公开(公告)号：CN101872744A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010191071.6

申请日：2010-06-03

Applicant: 清华大学

Inventor： 周卫 ,  严利人 ,  窦维治 ,  韩冰 ,  刘志弘

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了属于半导体微波集成电路技术领域的一种在硅衬底上制造化合物半导体MMIC芯片的方法。利用三维对准光刻技术实现衬底背面图形的光刻，通过干法或湿法刻蚀，将圆片中各个MMIC芯片中部的硅衬底部分去除，保留MMIC芯片四周边缘处和压焊块下面的硅衬底，来维持进行后道减薄和划片封装工艺时所必须的机械强度。这有利于减小由于衬底耦合造成的功率损耗，提高硅衬底上制造化合物半导体MMIC的功率效率，同时降低了成本。

公开(公告)号：CN101162730B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200710177246.6

申请日：2007-11-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘志弘 ,  周卫

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件结构及其制造工艺范围的一种多晶收集区倒置结构SiGe异质结晶体管。是在省略了常规SiGe HBT晶体管中的埋层和N-外延Si层结构后，直接利用衬底N+层做发射区，然后依次制作SiGe外延基区，多晶Si收集区，和发射极，基极，收集极引线而形成的电子器件结构。收集区处在结构的上层，有利于采用离子注入技术调节B-C结位置，因而更好地保证器件的性能。外基区和基极引线的部分，采用介质层与下方的发射区隔离，能够减小电容，保证器件的工作速度。倒置结构晶体管，还适于构成共发形式的SiGe单片微波集成电路。

公开(公告)号：CN87206316U

公开(公告)日：1987-12-30

申请号：CN87206316

申请日：1987-04-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 杜光庭 ,  周卫 ,  侯悦

IPC: C30B15/10

Abstract: 本实用新型是关于直拉单晶硅用的坩埚，其特点是在坩埚基体上涂敷了一层Si3N4涂层。涂层采用常压化学气相淀积法制备。坩埚基体材料既可是石英(SiO2)玻璃，也可是石墨。Si3N4具有优良的物理机械性能，并不与熔硅起反应，它把熔硅和石英隔开，避免了熔硅对石英坩埚内壁的侵蚀，达到降低单晶硅杂质含量的目的。