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公开(公告)号：CN116276547A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310243294.X
申请日：2023-03-14
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种多自由度大尺寸石英坩埚曲面化学机械磨抛装备及加工方法，包括床身、可移动加工台、坩埚固定吸盘夹具、主轴系统、异形磨抛轮工控柜、磨抛液喷雾系统、超声振动辅助加工系统和数控系统。可移动加工平台可沿Y方向移动，坩埚固定吸盘夹具用于不同尺寸石英坩埚的精确定位和稳定装夹，异形磨抛轮用于坩埚内壁不同部位曲面的磨削和抛光加工，磨抛液喷雾系统用于磨抛过程中供给磨抛液，超声振动辅助加工系统用于提供超声振动辅助磨抛加工以及检测加工过程中的受力情况和稳定性。本发明解决了大尺寸石英坩埚内壁曲面上缺陷及气泡层无法处理的问题，磨抛后的坩埚内壁整洁光滑一致性好，减少了石英坩埚制造中因缺陷等无法使用而形成的浪费。
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公开(公告)号：CN116214281A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310130911.5
申请日：2023-02-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种多能场耦合辅助增强射流交叉孔去毛刺化学机械抛光装备及加工方法，包括机架和安装在机架内的加工舱，收集舱，过滤舱，物料舱，水箱，喷嘴系统，光源，超声发生器，真空泵，高压泵，控制系统和外壳钣金。其将化学机械抛光方法应用于相交内孔抛光，实现了深交叉孔内毛刺的精确去除和内壁精密抛光。并通过喷嘴系统内引入光源，以光催化辅助提高化学机械抛光中的化学反应速率，降低反应势垒，提高反应活性，进而提高抛光效率。同时通过控制高压泵压力和扰流器，可以精确控制喷嘴系统内的流场行为，避免了在深交叉孔去毛刺抛光时出现“过抛”、“倒棱”、“欠抛”等过度损伤缺陷，以实现深交叉孔内毛刺精确去除和内壁精密抛光。
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公开(公告)号：CN112461264B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202011316697.5
申请日：2020-11-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于纳米制造、超精密加工、特种加工技术领域，提供了一种石英半球谐振子纳米制造装备。在原有的数控机床基础进行改造。该装备包括：数控微纳移动旋转平台、分度装置、聚焦离子束装置、化学机械抛光装置，激光干涉仪检测成像装置，辅助功能装置等。本装备可以实现一次装夹，同时完成磨削，超精密磨削，化学机械抛光，表面精度测量和离子束加工修型等几道工序，涉及到从宏观的材料去除到微观的纳米材料加工，实现的半球陀螺宏微纳一体化制造加工，使其达到表面粗糙度，圆度，圆柱度均小于100nm。
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公开(公告)号：CN114274507B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111601844.8
申请日：2021-12-24
Applicant: 大连理工大学
IPC: B29C64/171 , B29C64/20 , B29C64/268 , B29C64/321 , B29C64/379 , B29C64/386 , B29C64/393 , B33Y30/00 , B33Y40/20 , B33Y40/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02 , B24B1/00
Abstract: 本发明提供一种大型碳纤维复材天线曲面成型及原位修形方法。本发明包括将模具放置在工作台上，在控制中心输入大型碳纤维复材天线曲面结构模型，设置加工参数，激光束枪开始沿预设模型轨迹打印天线毛坯结构；图像采集装置采集天线毛坯的结构数据，并将采集的数据信息传输回控制中心；控制中心与预设天线模型相关部位数据进行比对，检测并计算其成型轮廓精度及差值，检测结果由反馈系统传回控制系统；控制系统接收反馈信息后，依照预设天线模型结构调整并启动自修形程序，控制系统控制修形装置完成天线毛坯结构的原位修形；本发明避免了修整缺陷时装夹带来的二次伤害和误差，减少了加工工序，缩短了加工周期。
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公开(公告)号：CN113523968B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110904166.6
申请日：2021-08-06
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种石英半球谐振子激光和超声辅助磨削制造装备及其方法，装备包括：数控微纳移动旋转工作台、磨削装置和激光辅助加工装置，谐振子固定装夹在数控微纳移动旋转工作台上，绕Z轴进行回转，并进行连续圆周进给运动，沿Z轴前后移动，磨削装置沿C轴旋转及沿C轴前后移动，对谐振子上不同区域进行超声振动辅助磨削加工，激光辅助加工装置与C轴成一定偏角，对谐振子上即将加工表面辅助加热。本发明采用的球形磨头是陶瓷结合剂掺杂氧化铈的金刚石砂轮，磨头杆通过超声波换能器和变幅器与气浮主轴连接实现超声辅助加工，磨削过程中采用CO2激光束实现激光辅助加工，从而利用超声振动辅助和激光辅助实现谐振子的磨削、精密磨削和超精密磨削。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114274507A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111601844.8
申请日：2021-12-24
Applicant: 大连理工大学
IPC: B29C64/171 , B29C64/20 , B29C64/268 , B29C64/321 , B29C64/379 , B29C64/386 , B29C64/393 , B33Y30/00 , B33Y40/20 , B33Y40/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02 , B24B1/00
Abstract: 本发明提供一种大型碳纤维复材天线曲面成型及原位修形方法。本发明包括将模具放置在工作台上，在控制中心输入大型碳纤维复材天线曲面结构模型，设置加工参数，激光束枪开始沿预设模型轨迹打印天线毛坯结构；图像采集装置采集天线毛坯的结构数据，并将采集的数据信息传输回控制中心；控制中心与预设天线模型相关部位数据进行比对，检测并计算其成型轮廓精度及差值，检测结果由反馈系统传回控制系统；控制系统接收反馈信息后，依照预设天线模型结构调整并启动自修形程序，控制系统控制修形装置完成天线毛坯结构的原位修形；本发明避免了修整缺陷时装夹带来的二次伤害和误差，减少了加工工序，缩短了加工周期。
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公开(公告)号：CN114260467A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111601840.X
申请日：2021-12-24
Applicant: 大连理工大学
IPC: B22F12/00 , B22F10/28 , B22F12/58 , B22F12/67 , B22F10/68 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y40/20 , B33Y80/00
Abstract: 本发明提供一种基于巴西果效应的功能梯度材料制备装置及其制备方法，装置包括工作腔室、粉料混和控制装置、铺粉装置和材料成型装置，粉料混和控制装置用于将粉料混合并发生振动，使粉料出现巴西果效应，实现粉料的梯度式分层，并将分层后的粉料逐层输送至工作腔室中；铺粉装置用于将上层的粉料铺设在工作腔室内部的打印区域，当铺设的粉料打印完毕后，再进行下一层粉料的铺设；材料成型装置利用激光器对打印区域的粉床进行融化、打印，和铺粉步骤相结合，铺设一层粉料，便打印一层，最终得到功能梯度材料。本发明充分发挥了激光选区熔融技术的优势，可直接制造出梯度高度连续的材料，实现功能梯度材料高效、高质量的制备。
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公开(公告)号：CN111774944B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202010736235.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于硬脆材料精密加工领域，具体公开了一种尖拱形蓝宝石整流罩磨抛一体化加工工装与方法。工装用于对尖拱形蓝宝石整流罩进行磨抛加工，包括内圆面磨抛刀具和外圆面磨抛刀具，内圆面磨抛刀具由外凸圆面端和夹持轴Ⅰ组成，外凸圆面端外圆面加工有相互交叉的凹槽Ⅰ，外圆面磨削刀具由内凹圆面端和夹持轴Ⅱ组成，内凹圆面端内圆面加工有相互交叉的凹槽Ⅱ。本发明的加工方法包括粗磨、精磨和抛光工序。与传统加工方法相比，本发明提供的工装与方法，加工完成后零件的表面光洁度和面形精度高，无崩边、变形、破碎等缺陷。
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公开(公告)号：CN113600995A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110904153.9
申请日：2021-08-06
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种石英半球谐振子原位形性检测离子束抛光原子制造装备及方法，装备包括数控系统、安装在机床上的微尺度移动平台装置以及安装在机床底座上的原位形性检测装置、频差检测装置、离子束加工装置、传送装置和工作台，数控系统接收由原位形性检测装置测得的石英半球谐振子形位精度和轮廓及由频差检测装置测得的石英半球谐振子频差，进行精确计算，生成指令传送回微尺度移动平台装置，带动夹具进行移动，同时控制离子束加工装置，对石英半球谐振子进行精密加工。本发明可显著降低废品率，对石英半球谐振子高质高效地进行精密加工。
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公开(公告)号：CN113504393A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110768286.8
申请日：2021-07-07
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供了一种环境气氛电镜原位加热和原位通电样品的制备方法。先利用聚焦离子束沉积一层1‑2μm的保护层，然后用较大束流减去目标样品周围多余的材料，得到一个微米片，在不转移目标样品的前提下继续用低束流进行样品减薄直至样品厚度为100‑200nm；将样品转移到机械手上，用较低的束流和电压在机械手上进行精减薄使其厚度达到50‑70nm，最终转移到芯片上的一种样品制备的方法。本方法可以在不损伤芯片，保证芯片的气密性的前提下，制备具有高分辨率，低损伤，薄度良好的环境透射样品。本发明是一种不损坏芯片的原位环境芯片的制备方法。
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