-
公开(公告)号：CN106026956A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610292853.6
申请日：2016-05-06
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 郭丹丹
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03G3/30
Abstract: 本发明公开了一种用于高增益放大电路的直流失调校准方法及电路。这种校准方法及电路，不需要对高增益放大电路原有的核心电路进行修改，即：与原有的核心电路相互独立，而且校准算法的实现电路均为逻辑、运算、存储等数字电路和电流镜等模拟电路，设计简单，易于实现。
-
公开(公告)号：CN106022107A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201510718900.4
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种程序执行完整性保护方法，包括：根据跳转指令，将程序分割成顺序执行的程序块，在每个程序块的起始位置插入校验值标识CK_FLAG和校验值CK_VALUE；在程序运行时，进行实时程序块校验值计算，并和预先计算好的程序块校验值进行比较，在程序块受到破坏或者没有按照预期执行程序块时给出警报信号。
-
公开(公告)号：CN106021089A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201510718951.7
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 杨念东
IPC: G06F11/36
CPC classification number: G06F11/3664 , G06F11/3688
Abstract: 本发明公开了一种补丁接口的测试方法和装置，方法包括：补丁接口参数备份步骤，用于将所述补丁接口即将传入的参数逐个备份至缓冲区A中；补丁接口运行步骤，用于根据状态标识执行补丁模块或只读存储器ROM功能模块；当状态标识表明是执行补丁模块，将通过补丁接口运行EEPROM中的补丁测试数据生成步骤；补丁测试数据生成步骤，用于将接口传入的参数逐个写入缓冲区B中；数据比较步骤，用于将缓冲区A中的数据与缓冲区B中的数据进行比较；结果确定步骤，用于确定是否正确进入到补丁，以及确定ROM中的补丁接口是否已将参数完整的传递到上述补丁测试数据生成步骤中。
-
公开(公告)号：CN106018916A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610292854.0
申请日：2016-05-06
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R19/0092
Abstract: 本发明公开了一种开关压降可配置电流检测精准的电源开关电路结构。该电源开关电路结构应用于需要外接供电电源的通信电路中。在一些电路结构中，为了提高整体电路的性能，往往需要在电路中添加一些高性能的电路模块，然而这些高性能的模块一方面不容易集成，一方面需要单独供电，所以一般会设计一些电源开关电路结构来为这些模块供电。电源开关模块为负载模块供电，并根据负载模块抽走电流的大小做出相应判断：负载电流小于一个特定的值，认为负载介入后电路工作在一种状态；当负载电流大于一个值，负载模块接入时工作在了另外一种状态。本发明的电源开关电路能够为负载模块提供可配置的开关压降，同时根据负载模块抽走的负载电流的大小来判断负载电路的工作状态，输出相应的状态信息。
-
公开(公告)号：CN103914660B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210595915.2
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F21/62
Abstract: 本发明介绍一种基于MMU实现数据保护的仿真器，涉及到芯片仿真技术领域。仿真器包括芯片功能调试模块、芯片功能模块、控制模块、寄存器、芯片MMU、FPGA MMU、接口模块、选择模块、存储器。芯片功能调试模块通过控制模块来控制芯片功能模块中的程序运行和存储器访问。在芯片MMU基础上增加RAM接口实现FPGA MMU，程序执行时修改寄存器内容，会同时改变两个MMU模块的功能，实现调试状态与芯片运行时MMU功能一致。本发明实现了存储器地址动态影射、数据实时保护的调试功能，为有安全要求的芯片仿真器设计提供一种数据保护解决方案。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102968655B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201110255705.4
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 为了获得更快的交易速度，非接触卡芯片常常希望工作在更高的时钟频率。然而非接触卡工作在不同场强下时，能够获取的最大功率是不同的。场强越大，芯片能够获得的最大功率也越大，能够支持的工作频率越高。因此需要根据场强来选择非接触卡芯片的工作频率。本发明提供一种根据芯片放电电流和电源电压选择芯片工作频率的方法，保证芯片尽可能工作在较高的频率，而且不会出现工作频率升高导致的芯片复位和反复升降工作频率的现象。
-
公开(公告)号：CN102956632B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201110255639.0
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本专利公开了一种基于SCR(Silicon Controlled Rectifier)的静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)保护结构，这种ESD保护结构保护电子电路免受ESD损坏。该ESD保护结构包括一种NPNPN形式的双向SCR器件，此双向SCR器件包括两个对称的NMOS管，这两个NMOS的漏区通过N阱相连接，这两个NMOS管分别形成于被深N阱隔离出的P阱中，其中一个NMOS的栅、源区和衬底连接被保护的电子电路的一端，另外一个NMOS的栅、源区和衬底连接被保护的电子电路的另外一端，这两个NMOS管和连接它们漏区的N阱形成NPNPN形式的双向SCR，提供这两端之间的ESD防护。
-
公开(公告)号：CN105574455A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510753296.9
申请日：2015-11-09
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/10
CPC classification number: G06K7/10336
Abstract: 本发明公开了一种用于磁场耦合通讯的调制电路，包括：主设备电路和从设备电路，所述主设备电路的主线圈和从设备电路的次级线圈通过磁场耦合；所述从设备电路还包括：浮地产生电路和谐振电容可调电路，所述浮地产生电路产生的浮地端GND与从所述设备电路的地级相连接，所述浮地产生电路的第一端口连接次级线圈电感的LA端口，所述浮地产生电路的第二端口连接次级线圈电感的LB端口；所述谐振电容可调电路以次级线圈的端口LA、LB作为输入输出端口，所述谐振电容可调电路的地级与所述浮地端GND相连接；所述谐振电容可调电路包括开关和可调电容，可调电容与开关串联后两端分别连接所述浮地端GND和次级线圈的端口LA或者LB，编码Code控制所述开关的通断。
-
公开(公告)号：CN105574419A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510718899.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 范长永
IPC: G06F21/60
CPC classification number: G06F21/602
Abstract: 本发明公开了一种数据保护方法和系统，方法包括：随机映射加密电路将8比特明文数据加密得到10比特密文数据，所述加密得到的10比特密文数据用于通过存储介质存储或基于传输介质传输；解密电路获得所述10比特密文数据，对所述10比特密文数据进行解密获得8比特明文数据；其中，用于存储或传输密文数据的密文空间为536个10比特有效数据，所述密文空间内每个10比特密文数据中1的个数与0的个数之差的绝对值小于或等于2。
-
公开(公告)号：CN105573885A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510718898.0
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 关红波
IPC: G06F11/30
Abstract: 本发明公开了一种监测并统计底层硬件行为的方法和装置，方法包括：在中央处理器CPU总线上挂接监测统计模块；所述监测统计模块统计并监测上层应用的底层硬件行为，并对所述上层应用的底层硬件行为进行分类统计，获得上层应用的底层硬件行为的分类统计数据。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
1127
records
(took 0.084 seconds)
