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公开(公告)号：CN118800660A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410864005.2
申请日：2024-06-30
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 一种具备更高通流能力的SiC VDMOSFET及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明在SiC VDMOSFET器件中通过将常规条形状的沟道区设计布局成连续的凸台状，从而使器件内部的沟道区面积增加60%‑70%，使SiC VDMOSFET器件的通流能力相较于常规条形沟道区提高1.6倍‑1.7倍，这不仅提高了器件的功率密度，同时也降低了器件成本。
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公开(公告)号：CN118763066A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410853546.5
申请日：2024-06-28
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367
Abstract: TO‑247plus框架、封装体及制备方法、装配组件，涉及半导体技术领域。包括芯片放置区、位于框架的顶部的散热槽和设置在框架的侧部的散热翅。本案设计了具有侧面散热结构的TO‑247框架结构，该框架增加了顶部两个小的垂直结构，即本案散热槽，以及侧面两个较大的内嵌的垂直结构，即本案散热翅，可以引导热量从侧面散出，减小器件的结到壳热阻。
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公开(公告)号：CN118731627A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410945476.6
申请日：2024-07-15
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
Abstract: 一种半导体器件热阻测试方法，涉及半导体技术领域。本发明运用热敏电阻代替热电偶进行半导体器件引脚温度TL的读值，热敏电阻和半导体器件引脚通过焊锡结合，避免了热电偶和引脚的粘合度和接触度等都会影响热电偶的读值的问题，保证了热阻RTHJL值的稳定性和准确度，此外热敏电阻相对热电偶，在性价比上具备绝对的优势，使用本发明测试热阻RTHJL，不需要添加热电偶的配套设施，测试成本更低。
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公开(公告)号：CN118588707A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410623601.1
申请日：2024-05-20
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L23/535 , H01L21/77 , H01L21/768
Abstract: 半桥整流芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域。传统半桥器件需要将两个二极管芯片反向并联封装，封装工艺流程复杂，封装本体大，造成器件功率密度的降低和成本的增加，本案中半桥整流芯片将两个反向并联的二极管集成在一个芯片上，第一阳极到第一阴极区域的二极管垂直导电，第二阳极到第二阴极区域的二极管水平导电，有效利用了芯片的面积，使用本案中半桥整流芯片只需要封装一个芯片，封装工艺步骤和成本降低，使用本案中半桥整流芯片可以减少一半的芯片使用量，器件功率密度是传统半桥器件的2倍。
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公开(公告)号：CN118588676A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410621444.0
申请日：2024-05-20
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司 , 江苏扬杰半导体有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/34 , H01L23/538
Abstract: 一种倒装式并联双向开关功率模块，涉及半导体器件领域。包括塑封体，所述塑封体内设框架，所述框架的两侧伸出塑封体的两侧边缘；所述框架包括一对基岛，一对基岛的左右两侧设有栅极平台；一对基岛上分别设有功率芯片，所述功率芯片通过焊接或粘结与基岛相连，功率芯片的栅极通过焊接或粘结与栅极平台相连；设置在不同基岛上的功率芯片之间通过功率连接部连接。所述功率芯片为MOS芯片时，基岛为源极基岛，所述MOS芯片上的源极通过焊接或粘结与源极基岛相连，设置在不同源极基岛上的MOS芯片的漏极通过功率连接部连接。本发明由于不需要打线也减少了框架镀银，降低了成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118553791A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410833649.5
申请日：2024-06-26
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种集成异质结二极管的SiC UMOSFET及制备方法，涉及半导体技术领域。通过用P型多晶硅与SiC漂移层之间形成异质结二极管，将两者之间的导通电阻做小。在SiC UMOSFET器件续流过程中由于导通电阻更小，异质结二极管将先行导通，不仅降低了SiC UMOSFET器件的续流损耗，并且也可以避免SiCUMOSFET由于PN结体二极管续流而发生的双极退化效应发生，避免器件性能恶化。
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公开(公告)号：CN118553790A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410833630.0
申请日：2024-06-26
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种调节栅源寄生电容的SiC MOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。在SiC MOSFET器件中，通过将器件中隔离栅极和源级的氧化物介质层采用独特的布局，在不影响器件性能和正常使用的前提下加厚了氧化物介质层厚度，降低栅极与源级之间的寄生电容，改善了SiC MOSFET器件的开关特性。
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公开(公告)号：CN118538613A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410944076.3
申请日：2024-07-15
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种降低导通电阻的平面栅MOSFET及其制备方法，涉及半导体技术领域。在器件的P体区和P+沟道区之间形成一个薄的N+层，关态状态下G极电极不加电压，该N+层在P体区和P+沟道区的夹持下被完全耗尽，不导电，开态状态下G极电极加正电压，栅氧一侧P+沟道区形成反型层导电沟道，同时由于G极电极加正电压，P体区和P+沟道区夹持的N+层由完全耗尽状态转变为正常导电状态，N+层和反型层导电沟道并联，共同承担器件的通流，降低了平面栅垂直导电MOSFET导通电阻。
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公开(公告)号：CN118486670A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410853543.1
申请日：2024-06-28
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种框架及制造全侧翼可浸润半导体产品的方法，该方法包括以下步骤：S100、在来料框架背面贴上防溢膜；S200、在框架上涂上导电胶，从晶圆上吸取单颗芯片，固定到框架指定位置并通过导电胶固定；S300、在芯片的信号传输口中导出金属线与框架引脚实现电气连接；S400、使用环氧树脂注塑成型；S500、将注塑成型的框架的各单元间的塑封体横向划槽；S600、框架在软化液中浸泡，以去除表面溢胶；S700、进入高速电镀线，将整条框架镀上一层锡；S800、将框架各单元彻底划开，成为单颗产品。本发明制备的可浸润侧翼产品，能与常规产品共用设备，并实现引脚侧面全部上锡。
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公开(公告)号：CN118471925A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410739295.8
申请日：2024-06-07
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L23/40
Abstract: 一种引线钉头及轴向二极管，涉及半导体技术领域。本发明包括散热座、散热部和引线；散热座外侧设有芯片放置位，内侧设有散热槽；散热部固定设置在所述散热槽内；引线一端与散热槽固定连接，另一端从散热槽内伸出。通过增加散热环和散热部使散热效果更佳，减少芯片通电后的温度，同时引线散热平台面积增加后芯片受应力的面积减少，从而降低塑封料挤压造成失效的概率。
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