(Zn,Cd)S量子点的制备方法
    71.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101962537B

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201010283200.4

    申请日:2010-09-16

    Abstract: 本发明涉及(Zn,Cd)S量子点的制备方法,包括如下步骤:1)以锌或/和镉的可溶性盐和硫代乙酰胺为原料,并将其溶解于水或水-乙醇混合液中,用弱酸调节pH值至弱酸性,得到均相反应体系母液;2)将步骤1)所得均相反应体系母液转移至自生压力的水热反应釜内密封,加热至70~100℃,反应30分钟~24小时,即可得到(Zn,Cd)S量子点。本发明与现有技术相比,具有以下优点:1)低成本;2)过程及产品性质可控;3)均匀性高;4)节能高效;5)纯水相制备;6)绿色化。

    采用铝溶胶对陶瓷表面进行修饰的方法

    公开(公告)号:CN103408330A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201310198235.1

    申请日:2013-05-24

    Abstract: 本发明涉及采用铝溶胶对陶瓷表面进行修饰的方法,包括有以下步骤:1)表面涂覆:先对陶瓷胚体表面进行预处理,然后采用刷涂工艺将铝溶胶涂覆到陶瓷胚体表面;2)低温预处理:于烘箱中烘干;3)高温烧结:将低温预处理后的陶瓷胚体置于空气气氛,烧结。本发明有以下优点:(1)不易开裂且促进烧结;(2)无需在涂层中再添加抗菌剂,经济环保;(3)采用溶胶-凝胶法制备铝溶胶,工艺简单,操作方便,显著增强陶瓷的抗污抗菌性,自洁和易洁性能,反应过程可控,且能将铝溶胶直接涂覆陶瓷胚体表面,整个制备周期短。且铝溶胶可以任意比例与水溶合,长时间贮放性能不变,使用十分方便。

    泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的孔径控制方法

    公开(公告)号:CN101519196B

    公开(公告)日:2011-03-23

    申请号:CN200910061551.8

    申请日:2009-04-10

    Abstract: 本发明涉及一种泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的方法,具体的是涉及一种多孔碳羟磷灰石的孔径控制方法,在通过泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的过程中,在反应原溶液表面张力为0.1N/m的情况下,对体系的压力进行调节,调节范围是1.5atm~25atm,以实现对产物平均孔径1.5μm~0.5μm范围内的控制。本发明的有益效果是:提供了一种控制多孔碳羟磷灰石的孔径的新方法,该方法简单可行、成本低廉,即在泡界模板法这一简便方法的基础上实现孔径控制,产物孔径在微米范围内(1.5μm~0.5μm)可控。

    利用天然磷块岩为原料制备磷灰石晶须的方法

    公开(公告)号:CN101550594A

    公开(公告)日:2009-10-07

    申请号:CN200910061552.2

    申请日:2009-04-10

    Abstract: 本发明涉及利用天然磷块岩为原料制备磷灰石晶须的方法,包括有以下步骤:1)精选天然磷块岩,加酸至磷和钙全部溶解,过滤,得到可溶性的离子态的[PO4]3-和Ca2+;2)往溶液中添加尿素和复合模板剂,放入高压釜中制成均相体系,然后在90℃~100℃温度下加热,尿素缓慢水解释放羟基和碳酸根,达到过饱和后磷灰石开始沉淀,持续反应4-6h后停止加热,静置陈化,洗涤,过滤,烘干得到磷灰石晶须。本发明的有益效果是:1)本发明直接利用天然磷块岩为原料来替代化工原料,且采用一步控温,降低了成本;2)采用新的复合模板剂,使磷灰石沿c轴一维受控生长,因此产品具有大的平均长径比,以及宽度微米级。

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