-
公开(公告)号：CN110016720B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201910414264.4
申请日：2019-05-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C30B30/00
Abstract: 本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种内部球形缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法。包括：S1、在硅基光子晶体表面蚀刻规则排列的阵列微孔；S2、将蚀刻后的硅基光子晶体置于超声耦合高温成型装置，所述超声耦合高温成型装置包括高温加热器及其外部布设的超声波换能器；S3、调节超声波换能器产生的超声驻波的频率和功率，通过热‑声耦合作用成型得到内部缺陷规则排列的硅基三维光子晶体。本发明针对恒温环境下硅基光子晶体内部空腔的成型常存在形状不定和位置偏移等问题，引入超声驻波来定位内部缺陷结构成型的位置，从而实现硅基内部产生周期性规则排列的空腔结构，为高Q值的硅基三维光子晶体内部腔体位置的调控提供新的思路。
-
公开(公告)号：CN109933917A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910203517.3
申请日：2019-03-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明具体涉及基于表面能作用的三维光子晶体内部球形缺陷定量成型的研究方法，所述三维光子晶体的表面具有二维阵列圆柱孔，所述研究方法包括以下步骤：步骤一：建立三维光子晶体的相场模型；步骤二：建立系统表面能方程；步骤三：选定二维阵列圆柱孔的直径D和孔径距离Ds不变，不断改变圆柱孔的深度H，调整H/D的极限条件，以获取三维光子晶体的系统表面能与所形成的球形缺陷空腔的定量关系。本发明利用三维光子晶体介质粒子的热扩散运动，在系统表面能作用下实现对光子晶体内部球形缺陷定量成型的研究，建立系统表面能E与球形缺陷空腔数量N之间的内在联系，为三维光子晶体内部微结构的稳定成型提供了新的思路方法。
-
公开(公告)号：CN106055887B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610361529.5
申请日：2016-05-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于相场模型下控制Ag2Ga纳米针长径比的研究方法，按如下步骤进行：一、建立Ag2Ga纳米针的三维计算模型；二、改变实验反应条件以及模拟时间来揭示纳米针长径比变化规律；在室温下，Ag微粒和液态Ga微粒之间会发生扩散形成Ag2Ga微粒，此时对其一端施加一个力拔出，形成Ag2Ga纳米针；在此过程中，实验反应的条件以及模拟时间都是影响Ag2Ga纳米针长径比的关键因素；进行如下操作：操作一：探究不同微粒浓度对Ag2Ga纳米针长径比变化的影响；操作二：探究不同模拟时间对Ag2Ga纳米针长径比变化的影响；操作三：探究不同拔出速度对Ag2Ga纳米针长径比变化的影响。
-
公开(公告)号：CN109063262A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810714586.6
申请日：2018-07-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009 , G06F2217/12
Abstract: 本发明公开了一种基于相场和温度场控制硅基内部微结构的方法。本发明利用硅原子的热扩散运动，基于相场和温度场研究硅基内部微结构的建模方法，建立起了硅基内腔稳定成型的计算模型，并通过改变外加热场，研究硅基内腔的成型变化机理，为微谐振腔制造的数值模拟提供了一条新的思路。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105776128B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610260358.7
申请日：2016-04-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了硅基微结构温热处理成形多样性控制方法：一：增大α＝Ds/D值，在同一温度环境中对样本热处理，得第一硅基微结构；二：增大α＝Ds/D值，与步骤一相同温度下，对样本进行热处理与步骤一相同时间，得第二硅基微结构；三：增大α＝Ds/D值，同第二步骤的温度及时间，得第三硅基微结构；四：增大tanθ＝(D+Ds)/H值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，得第四硅基微结构；五：增大tanθ＝(D+Ds)/H值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，得第五硅基微结构；六：增大tanθ＝(D+Ds)/H值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，得第六硅基微结构；七：增大α、tanθ值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，取三个初始状态值，分别得第七、八、九硅基微结构；以tanθ＝(D+Ds)/H为横坐标、α＝Ds/D为纵坐标，得硅基微结构变化状态。
-
公开(公告)号：CN106744659A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611150104.6
申请日：2016-12-13
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于激光控制纳米结构硅基表面形态的研究方法：一、分别用不同导热率的材料接触纳米结构的硅基板；二、激光照射纳米结构的硅基板表面；三、观察硅基表面形态，并测量硅基表面凸起的长径比。四、总结硅基表面形态的变化规律。本发明具有如下特点：其一，通过接触材料的导热率来改变纳米结构硅基表面形态。其二，用激光对纳米结构硅基板进行照射，清洁、环保、不产生任何污染。其三，改变纳米结构硅基表面形态所需的时间短，效率高。
-
公开(公告)号：CN104690737B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201510060933.4
申请日：2015-02-05
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B25J15/00
Abstract: 本发明公开了一种超声驻波悬浮夹持搬运机械手，包括横梁，横梁安装两导轨平台，每一导轨平台上安装有导轨，导轨滑动配合外滑块，外滑块固定连接移动平台，移动平台固定连接内滑块，内滑块穿过滚珠丝杆，滚珠丝杆通过螺纹推动内滑块运动；滚珠丝杆的第一端与驱动电机的电机轴连动；移动平台上安装换能器，换能器固定连接变幅杆；两变幅杆的一端相正对且留有间隙；在驱动电机的驱动下，两变幅杆作相对或反向同步运动。本发明超声驻波悬浮夹持搬运机械手用于工件非接触式搬运，在生产线上，其实现了机器人手臂末端非接触式的夹具功能。
-
公开(公告)号：CN105776128A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610260358.7
申请日：2016-04-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了硅基微结构温热处理成形多样性控制方法：一：增大α＝Ds/D值，在同一温度环境中对样本热处理，得第一硅基微结构；二：增大α＝Ds/D值，与步骤一相同温度下，对样本进行热处理与步骤一相同时间，得第二硅基微结构；三：增大α＝Ds/D值，同第二步骤的温度及时间，得第三硅基微结构；四：增大tanθ＝(D+Ds)/H值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，得第四硅基微结构；五：增大tanθ＝(D+Ds)/H值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，得第五硅基微结构；六：增大tanθ＝(D+Ds)/H值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，得第六硅基微结构；七：增大α、tanθ值，与步骤一相同温度和时间对样本热处理，取四个初始状态值，分别得第六、七、八、九硅基微结构；以tanθ＝(D+Ds)/H为横坐标、α＝Ds/D为纵坐标，得硅基微结构变化状态。
-
公开(公告)号：CN220935723U
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202322547698.6
申请日：2023-09-20
IPC: A01D46/30
Abstract: 本实用新型公开了一种采摘机械手及机器人，涉及农用机械的技术领域，包括夹爪机构、举升机构、输送管道和电控组件，夹爪机构连接于举升机构的顶部，且夹爪机构与举升机构呈钝角连接，夹爪机构上的夹爪为柔性材质，输送管道固定连接于夹爪机构的一侧，输送管道用于输送摘落的果实至收集装置，夹爪机构、举升机构均与电控组件电连接，便于实现自动化控制。本实用新型的夹爪为柔性材质可实现无损伤抓果实，夹爪机构与举升机构呈钝角连接，方便举升机构穿过交错的树枝实现机械采摘，最后还能安装在外接的机械臂上，进而能实现智能化无人采摘的功能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
84
records
(took 0.024 seconds)
