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公开(公告)号:CN105016632B
公开(公告)日:2018-10-26
申请号:CN201510323673.5
申请日:2015-06-12
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本专利公开了一种低温表面活化直接键合制备石英玻璃毛细管的方法。所述方法通过湿化学法活化石英玻璃表面,采取多层玻璃堆叠直接键合的方式,在较低温度下辅以适当的压力实现石英玻璃毛细管的制备。特定尺寸的钢针被加入到模型中用于限定毛细管道的尺寸和位置,制备的毛细管孔径最小可达200μm,键合强度可达5MPa。本发明低温表面活化键合操作简单,对玻璃片表面粗糙度要求较低,而且无需洁净间以及昂贵的超高真空等离子处理设备。所述方法克服了传统方法制备毛细管道可能产生的管道塌陷,器件表面失透及内壁粗糙等问题,所制得管道内壁光滑,增大了孔道内样品的可视区域,大幅度提升芯片性能。
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公开(公告)号:CN108084799A
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201711241749.5
申请日:2017-11-30
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: C09D11/52 , C09D11/033 , H01Q1/22 , H01Q1/36 , H01Q1/38 , B22F1/00 , B22F1/02 , B22F9/24 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种用于射频识别RFID天线导电图案的材料,其具体特征如下:该材料为核壳结构金属纳米颗粒,内核为50nm左右的Cu颗粒,Ag层通过置换与化学沉积复合的方法包覆在Cu表面,将该Cu@Ag纳米颗粒与无水乙醇和去离子水混合配置固含量70%左右的导电油墨,通过钢网印刷、烧结得到。本材料采用钢网印刷可制作不同厚度的天线图案,满足各频段不同阻抗要求的天线。该Cu@Ag纳米颗粒具有阻抗低、导电性高、Ag层厚度可控等特点,相对于Cu导电油墨具有高的抗氧化性,相对于纯Ag或Au导电油墨成本大大降低,并且通过控制Ag层厚度可以实现最佳烧结性能,同时材料制备工艺简便、油墨溶剂环保、可再生,在射频识别RFID天线用导电油墨领域具有非常大的应用前景。
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公开(公告)号:CN107910128A
公开(公告)日:2018-04-13
申请号:CN201710950176.7
申请日:2017-10-13
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种氧化石墨烯自组装复合银纳米线改善柔性器件机械性能的方法,其中,银纳米线是通过多元醇还原法制备所得,氧化石墨烯通过自组装形成一定厚度的薄膜,然后通过转移与银纳米线复合在柔性板上形成柔性薄膜器件。整个过程操作简单,氧化石墨烯薄膜厚度均一,整体的复合效果明显,可实现柔性透明导电薄膜同时具有高透明度、高导电率、高稳定性的特点。该工艺操作简单,设备要求低,具有可重复性。利用此方法制备所得透明导电薄膜机械性能稳定,同时具备高透过率、高导电性能、高柔韧性及耐磨擦性,可以广泛应用于太阳能电池、柔性液晶显示器和柔性触摸屏等领域,实现企业高质量高精度生产需求。
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公开(公告)号:CN107513310A
公开(公告)日:2017-12-26
申请号:CN201710581613.2
申请日:2017-07-17
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种磁性纳米墨水及磁性柔性电路或器件的制备方法,所述磁性纳米墨水包括磁性纳米颗粒,所述磁性纳米颗粒的表面包覆有一层银包覆层;所述银包覆层的厚度为1~50nm。采用本发明的技术方案,通过将银层包覆在磁性纳米颗粒的表面,并控制包覆厚度为1-50纳米时,能获得有效降低烧结温度的效果,利用该技术配制的墨水,在柔性衬底上打印、印刷或手动涂覆后,可实现20-100℃低温烧结;而且利用包覆了银层的磁性纳米颗粒配制的墨水也具有良好的流动性,能够在低温下在柔性衬底上烧结形成电极和磁电器件,可用于制备高灵敏度柔性磁电器件,可实现弯折条件下稳定的电阻率和对非接触式磁场响应等方面的性能。
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公开(公告)号:CN107297586A
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201710442433.6
申请日:2017-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院 , 深圳市汉尔信电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于面阵列封装用铜基非晶焊球及其制备方法及封装方法,所述用于面阵列封装用铜基非晶焊球为非晶球形Cu46Zr42Al7Y5粉末,在面阵列封装过程中,熔融Sn通过扩散反应将非晶球形Cu46Zr42Al7Y5粉末与焊盘连接起来。采用本发明的技术方案,采用铜基Cu46Zr42Al7Y5非晶焊球实现面积阵列封装互连,该材料在互连过程中并不熔化,在连接过程中只通过扩散反应达到连接的目的,焊球高度基本不发生变化,连接过程耗时短,所用焊盘并不需要镀上阻焊层和Au层,完成互连后焊球形状不发生明显变化,提高了抗高温和抗电迁移性能。
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公开(公告)号:CN106825998A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710113988.6
申请日:2017-02-28
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院 , 上海航天设备制造总厂
IPC: B23K35/40
CPC classification number: B23K35/40
Abstract: 本发明提供了一种用作大功率芯片封装的无氧化纳米铜焊膏及其制备方法:采用粒径为30nm‑60nm的表面无氧化的铜纳米颗粒,按照质量比为2:1‑5:1的比例与有机溶剂混合,经机械搅拌和行星式重力搅拌充分后,得到纳米铜焊膏。本发明进一步提供表面无氧化铜纳米颗粒的制备方法,采用本发明中的方法所制备得到的无氧化纳米铜焊膏具有比普通纳米铜焊膏以及锡铅钎料更高的导电性能和更好的力学性能。本发明中的制备方法简单实用,对环境无污染,可产业化推广应用。
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公开(公告)号:CN106825978A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710103807.1
申请日:2017-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种用于陶瓷与金属焊接的钎料及焊接方法,所述用于陶瓷与金属焊接的钎料为铋基玻璃料,所述铋基玻璃料包含的组分及其质量百分比为Bi2O3 60‑80%,B2O3 5‑20%,ZnO 7‑20%,其余为微量添加元素;所述微量添加元素包含SiO2、TiO2、MgO中的一种或几种。本发明的技术方案,基于金属与铋氧化物的化学交互作用,获得了更高的结合强度,不同于以往陶瓷与金属简单的玻璃粘结和高温烧结的连接方法,该方法简单,成本低,可操作性强,为微型器件制造提供了又一种切实可行的方法。
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公开(公告)号:CN106124698A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201610424229.7
申请日:2016-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种快速评价Sn基钎料Sn晶须生长倾向的方法,该方法通过制备Mg/Sn基钎料/Mg超声辅助钎焊接头为晶须生长提供载体。在超声钎焊过程中,由于超声波的作用,大量的Mg原子进入液态钎料中,其中大部分Mg原子与Sn原子结合,在界面处、钎料内部生成Mg2Sn;另有一部分Mg原子以固溶的形式存在于钎料中。钎料凝固后,固溶的Mg原子处于热力学不稳定状态,Mg原子与Sn原子反应形成新的Mg2Sn,并产生体积膨胀,进而在焊缝中形成应力。Sn晶须在应力作用下大量、迅速的生长。本发明可通过统计对比不同Sn基钎料所制备的焊缝表面晶须生长情况,比较不同钎料的Sn晶须生长倾向,为电子工业提供重要的钎料可靠性参数。
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公开(公告)号:CN105755427A
公开(公告)日:2016-07-13
申请号:CN201610245921.3
申请日:2016-04-20
Applicant: 深圳八六三计划材料表面技术研发中心 , 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种奥氏体不锈钢及其复合等离子体强化方法,该强化方法包括工件清洗、等离子体电化学纳米化预处理、清洗烘干、等离子体轰击清洗和低温离子渗氮,可以在奥氏体不锈钢表面生成复合强化层。本发明具有以下有益效果:(1)纳米化预处理采用等离子体电化学方法,处理速度快,工件不变形,异型工件也能均匀处理;(2)等离子体轰击清洗可以去除等离子体电化学方法生成的疏松层,有助于工件硬度和耐蚀性的提高;(3)低温渗氮不会生成氮化铬,相对其他方法,工件耐腐蚀性得到显著提高;(4)低温渗氮生成的离子氮化层具有较高的硬度,配合一定厚度的纳米结构层,韧性较好,可以承载更大的载荷。
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公开(公告)号:CN104191057B
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201410398348.0
申请日:2014-08-13
Applicant: 中国电器科学研究院有限公司 , 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种多孔金属基体复合钎料合金钎焊接头的制备方法,该方法采用了填充有钎料合金的多孔金属基体复合钎料合金,通过将复合钎料层预制于硬质母材之间,然后通过加热使填充于多孔金属层中的钎料合金熔化,再将超声振动装置的工具头作用于母材表面并施加一定压力和一定时间的超声振动,完成钎焊过程。通过该方法制备钎焊接头时,高熔点的多孔金属在钎焊过程中能对钎缝层起到支撑作用,避免了液相钎料合金在超声振动作用下被过度的挤出,因此能够实现大熔合面钎焊接头的制备;此外,钎缝层中多孔金属层的存在能降低钎缝层的热膨胀系数,还能增加钎缝层以及钎缝层和母材间连接界面的强度。
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