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公开(公告)号:CN102473843A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080034416.5
申请日:2010-08-02
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C07F9/5325 , C07F9/5728 , C07F9/58 , C07F9/60 , C07F9/65068 , C07F9/6512 , C07F9/6541 , C07F9/65517 , C07F9/65522 , C07F9/655345 , C07F9/655354 , C07F9/655372 , C07F9/65583 , C07F9/6561 , C09D11/52 , H01L51/005 , H01L51/4273 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种光电转换元件材料、使用该光电转换元件材料的光电转换元件、以及使用该光电转换元件的太阳能电池,所述光电转换元件材料作为太阳能电池的电极缓冲材料等,能够在保持与电极的相互作用和迁移率的同时,使耐久性得以提高。所述光电转换元件包含缓冲层和活性层,其中,缓冲层含有下述通式(I)表示的化合物,活性层含有n型半导体,该n型半导体于25℃在甲苯中的溶解度为0.5重量%以上、电子迁移率为1.0×10-6cm2/Vs以上。
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公开(公告)号:CN102413970A
公开(公告)日:2012-04-11
申请号:CN201080019043.4
申请日:2010-03-03
Applicant: 施乐公司
IPC: B23B3/26
CPC classification number: G03G5/0618 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C09B3/00 , C09B5/62 , C09B23/12 , C09B23/148 , C09B26/02 , C09B57/008 , G03G5/0592 , G03G5/0596 , G03G5/14791 , G03G5/14795 , G03G15/75 , G03G2215/00957 , H01L51/0002 , H01L51/0003 , H01L51/0007 , H01L51/0014 , H01L51/002 , H01L51/0026 , H01L51/003 , H01L51/0034 , H01L51/0045 , H01L51/005 , H01L51/0077 , H01L51/0093 , H01L51/052 , H01L51/0558 , H01L51/0595 , H01L51/5012 , H01L51/502 , H01L51/5024 , H01L51/5203 , Y10T428/26 , Y10T428/261 , Y10T428/31504
Abstract: 结构化有机膜,其包含作为共价有机框架排列的多个链段和多个连接基,其中该结构化有机膜可以是多链段厚的结构化有机膜。
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公开(公告)号:CN102413948A
公开(公告)日:2012-04-11
申请号:CN201080019044.9
申请日:2010-03-03
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: G03G5/0618 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C09B5/62 , C09B23/12 , C09B23/148 , C09B23/164 , C09B26/02 , C09B57/00 , C09B57/008 , C09B69/109 , G03G5/0592 , G03G5/0596 , G03G5/14791 , G03G5/14795 , G03G15/75 , G03G2215/00957 , H01L51/0002 , H01L51/0003 , H01L51/0007 , H01L51/0014 , H01L51/002 , H01L51/0026 , H01L51/003 , H01L51/0034 , H01L51/0045 , H01L51/005 , H01L51/0077 , H01L51/0093 , H01L51/052 , H01L51/0558 , H01L51/0595 , H01L51/5012 , H01L51/502 , H01L51/5024 , H01L51/5203 , Y10T428/26 , Y10T428/261 , Y10T428/31504
Abstract: 电子装置,该装置包括具有增加的功能性的结构化有机膜,其包含作为共价有机框架排列的多个链段和多个连接基,其中该结构化有机膜可以是多链段厚的结构化有机膜。
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公开(公告)号:CN102362367A
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN201080013018.5
申请日:2010-02-24
Applicant: 默克专利有限公司
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5016 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0067 , H01L51/008 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L2251/552
Abstract: 本发明涉及包含至少一种磷光发光体的磷光有机电致发光器件以及在发光层中的至少两种基质材料的混合物。
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公开(公告)号:CN101107725B
公开(公告)日:2012-01-25
申请号:CN200580047178.0
申请日:2005-11-25
Applicant: 巴斯福股份公司
IPC: C07D279/22
CPC classification number: C09K11/06 , C07D279/26 , C07D279/28 , C07D279/34 , C07D417/04 , C07D417/10 , C09B19/00 , C09B21/00 , C09B23/141 , C09B23/145 , C09K2211/1033 , C09K2211/1037 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0072 , H01L51/0085 , H01L51/5012 , H01L51/5096 , H01L2251/308 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明公开了吩噁嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪-S氧化物或吩噻嗪-S,S二氧化物衍生物作为有机发光二极管中的发射物质或空穴和激子阻断剂的用途。本发明进一步涉及包括发光层的有机发光二极管,该发光层含有至少一种吩噁嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪-S氧化物或吩噻嗪-S,S二氧化物作为发射物质,以及含有作为发射物质的吩噁嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪-S氧化物或吩噻嗪-S,S二氧化物或由它们组成的一种发光层,含有吩噁嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪-S氧化物或吩噻嗪-S,S二氧化物衍生物的或由它们组成的一种空穴和激子阻断层,和包括本发明的有机发光二极管的设备。本发明最终涉及特殊的吩噻嗪S,S-二氧化物衍生物,吩噻嗪S-氧化物衍生物和吩噻嗪衍生物和它们的生产方法,和它们在有机发光二极管中的用途。
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公开(公告)号:CN1905236B
公开(公告)日:2011-10-26
申请号:CN200610059145.4
申请日:2006-03-15
Applicant: 乐金显示有限公司
CPC classification number: H01L51/5096 , H01L27/3211 , H01L51/005 , H01L51/0062 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5072 , H01L51/5278
Abstract: 本发明提供了采用电子传输层的有机电致发光(EL)器件,所述电子传输层含电洞阻挡能力。该器件包括堆栈结构,该堆栈结构带有置于阳极和阴极之间的发射层和电子传输层。电子传输层是至少两种材料的混合物。该混合物可包括有机化合物与一种或多种其他有机化合物,或者可包括金属或无机化合物与一种或多种其他金属或无机化合物,或者可包括一种或多种有机化合物与一种或多种金属或无机化合物。通过向电子传输层中加入电洞阻挡能力,可简化器件的结构和制造并提高其效率。
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公开(公告)号:CN102064283A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN201010519161.3
申请日:2006-09-15
Applicant: LG化学株式会社
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , C07C13/68 , C07C211/61 , C07D333/08 , C09K11/06
CPC classification number: H01L51/005 , C07C13/62 , C07C13/66 , C07C13/68 , C07C211/60 , C07C211/61 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1092 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L2251/308 , H05B33/14 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供一种包括顺序层压的第一电极、至少一个有机层和第二电极的有机发光器件,在该有机发光器件中,所述有机层的至少一层含有作为核的多环芳香烃,并包含至少一种其中取代或未取代的C2-30环烷烃或取代或未取代的C5-50多环烷烃直接稠合到所述核上或稠合到所述核的取代基上的衍生物;并提供用于所述有机发光器件的新的有机化合物。此外,本发明提供一种载流子提取、注入或传输材料,其含有作为核的多环芳香烃,并包含取代或未取代的C2-30环烷烃或取代或未取代的C5-50多环烷烃直接稠合到所述核上或稠合到所述核的取代基上的衍生物。
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公开(公告)号:CN101518152B
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200780034102.3
申请日:2007-08-13
Applicant: 印可得株式会社
IPC: H05B33/14
CPC classification number: H05B33/14 , H01L51/0037 , H01L51/0042 , H01L51/005 , H01L51/0059 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/5044 , H01L51/5096 , H01L51/5278 , H05B33/22
Abstract: 本发明涉及一种能够显著提高有机电致发光器件的特性的方法。本发明提供通过在发光层之间插入由至少一个层构成的无机氧化物夹层而能够降低运行电压并提高效率的方法。
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公开(公告)号:CN1738502B
公开(公告)日:2010-11-17
申请号:CN200510092078.1
申请日:2002-12-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/504 , B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L27/3209 , H01L51/005 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/007 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0595 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/5052 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L51/5278 , Y02E10/50 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 通过将新概念引入常规有机半导体元件的结构,而不使用常规超薄薄膜,提供更可靠和具有更高成品率的有机半导体元件。而且,尤其提高使用有机半导体的光电子器件的效率。在阳极和阴极之间设置有机结构,该有机结构包括交替层叠的通过使SCLC流动实现各种功能的有机薄膜层(功能有机薄膜层),和通过用受主和施主掺杂导电薄膜层,或通过类似的方法充满暗电导率的导电薄膜层(欧姆导电薄膜层)。
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公开(公告)号:CN101523631B
公开(公告)日:2010-09-22
申请号:CN200780037982.X
申请日:2007-10-10
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L51/05 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/005 , C09B1/00 , C09B3/78 , C09B57/00 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1051 , C09K2211/1092 , H01L51/0022 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0074 , H01L51/0512 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/102 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/5296 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供应答速度(驱动速度)为高速、并且开/关比大的有机薄膜晶体管以及利用其的有机薄膜发光晶体管,其中所述有机薄膜晶体管,其至少在基板上设有栅电极、源电极、漏电极的这三个端子、绝缘体层以及有机半导体层,通过在栅电极上施加电压来控制源-漏电极之间的电流,其特征在于,所述有机半导体层含有特定结构的化合物,另外所述有机薄膜发光晶体管,在有机薄膜晶体管中,利用流过源-漏电极之间的电流来得到发光,通过在栅电极上施加电压来控制发光。
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