公开(公告)号：CN102623636A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210096994.2

申请日：2012-04-05

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李红霞 ,  季振国 ,  席俊华

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器及制备方法。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本发明存储器由重掺硅衬底、氧化铋薄膜、金属薄膜电极构成，氧化铋薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本发明方法是采用半导体标准清洗工艺清洗重掺硅衬底；然后采用磁控溅射法在重掺硅衬底上沉积氧化铋薄膜；最后在氧化铋薄膜上采用电子束蒸发法制备金属薄膜电极。本发明可简化存储器的制作工艺，并能很好地与硅集成电路工艺相兼容。

公开(公告)号：CN102181292A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110102004.7

申请日：2011-04-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  吴家亮 ,  张尔攀 ,  席俊华

IPC: C09K11/80 ,  C09K11/64

Abstract: 本发明涉及一种利用电子束轰击还原掺Eu铝酸锶夜光材料的方法。现有的还原方法能耗大，且用到或产生有毒有害气体。本发明方法首先将待还原掺Eu铝酸锶材料进行烧结，将烧结后的掺Eu铝酸锶材料放入真空室内，将真空室抽真空，使得真空室的压强小于等于10-1Pa，开启电子枪，电子枪发出的电子束打在待还原掺Eu铝酸锶材料上，利用光纤光谱仪通过观测窗检测待还原掺Eu铝酸锶，当检测到待还原掺Eu铝酸锶发出峰值波长为526nm的绿光时，关闭电子枪，取出掺Eu铝酸锶，即为还原后的掺Eu铝酸锶夜光材料。本发明方法不但可大大降低能源消耗和节省时间，且不需要任何气体或辅助材料，符合材料加工与处理的节能、低碳排放要求。

公开(公告)号：CN101975766A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010281712.7

申请日：2010-09-14

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  李铁强 ,  席俊华

IPC: G01N21/63

Abstract: 本发明公开了一种利用差谱法收集激光诱导反射光谱的方法，本发明通过比较激光器开启前后接收到的反射光谱的信号的变化，得出两者的之间的差谱信号，由此获得激光诱导紫外-可见反射光谱。本发明的方法省略了锁相放大器和斩波器，使得设备体积缩小，成本降低；使用了基于线性CCD的微型光谱仪，动态范围极大，而且可以同时测量所有波长的强度，测试速度大大提高；收集到的差谱呈现的是强度谱的形式，而利用光调制和锁相放大器技术获得的反射光谱的微分形式，因此数据处理和机理分析更加方便、直观。

公开(公告)号：CN101261892A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810061440.2

申请日：2008-04-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  黄东 ,  席俊华

IPC: H01C7/10 ,  H01C7/112

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌的低压薄膜压敏电阻器，它由绝缘基底上面沉积的两个或多个由金属电极－氧化锌薄膜－金属电极构成的基本单元串连而成，其中氧化锌薄膜为高度c轴取向的柱状晶体薄膜；本发明的阈值电压可调，制作工艺简单，适应性较强。

公开(公告)号：CN202523771U

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201220139116.X

申请日：2012-04-05

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李红霞 ,  季振国 ,  席俊华

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本实用新型存储器由重掺硅衬底、氧化铋薄膜、金属薄膜电极构成，氧化铋薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本实用新型可简化存储器的制作工艺，并能很好地与硅集成电路工艺相兼容。

公开(公告)号：CN202585542U

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201220124500.2

申请日：2012-03-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李红霞 ,  季振国 ,  席俊华 ,  毛启楠

IPC: H01L45/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于掺杂氧化锌薄膜的电阻式存储器。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本实用新型存储器由重掺硅衬底、掺杂氧化锌薄膜、金属薄膜电极构成，掺杂氧化锌薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式存储器的上电极。本实用新型可简化存储器的制作工艺，并能很好地与硅集成电路工艺相兼容。

公开(公告)号：CN201204106Y

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200820120021.7

申请日：2008-06-17

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  黄东 ,  席俊华

IPC: H01C7/112

Abstract: 本实用新型公开了一种阈值电压可调的低压薄膜压敏电阻器，它由绝缘基底上面沉积的两个或多个由金属电极-氧化锌薄膜-金属电极构成的基本单元串连而成，其中氧化锌薄膜为高度c轴取向的柱状晶体薄膜；本实用新型的阈值电压可调，制作工艺简单，适应性较强。

公开(公告)号：CN211843747U

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201922108378.4

申请日：2019-11-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  李阳阳 ,  席俊华

IPC: B41K1/02 ,  B41K1/36

Abstract: 本实用新型公开了一种具有计数功能的印章。印章管理党政机关和企事业单位管理的难题之一。本实用新型包括印章件和印泥件。印章件包括印章本体和印章壳体。印章本体依次包括按压手柄、印面平台、印面，印章本体整体侧部固定设置有磁钢。印章本体设置在印章壳体内，印章壳体内壁设置有传感器件，印章壳体外壁设置有显示屏。印泥件包括印泥、印泥内盒、印泥外盒、印泥盒盖，印泥外盒底部开孔，印泥盒盖顶面设有凸起。本实用新型耗电极小，使用方便，工作效率高。主管领导只要检查公章计算器的的计数与办公人员人工记录的盖章次数及时间是否与此一致，即可判断公章有没有被偷盖。

公开(公告)号：CN202523770U

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201220124497.4

申请日：2012-03-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李红霞 ,  季振国 ,  席俊华 ,  牛犇

IPC: H01L45/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于二氧化锡的电阻式随机读取存储器。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本实用新型存储器由重掺硅衬底、二氧化锡薄膜、金属薄膜电极构成，二氧化锡薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本实用新型通过采用新型的二氧化锡薄膜作为电阻式随机读取存储器中的阻变层，可以获得良好的电阻转变特性。

公开(公告)号：CN201188337Y

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200820086526.6

申请日：2008-04-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  席俊华 ,  黄东

IPC: H01C7/10 ,  H01C7/112 ,  H01C7/12

Abstract: 本实用新型公开了一种用于低压电子线路与电器保护的低压薄膜压敏电阻器，它是绝缘基底上面沉积的金属电极－氧化锌薄膜－金属电极单元；氧化锌薄膜为高度c轴取向的柱状晶体膜。本实用新型的低压氧化锌压敏电阻器具有制作工艺简单，阈值电压低，重复性好，工艺可控性强的特点。