薄膜晶体管、半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100511712C

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200510054713.7

    申请日:2005-03-14

    Abstract: 本发明提供了一种半导体元件,即使其衬底受热收缩影响极大,例如其衬底为大尺寸衬底,该元件的工作也不受影响。此外,本发明提供了均含有该半导体元件的薄膜半导体电路和薄膜半导体器件。另外,即使出现轻微的掩模版偏移时,半导体元件的工作也不受影响。考虑到这些,形成多个栅电极以覆盖半导体层的低浓度杂质区域,该区域的掺杂浓度低于漏区一侧的漏区。此外,形成对应于各个栅电极的源区和漏区,使得电流流过各个栅电板相应沟道区的方向相反。另外,电流以第一方向流过的沟道区的数目等于电流以与第一方向相反的方向流过的沟道区数目。

    显示设备及电子设备
    76.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108987574B

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN201810816873.8

    申请日:2015-02-02

    Abstract: 为了提供一种适合于在尺寸上增大的显示设备、一种显示不均匀性得到抑制的显示设备、或者一种能够沿着曲面显示图像的显示设备。上述显示设备包括第一显示面板及第二显示面板,其中第一显示面板及第二显示面板各自包括一对衬底。所述第一显示面板及第二显示面板各自包括第一区域、第二区域及第三区域,其中第一区域可以透射可见光,第二区域可以阻挡可见光,第三区域可以进行显示。第一显示面板的第三区域与第二显示面板的第一区域彼此重叠。第一显示面板的第三区域与第二显示面板的第二区域彼此不重叠。

    显示装置
    77.
    发明公开
    显示装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115542621A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211147382.1

    申请日:2016-02-03

    Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括:信号线121;扫描线103;第一电极123;第二电极125a;第三电极125b;第一像素电极139a;第二像素电极139b;以及半导体膜135,其中,信号线与扫描线交叉,第一电极与信号线电连接,第一电极包括与扫描线重叠的区域,第二电极与第一电极对置,第三电极与第一电极对置,第一像素电极与第二电极电连接,第二像素电极与第三电极电连接,半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触,并且,半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。

    半导体装置、驱动电路及显示装置

    公开(公告)号:CN107731856B

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN201710930241.X

    申请日:2014-02-21

    Abstract: 本发明的一个方式可以提供一种具有高开口率且包括高电荷容量的电容器的半导体装置。本发明的一个方式可以提供一种窄边框的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置,包括:衬底上的晶体管;其上设置有晶体管的栅电极的面上的第一导电膜;其上设置有晶体管的一对电极的面上的第二导电膜;以及与第一导电膜及第二导电膜电连接的第一透光导电膜。第二导电膜隔着第二导电膜与第一导电膜之间的晶体管的栅极绝缘膜与第一导电膜重叠。

    显示装置
    80.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111830758B

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN202010788172.5

    申请日:2016-02-03

    Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括:信号线121;扫描线103;第一电极123;第二电极125a;第三电极125b;第一像素电极139a;第二像素电极139b;以及半导体膜135,其中,信号线与扫描线交叉,第一电极与信号线电连接,第一电极包括与扫描线重叠的区域,第二电极与第一电极对置,第三电极与第一电极对置,第一像素电极与第二电极电连接,第二像素电极与第三电极电连接,半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触,并且,半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。

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