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公开(公告)号:CN111418151B
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN201880077004.6
申请日:2018-07-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 在并联连接的压电谐振子中,抑制由杂散电容引起的特性降低。具备:基板;绝缘膜,其形成在基板上;多个振动区域,其为形成在绝缘膜上的多个振动区域,且各振动区域具有形成在绝缘膜上的下部电极、形成在下部电极上的压电膜和形成在压电膜上的上部电极,使形成在绝缘膜上的多个下部电极中的至少一个下部电极成为与其他下部电极不同的电位,以使得至少一个振动区域与其他振动区域反相振动;以及封装,其为对具有基板、绝缘膜、多个振动区域的谐振子进行密封的封装,且具有使基板接地的接地用端子。
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公开(公告)号:CN111133677B
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN201880059636.X
申请日:2018-05-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 西村俊雄
Abstract: 在谐振器中,能够高精度地调整频率温度特性。谐振器具备:振动部;保持部,被设置成包围振动部的至少一部分;以及保持臂,连接振动部和保持部,该振动部具有:第一电极和第二电极;压电膜,形成于第一电极与第二电极之间,并具有与第一电极对置的第一面;以及至少2个温度特性调整膜,隔着第一电极与压电膜的第一面对置地形成,振动部具有与压电膜的第一面对置的表面,该表面包括第一区域以及在振动部振动时平均位移比第一区域大的第二区域,至少2个温度特性调整膜包括在第一区域中的分别不同的区域露出的、频率温度系数为正的第一温度特性调整膜以及频率温度系数为负的第二温度特性调整膜。
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公开(公告)号:CN109075766B
公开(公告)日:2022-04-19
申请号:CN201780026974.9
申请日:2017-02-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24 , B81B3/00 , H01L41/113 , H01L41/187 , H03H9/02
Abstract: 本发明提供谐振器和谐振装置。在谐振频率的调整工序中,抑制谐振频率的温度特性的变动。谐振器:具有基部;和振动臂,具有第1电极和第2电极、设置于第1电极与第2电极之间并具有与第1电极对置的上表面且在向第1电极和第2电极之间施加了电压时以规定的振动模式进行振动的压电膜,所述振动臂的一端是与基部的前端连接的固定端,另一端是向离开前端的方向延伸的自由端,该谐振器具备:保护膜,设置为隔着第1电极而与压电膜的上表面对置,并且设置为从振动臂延续到基部;和温度特性调整膜,由与保护膜不同的材料构成,温度特性调整膜设置为在多个振动臂上的比在该振动臂延伸的方向上的中央靠固定端侧处和基部处中的至少一处,使保护膜的局部向表面暴露。
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公开(公告)号:CN113574800A
公开(公告)日:2021-10-29
申请号:CN201980094259.8
申请日:2019-12-12
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明提供一种谐振器以及谐振装置,提高振动的限制性。谐振器(10)具备:振动部(120),包括Si基板(F2)、形成于Si基板(F2)的一个主面的金属层(E1)、以及配置于Si基板(F2)与金属层(E1)之间的压电薄膜(F3),振动部(120)以轮廓振动为主振动而振动;保持部(140),形成为包围振动部(120)的至少一部分;以及支承单元(110),连接振动部(120)和保持部(140),振动部(120)具有在一个主面去除压电薄膜(F3)而成的凹部(121)。
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公开(公告)号:CN109075766A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201780026974.9
申请日:2017-02-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24 , B81B3/00 , H01L41/113 , H01L41/187 , H03H9/02
Abstract: 本发明提供谐振器和谐振装置。在谐振频率的调整工序中,抑制谐振频率的温度特性的变动。谐振器:具有基部;和振动臂,具有第1电极和第2电极、设置于第1电极与第2电极之间并具有与第1电极对置的上表面且在向第1电极和第2电极之间施加了电压时以规定的振动模式进行振动的压电膜,所述振动臂的一端是与基部的前端连接的固定端,另一端是向离开前端的方向延伸的自由端,该谐振器具备:保护膜,设置为隔着第1电极而与压电膜的上表面对置,并且设置为从振动臂延续到基部;和温度特性调整膜,由与保护膜不同的材料构成,温度特性调整膜设置为在多个振动臂上的比在该振动臂延伸的方向上的中央靠固定端侧处和基部处中的至少一处,使保护膜的局部向表面暴露。
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公开(公告)号:CN107925394A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680050205.8
申请日:2016-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供谐振子和谐振装置。谐振子能够通过减小锚点损耗来提高Q值。谐振子具备:压电振动部;保持部,其设置于压电振动部的周围的至少局部;第一节点生成部,其设置于压电振动部与保持部之间;第一连接臂,其连接第一节点生成部和压电振动部的与该第一节点生成部对置的区域;以及第一保持臂,其连接第一节点生成部和保持部中的与第一节点生成部对置的区域,第一节点生成部在比在第一连接臂连接第一节点生成部和压电振动部的第一方向上的中心靠第一连接臂侧处,具有在与第一方向正交的第二方向上的长度为最大的部位,随着从第二方向上的长度为最大的部位趋向第一保持臂,第二方向上的长度缓缓变小。
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公开(公告)号:CN107431473A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201680013875.2
申请日:2016-03-29
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明提供一种共振装置。能够使共振频率稳定。具备:共振子,具有下部电极、多个上部电极、和形成在下部电极与多个上部电极之间的压电膜;上盖,具有第一面和第二面,被设置为该第一面与共振子的上部电极对置地密封共振子的第一面;下盖,具有第一面和第二面,被设置为该第一面与共振子的下部电极对置地密封共振子的第一面;电源端子,与上部电极电连接;以及接地端子,设置于上盖的上述第二面,下部电极经由上述上盖与上述接地端子电连接。
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公开(公告)号:CN106797207A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201580053202.5
申请日:2015-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02448 , H03H9/02259 , H03H9/10 , H03H9/1057 , H03H9/173 , H03H9/2405 , H03H2009/155 , H03H2009/241
Abstract: 本发明提供压电振子以及压电振动装置,压电振子(13)为具备振动部(15)的压电振子(13),振动部(15)具有Si层(22),该Si层(22)是作为简并半导体的n型的Si层(22),且具有0.5mΩcm以上0.9mΩcm以下的电阻率。
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公开(公告)号:CN1170325C
公开(公告)日:2004-10-06
申请号:CN98119752.3
申请日:1998-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/08
CPC classification number: H03H9/178 , H03H9/1014 , H03H9/605
Abstract: 一种压电谐振器,包括基件,所述基件包括多个层叠的压电层和内部电极。相邻的压电层沿不同方向极化,而在它们之间设置有内部电极。在基件的一个侧面上设置凹槽,并在凹槽的两侧每隔一个露出内部电极。在内部电极未露出部分设置绝缘薄膜。在基件凹槽的两侧设置外部电极,并连接到内部电极上。由于采用这种结构,压电谐振器防止谐振频率和反谐振频率之间差值ΔF的减小。
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