公开(公告)号：CN101589443A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880002769.X

申请日：2008-01-22

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  住友大阪水泥股份有限公司 ,  株式会社友华

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  石塚雅之 ,  日高宣浩 ,  白方恭

IPC: H01F1/26 ,  H01F1/147 ,  H01F1/24 ,  H01F1/37 ,  H01F41/02 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K9/00

CPC classification number: H01F41/0246 ,  H01F1/26 ,  H01F1/37 ,  H05K1/0233

Abstract: 本发明提供在数百MHz～数GHz的频率下磁损耗足够小的复合磁性体及其制造方法。在将磁性粉末分散在绝缘性材料中而构成的复合磁性体中，所述磁性粉末为球状或扁平状，所述复合磁性体具有下面的(a)～(c)中的任意一种特性。(a)1GHz或500MHz的频率下，相对磁导率μr大于1，并且介质损耗角正切tanδ为0.1以下，(b)在1.2GHz以下的频率下的复磁导率的实部μr’大于10，且介质损耗角正切tanδ为0.3以下，以及(c)复磁导率的实部μr’在4GHz以下的频率下大于1，且在1GHz以下的频率下介质损耗角正切tanδ为0.1以下。

公开(公告)号：CN101469794A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810184721.7

申请日：2008-12-29

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  霓佳斯股份有限公司 ,  斯特拉化工公司 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  伏见圭太 ,  山中二朗 ,  宫下雅之 ,  西冈群晴

IPC: F16L11/04

CPC classification number: B32B27/28 ,  B32B1/08 ,  B32B27/34 ,  Y10T428/1393

Abstract: 一种树脂管具有由氟树脂形成的内层、尼龙的中间层以及由氟树脂形成的且覆盖所述中间层的最外层。

公开(公告)号：CN101461062A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020846.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立大学法人东北大学 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： A·O·阿丹 ,  菊田光洋 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘 ,  矢部弘男 ,  渡边高训

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明提供一种功率MOS晶体管的导通电阻较低且表层沟道MOS晶体管部分的处理速度较快的、功率IC器件及其制造方法。芯片(2a)表面的面方位为偏离硅的(110)结晶面－8°以上+8°以下的面方位，P沟道型沟槽功率MOS晶体管(10)具有：在芯片(2a)的表面上穿孔形成的沟槽(3)、沟槽(3)内的栅区(11)、沟槽(3)的横壁部分的反型沟区(12)、形成于芯片(2a)的表面层的源区(14)、形成于芯片(2a)的背面层的漏区(13)。表层沟道MOS晶体管(20)具有反型沟区(22)，其中，反型沟道电流的方向为偏离上述硅的 结晶方向－8°以上+8°以下的方向。

公开(公告)号：CN101425503A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810173026.0

申请日：2008-10-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 根本刚直 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/345 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，可以抑制对层间绝缘膜的损伤，且通过溅射形成以钽为主要成分的阻挡膜。该制造方法具备在层间绝缘膜(113)上通过使用氙气的溅射，形成以钽或氮化钽为主要成分的阻挡膜(116)的溅射成膜工序。溅射成膜工序也可以具备：在层间绝缘膜(113)上，通过对基板施加RF偏压而进行的使用氙气的溅射来形成以氮化钽为主要成分的阻挡膜(116A)的工序；通过不施加RF偏压而进行的使用氙气的溅射，在阻挡膜(116A)上形成以钽为主要成分的阻挡膜(116B)的工序。阻挡膜(116)也可以通过使RF偏压连续地变化，在层间绝缘膜(113)一侧施加RF偏压来形成，在布线层(117)一侧不施加RF偏压来形成。

公开(公告)号：CN101273311A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200580051700.2

申请日：2005-09-27

Applicant: 爱德万测试株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 冈安俊幸 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: G05B19/418

CPC classification number: Y02P90/02

Abstract: 本发明提供一种管理方法，该方法是针对通过多道生产工序生产电子器件的被管理生产线，管理各道生产工序中使用的各个生产装置的管理方法；具有：基准特性取得阶段，其取得基准器件的特性，该基准器件通过可实施多道生产工序的、预定的基准生产线生产；比较器件生产阶段，其使被管理生产线处理多道生产工序中的至少一道生产工序，使基准生产线处理其它生产工序，生产比较器件；比较特性测定阶段，其测定比较器件的特性；特性比较阶段，其比较基准器件的特性和比较器件的特性；判定阶段，其根据特性的差异，判定处理比较器件的被管理生产线的生产工序中使用的生产装置是否良好。

公开(公告)号：CN1981368A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200580021970.9

申请日：2005-07-11

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  斯特拉化工公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  菊山裕久 ,  二井启一 ,  山本雅士

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体表面的原子洗脱少、能够制成清洁且平坦的半导体表面的处理液、处理方法及半导体制造装置。本发明使用含有醇类或酮类中的至少一种的水溶液，由此能够得到实现从半导体表面的洗脱少的处理及清洁且平坦的表面的处理液、处理方法及半导体制造装置。