太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件

    公开(公告)号:CN116995132A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310835204.6

    申请日:2023-07-07

    Abstract: 本发明提供了太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件,涉及光伏技术领域。方法包括:在太阳能电池本体上形成第一导电图案或第一导电膜层;在压印模板上形成第二导电图案;将所述第二导电图案与所述第一导电图案对准,并将所述第二导电图案与所述第一导电图案焊接在一起;或者,将所述第二导电图案与所述第一导电膜层中待形成电极的区域对准,并将所述第二导电图案与所述第一导电膜层中待形成电极的区域焊接在一起;去除压印模板。第二导电图案是在压印模板上制备的,可以减少对太阳能电池本体的影响,且易于实现量产,工艺简单且成熟,可以降低制备成本。

    一种太阳能电池及其制造方法
    73.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116828873A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310700674.1

    申请日:2023-06-13

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法,涉及光伏技术领域,以通过导电配体层使第一载流子传输层均匀铺展在透明导电层上,进而使得第一载流子传输层具有优异的传输性能,利于提高太阳能电池的光电转换效率。所述太阳能电池包括:透明导电层,以及依次层叠设置在透明导电层上的导电配体层、第一载流子传输层、光吸收层和第二载流子传输层。其中,第一载流子传输层和第二载流子传输层中的一者为空穴传输层、另一者为电子传输层。导电配体层用于使第一载流子传输层均匀铺展在透明导电层上。所述太阳能电池的制造方法用于制造上述太阳能电池。

    一种背接触电池及其制造方法
    76.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116722052A

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202310602681.8

    申请日:2023-05-25

    Abstract: 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法,涉及光伏技术领域,用于增大透明导电层临近隔离区域的侧壁与背光面之间的夹角,利于实现对透明导电层边缘部分的形貌的控制,进而利于减小隔离区域的线宽,提升背接触电池的光电转换效率。所述背接触电池包括:半导体基底和透明导电层。上述半导体基底具有相对的第一面和第二面。第二面具有交替间隔排布的N型区域和P型区域、以及位于N型区域和P型区域之外的隔离区域。上述透明导电层形成在半导体基底具有的N型区域和P型区域上。透明导电层中形成在N型区域上的部分与透明导电层中形成在P型区域上的部分相互绝缘。透明导电层与隔离区域相邻的侧面和第二面之间的夹角大于等于30°、且小于等于90°。

    钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN116705909A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310713067.9

    申请日:2023-06-15

    Abstract: 本申请提供一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池及其制备方法。其中,制备方法包括以下步骤:制备硅异质结底电池,在所述硅异质结底电池的一侧依次制备复合层、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层和前透明导电层,采用激光处理所述前透明导电层使所述前透明导电层至少部分晶化,并且所述激光不损伤所述硅异质结底电池和所述钙钛矿吸收层。本申请的制备方法,通过激光处理前透明导电层,可以在不影响硅异质结太阳能电池与钙钛矿太阳能电池基底的基础上,使前透明导电层的材料达到晶化,从而提升前透明导电层的材料的光学性能与电学性能,并提升叠层电池的整体效率。

    一种太阳能电池
    78.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116259672A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202211095539.0

    申请日:2022-09-06

    Abstract: 本申请公开了一种太阳能电池,包括光吸收层、钝化层和载流子传输层;其中,所述光吸收层的至少一侧表面设置有所述钝化层和所述载流子传输层,位于所述光吸收层同一侧表面的所述钝化层和所述载流子传输层均与所述光吸收层接触。本申请提出的太阳能电池,该太阳能电池中图形化的钝化层可以钝化光吸收层界面的缺陷,降低界面载流子复合,同时图形化的载流子传输层可以避免整面钝化层抑制载流子提取的问题,保证电荷的有效提取。

    钙钛矿薄膜的制备方法、钙钛矿电池和叠层电池

    公开(公告)号:CN115988940A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202310074580.8

    申请日:2023-01-28

    Abstract: 本申请提供一种钙钛矿薄膜及其制备方法,其中制备方法包括以下步骤:提供基底,在所述基底上形成金属卤化物层,使金属卤化物与有机胺盐反应以得到钙钛矿薄膜,其中在金属卤化物与有机胺盐反应之前,或在金属卤化物与有机胺反应过程中使用金属卤化物层处理剂处理所述金属卤化物层。本申请的钙钛矿薄膜的制备方法首先在基底上形成金属卤化物层,进一步通过使用金属卤化物层处理剂处理金属卤化物,以将致密的金属卤化物层变得蓬松多孔,从而使得有机胺盐能渗入金属卤化物内部,使有机胺盐与金属卤化物充分反应,从而制备得到高结晶性的钙钛矿薄膜。

    一种背接触电池及其制造方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN115832065A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211516779.3

    申请日:2022-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法、光伏组件,涉及太阳能电池技术领域,用于同时防止第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层的横向界面和纵向界面处产生漏电。所述背接触电池包括:硅基底、第一钝化层、第一掺杂半导体层、第二钝化层、第二掺杂半导体层和绝缘层。第一钝化层和第一掺杂半导体层依次层叠设置于硅基底具有的背光面上。第二钝化层和第二掺杂半导体层依次层叠设置于背光面上。层叠设置的第二钝化层和第二掺杂半导体层覆盖层叠设置的第一钝化层和第一掺杂半导体层的部分区域,第二掺杂半导体层和第一掺杂半导体层的导电类型相反。绝缘层至少位于第二钝化层和第一掺杂半导体层之间,用于将第二钝化层和第一掺杂半导体层间隔开。

Patent Agency Ranking