公开(公告)号：CN103869868B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201410109979.6

申请日：2014-03-24

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  李云松 ,  林金朝 ,  庞宇 ,  李红娟 ,  李章勇 ,  李国权

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种带温度补偿的带隙基准参考电路，属于微电子技术领域，本发明的温度补偿的带隙基准参考通过将分段电流INL以及与温度T1.5成正比的电流IP11加入到传统的一阶带隙基准电路中，即通过将高阶温度补偿电路中的PMOS管MP7的漏电流和PMOS管MP11的漏电流加入到电阻R5上来实现高阶温度补偿，得到基准电压，采用该技术，可得到较小温度系数的基准电压。

公开(公告)号：CN103869868A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410109979.6

申请日：2014-03-24

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  李云松 ,  林金朝 ,  庞宇 ,  李红娟 ,  李章勇 ,  李国权

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种带温度补偿的带隙基准参考电路，属于微电子技术领域，本发明的温度补偿的带隙基准参考通过将分段电流INL以及与温度T1.5成正比的电流IP11加入到传统的一阶带隙基准电路中，即通过将高阶温度补偿电路中的PMOS管MP7的漏电流和PMOS管MP11的漏电流加入到电阻R5上来实现高阶温度补偿，得到基准电压，采用该技术，可得到较小温度系数的基准电压。