术可重复转移价格昂贵或无法直接在衬底上外延得到的单晶薄膜层，如此，可以降低制备成本；同时利用外延技术在单晶薄膜层上沉积高声速层，得到约束声波能量的最佳厚度的高声速层，如此，可以提高声波谐振器的带宽和品质因子。
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公开(公告)号：CN111564533B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010264515.8
申请日：2020-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种1550nm波段单光子源的制备方法及单光子源和光学器件，本发明通过在SiC晶圆 面制备氧化硅层；离子注入；沿氧化硅表面与另一带氧化硅介质层的SiC衬底键合；退火剥离，将SiC薄膜转移至SiC衬底上；在SiC薄膜上制备掩膜，去除掩膜图案以露出SiC薄膜部分；V离子注入，再去除掩膜区域；制备C膜，再激活V离子掺杂的方法步骤，将SiC薄膜经离子注入转移至衬底上并制备1550nm通讯波段单光子源，有效克服了当前光子学平台1550nm光源制备困难、单光子源与光学器件集成困难的问题，在SiC平台上得到高均匀性、高质量的1550nm通讯光源，并实现了单光子源与器件同平台集成。
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公开(公告)号：CN112925057A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911243984.5
申请日：2019-12-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种三维集成层间光互联结构及形成方法，包括：第一功能材料层、光隔离层、第二功能材料层和层间波导；第一功能材料层与第二功能材料层之间通过光隔离层隔离；层间波导位于光隔离层中并连接第一功能材料层和第二功能材料层；第一功能材料层包含第一光波导信道、第一楔形波导和第一光栅耦合波导；第二功能材料层包含第二光波导信道、第二楔形波导和第二光栅耦合波导。本发明通过楔形波导转换至合适宽度并通过光栅耦合器将处理后的光信号传递至层间波导以实现光信号在层间的低损耗传输，具有应用范围广以及三维集成层间互联的低损耗、高消光比、高集成度的优点。
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