公开(公告)号：CN101519196A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910061551.8

申请日：2009-04-10

Applicant: 武汉工程大学

Inventor： 黄志良 ,  程晓焜 ,  刘羽 ,  喻俊 ,  王涵 ,  池汝安

IPC: C01B25/32

Abstract: 本发明涉及一种泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的方法，具体的是涉及一种多孔碳羟磷灰石的孔径控制方法，在通过泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的过程中，在反应原溶液表面张力为0.1N/m的情况下，对体系的压力进行调节，调节范围是1.5atm～25atm，以实现对产物平均孔径1.5μm～0.5μm范围内的控制。本发明的有益效果是：提供了一种控制多孔碳羟磷灰石的孔径的新方法，该方法简单可行、成本低廉，即在泡界模板法这一简便方法的基础上实现孔径控制，产物孔径在微米范围内(1.5μm～0.5μm)可控。

公开(公告)号：CN101519196B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200910061551.8

申请日：2009-04-10

Applicant: 武汉工程大学

Inventor： 黄志良 ,  程晓焜 ,  刘羽 ,  喻俊 ,  王涵 ,  池汝安

IPC: C01B25/32

Abstract: 本发明涉及一种泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的方法，具体的是涉及一种多孔碳羟磷灰石的孔径控制方法，在通过泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的过程中，在反应原溶液表面张力为0.1N/m的情况下，对体系的压力进行调节，调节范围是1.5atm～25atm，以实现对产物平均孔径1.5μm～0.5μm范围内的控制。本发明的有益效果是：提供了一种控制多孔碳羟磷灰石的孔径的新方法，该方法简单可行、成本低廉，即在泡界模板法这一简便方法的基础上实现孔径控制，产物孔径在微米范围内(1.5μm～0.5μm)可控。