-
公开(公告)号：CN120033532A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510093656.0
申请日：2025-01-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种可实现粒子数反转的硅基氧化镓铒镱掺杂电致发光器件，包括顺序设置的金属电极、硅层、发光层和透明导电电极；发光层包括交替设置的氧化镓掺镱层和氧化镓掺铒层。由于铒镱离子间的相互作用，大量的电子被激发至激发态能级之上，在一定的电流下可以实现激发态能级上的电子数多余基态电子数的反转，Er3+能级上的粒子数反转是实现硅基掺铒电致激光的必要条件，本发明制备的器件为硅基掺铒电致激光的实现提供了理论、实验基础。
-
公开(公告)号：CN118431310A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410284668.7
申请日：2024-03-13
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了氧化钼作为阻挡层用于抑制ITO电极性能退化并提高光电器件可靠性的应用，光电器件功能层和ITO电极间设氧化钼薄膜以抑制ITO电极金属离子电迁移。本发明在近红外电致发光器件中插入氧化钼作为金属迁移的阻挡层，显著提高了器件的电流稳定性和光电性能。使用氧化钼抑制金属离子迁移的策略具有制备工艺简单，制备成本低廉，工业兼容性好的优势，能帮助广泛使用的光电器件提高稳定性并增强其光电性能，有望应用于高性能、低成本、高可靠性的先进智能设备中。
-
公开(公告)号：CN116334557A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310329308.X
申请日：2023-03-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和在近红外电致发光领域中的应用。制备方法包括：在真空下，通入氩气和氧气混合气，利用射频磁控溅射方法对掺氟氧化锡靶和氧化铒靶进行共溅射沉积薄膜；掺氟氧化锡靶中氟化亚锡的质量百分占比不大于20％；在氧气或氮气气氛下，将共溅射沉积得到的薄膜升温至200℃以上进行高温热处理，冷却得到氟铒共掺氧化锡薄膜。本发明薄膜用于制作电致发光器件后，在施加反向偏压的情况下，基于空间电荷区中发生的电子碰撞离化效应，可以实现较强的电致发光。
-
公开(公告)号：CN113443631B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110647681.0
申请日：2021-06-10
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/027 , C01B33/113 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种利用双金属催化剂制备纤锌矿结构硅纳米线的方法，包括步骤：(1)以干净的硅片为衬底，采用真空热蒸发镀膜方法在衬底上蒸镀两种金属催化剂，形成厚度为2～10nm的双金属催化剂；两种金属催化剂为铝和金、铝和锡、或铝和铟；(2)惰性气体环境中，将步骤(1)蒸镀后的衬底加热至其上的双金属催化剂熔融产生液相，SiO蒸气在惰性气体的运输下在加热的衬底上持续反应沉积形成纤锌矿结构硅纳米线。本发明通过热蒸发低毒性的SiO得到了六方纤锌矿结构硅纳米线，简化了制备流程、降低了制备成本。
-
公开(公告)号：CN111377455B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010087812.X
申请日：2020-02-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种长发光寿命硅酸铒的制备方法，包括步骤：将有机铒化合物溶解于流动性硅烷树脂中，所得溶胶旋涂于单晶硅片表面，待溶剂挥发完毕，经900～1300℃热处理得到所述的长发光寿命硅酸铒。本发明还公开了所述的制备方法制备得到的长发光寿命硅酸铒，包裹于非晶氧化硅基质中，形貌为纳米线状，晶相为α‑Er2Si2O7，发光寿命为400～850μs。本发明仅需要简单设备，不需要长时间水解过程，操作简便，成本低廉。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111377455A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010087812.X
申请日：2020-02-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种长发光寿命硅酸铒的制备方法，包括步骤：将有机铒化合物溶解于流动性硅烷树脂中，所得溶胶旋涂于单晶硅片表面，待溶剂挥发完毕，经900～1300℃热处理得到所述的长发光寿命硅酸铒。本发明还公开了所述的制备方法制备得到的长发光寿命硅酸铒，包裹于非晶氧化硅基质中，形貌为纳米线状，晶相为α-Er2Si2O7，发光寿命为400～850μs。本发明仅需要简单设备，不需要长时间水解过程，操作简便，成本低廉。
-
公开(公告)号：CN108545787A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810440796.0
申请日：2018-05-10
Applicant: 浙江大学
IPC: C01G53/04 , C03C17/23 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种热注入法制备氧化镍掺锂纳米晶的方法，包含以下步骤：(1)将前驱体和掺杂元的混合溶液加热；(2)加热反应溶剂，并将步骤(1)的混合溶液热注入到反应溶剂中，在反应温度上保温后，得到氧化镍纳米晶溶液；(3)将步骤(2)得到氧化镍纳米晶溶液进行提纯，得到氧化镍纳米晶；本发明还公开了一种热注入法制备氧化镍薄膜的方法；本发明不需要复杂的体系，只需将适宜浓度的前驱体和掺杂元溶液在适宜温度注入反应溶液，萃取离心后即可得到提纯的纳米晶，旋涂、热处理和臭氧处理后可得到透明导电薄膜，操作简单、成本低，重复性高。
-
公开(公告)号：CN108356277A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810157626.1
申请日：2018-02-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米棒的制备方法，包括以下步骤：(1)将十六烷基三甲基溴化铵和油酸盐混合制备成溶液，再依次加入可溶性银离子溶液和HAuCl4水溶液，得到生长溶液，并将所述生长溶液均分为至少两份；(2)向步骤(1)中的一份生长溶液快速加入NaHB4水溶液，快速搅拌并静置后制得金种溶液；(3)向步骤(1)中的其他生长溶液加入酸溶液和抗坏血酸溶液，搅拌后快速加入步骤(2)的金种溶液，搅拌后静置；本发明简化了金种溶液的配置流程，提高工艺效率；制备全过程引入油酸盐，降低高毒配体十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的使用，降低毒性的同时也节约了生产成本。
-
公开(公告)号：CN102530948A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210001262.0
申请日：2012-01-04
Applicant: 浙江大学 , 镇江大成新能源有限公司
Abstract: 本发明公开了一种从硅片切割锯屑中回收硅的方法，包括以下步骤：将切割锯屑与水混合，分别调节固液重量比为1∶2～1∶20，加入分散剂，形成悬浮液，对悬浮液进行超声清洗处理、固液分离，得到泥状固含物；将泥状固含物依次投入到盐酸、硝酸、氢氟酸溶液中，调节固液重量比为1∶2～1∶20，酸洗处理，然后漂洗，得到硅和碳化硅的混合物；将硅和碳化硅的混合物，投入到密度在硅和碳化硅的密度值之间的离心溶剂中，离心分离、净化、干燥，得到硅粉和碳化硅粉。本发明方法操作简便，分离效率高，耗时短，成本低，回收的硅纯度高。
-
公开(公告)号：CN101764182B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010039664.0
申请日：2010-01-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种增强非晶硅薄膜光吸收的方法，包括以下步骤：1)在清洗后的衬底上制备非晶硅薄膜；2)在非晶硅薄膜表面沉积一层银膜；3)表面沉积银膜的非晶硅薄膜经过热处理，得到银岛膜结构。本发明使用的设备与现行成熟工艺兼容，方法简单可控，制备出的银岛膜对非晶硅薄膜光吸收的增强方式简单，可用于增加非晶硅太阳电池转换效率，以及增强相关LED发光等方面。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
86
records
(took 0.024 seconds)
