公开(公告)号：CN109167599B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201810884608.3

申请日：2018-08-06

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  王程程 ,  李红娟 ,  周思敏 ,  陈思良

IPC: H03M1/66 ,  H03L7/08 ,  H02M3/07

Abstract: 本发明请求保护一种用于锁相环的快速响应电荷泵电路，包含自偏置共源共栅偏置电路、DN差分数模转换电路、复制电路、充放电电路、UP差分数模转换电路。采用自偏置共源共栅偏置电路为电荷泵核心电路提供电流偏置，有效克服了单个MOS管的沟道长度调制效应，提高了电荷泵的充电电流以及放电电流的匹配精度，与传统共源共栅偏置电路相比提高了电荷泵电路的输出电压摆幅，同时降低了电源电压；采用上下电流源提供充放电电流，抑制了充/放电电流随输出电压的变化，改善了电荷泵的充/放电电流匹配范围；采用同种开关管作为电荷泵的开关，有效地避免了不同开关管之间的固有不匹配；采用正反馈机制，提高开关管的响应速度。

公开(公告)号：CN110794913B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201911155869.2

申请日：2019-11-22

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  关晶晶 ,  李红娟

IPC: G05F1/575

Abstract: 本发明请求保护一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路，属于微电子技术领域。包括带隙基准电流源偏置电路以及带隙基准核心电路等。本发明采用共源共栅结构为带隙基准核心电路提供偏置电流信号来提高带隙基准的电源抑制比，带隙基准核心电路采用负反馈箝位技术取代传统运算放大器箝位技术来产生正温度系数电流IR2a及IR4，正温度系数电流IR2a在电阻R2a以及正温度系数电流IR4在电阻R4上产生正温度系数的压降分别与NPN型三极管Q3的基极‑发射极电压加权实现高性能的带隙基准参考电压，从而实现一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路。

公开(公告)号：CN111158421A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN202010023088.4

申请日：2020-01-09

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  王梨力 ,  李红娟 ,  熊素雅 ,  杜永彪

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明请求保护一种分段补偿的带隙基准电压源电路，包括启动电路、一阶带隙基准电压源电路及温度分段补偿产生电路。本发明采用两个PNP型三极管发射极-基极电压之差在电阻R3上产生的电流以及PNP型三极管Q1的发射极-基极电压VEB1在电阻R2上产生的电流进行加权产生一阶温度补偿电流，一阶温度补偿电流在电阻R5与R4上产生一阶温度补偿带隙电压，同时一阶温度补偿电流为温度分段补偿产生电路提供偏置电流，温度分段补偿产生电路产生四种不同温度区域的分段温度补偿电流并在电阻R4上产生分段温度补偿电压对一阶温度补偿带隙电压进行高阶温度补偿，从而获得高性能的带隙基准参考电压。

公开(公告)号：CN109254612A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201811069122.0

申请日：2018-09-13

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  彭志强 ,  李红娟 ,  范霆铠 ,  郭涛

IPC: G05F1/46 ,  G05F1/567

Abstract: 本发明请求保护一种高阶温度补偿的带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域曲率补偿电路、低温区域分段补偿电路、低温区域曲率补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏极-衬底电压产生负温度系电压，采用两个源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏-衬底电压之差产生正温度系数电压，并将正温度系数电压与负温度系数电压进行加权求和获得一阶带隙基准参考电压，利用高温区域曲率补偿电路中电流I16、低温区域分段补偿电路中电流I22以及低温区域曲率补偿电路中电流I24在电阻R7上产生的电压分别对带隙基准参考电压进行温度补偿，从而实现一种高阶温度补偿的带隙基准电路。

公开(公告)号：CN104977969B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201510372203.8

申请日：2015-06-30

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  闫凯 ,  庞宇 ,  林金朝 ,  王伟 ,  李章勇 ,  冉鹏 ,  李国权 ,  李红娟

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明提供了一种高电源抑制比高阶曲率补偿的带隙基准参考电路，包括启动电路、前调整器电路、带隙基准电路、低温区域分段线性温度补偿电路、高温区域与绝对温度T1.5成正比的温度补偿电路、高温区域分段线性温度补偿电路。本发明通过将低温区域分段线性温度补偿电流及高温区域与绝对温度T1.5成正比的温度补偿电流加入传统带隙基准参考电路中，并从传统带隙基准参考电路中抽走高温区域分段线性温度补偿电流，从而得到高阶曲率补偿的基准电压；将负反馈前调整器技术加入到高阶曲率补偿的基准电压中，从而得到高电源抑制比高阶曲率补偿的带隙基准参考电路。

公开(公告)号：CN105807838A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610331692.7

申请日：2016-05-18

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  徐兰 ,  庞宇 ,  林金朝 ,  李红娟 ,  李国权 ,  李章勇 ,  王伟 ,  冉鹏

IPC: G05F1/567

CPC classification number: G05F1/567

Abstract: 本发明提供了一种高阶温度补偿带隙基准电路，包括启动电路、双极型带隙基准电路、分段线性温度补偿电路以及ΔVGS温度补偿电路，所述启动电路使得高阶温度补偿带隙基准电路正常工作，所述双极型带隙基准电路产生低温度系数的带隙参考电压，将所述分段线性温度补偿电路产生的温度分段线性补偿电压和所述ΔVGS温度补偿电路产生的ΔVGS温度补偿电压加入到所述双极型带隙基准电路产生的低温度系数带隙参考电压中，从而得到高阶温度补偿的基准电压，极大地降低了带隙基准电路输出电压的温度系数。

公开(公告)号：CN103869868A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410109979.6

申请日：2014-03-24

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  李云松 ,  林金朝 ,  庞宇 ,  李红娟 ,  李章勇 ,  李国权

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种带温度补偿的带隙基准参考电路，属于微电子技术领域，本发明的温度补偿的带隙基准参考通过将分段电流INL以及与温度T1.5成正比的电流IP11加入到传统的一阶带隙基准电路中，即通过将高阶温度补偿电路中的PMOS管MP7的漏电流和PMOS管MP11的漏电流加入到电阻R5上来实现高阶温度补偿，得到基准电压，采用该技术，可得到较小温度系数的基准电压。