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公开(公告)号：CN101224877B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810063928.9
申请日：2008-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584
Abstract: 一种氮化硅纳米线的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将含碳质量为20～60％的碳/二氧化硅纳米复合粉体装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线。本发明一种氮化硅纳米线的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。
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公开(公告)号：CN101870800A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010184682.8
申请日：2010-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 中空碳纤维布环氧树脂复合材料及其制备方法，它涉及碳纤维环氧树脂复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的碳纤维环氧树脂复合材料密度大及碳纤维环氧树脂复合材料的过程中需要首先要对碳纤维进行复杂的改性的问题。本发明中空碳纤维布环氧树脂复合材料是由中空碳纤维布和环氧树脂胶制成的；方法：将尿素和乙二醇放入石墨坩埚中，然后在气氛烧结炉中制成中空碳纤维布；然后将中空碳纤维布浸渍在由双酚A型环氧树脂、丙酮和二乙烯三胺组成的环氧树脂胶中，取出后经压制和真空干燥后，得到中空碳纤维布环氧树脂复合材料。中空碳纤维布无需表面处理，复合材料密度为1.00～1.05g/cm3，可于宇宙飞船、人造卫星、航天飞机和导弹上。
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公开(公告)号：CN101723675A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910308549.6
申请日：2009-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/583 , C07F5/05
Abstract: 氮化硼陶瓷有机先驱体及其制备方法，它涉及陶瓷有机先驱体及其制备方法。本发明解决了目前氮化硼陶瓷聚合物先驱体热稳定性差、陶瓷产率低，制备方法条件苛刻、生产周期长的问题。本发明的氮化硼陶瓷有机先驱体的结构式为：其中n＝1、2或3。本发明方法如下：将三氯硼吖嗪和苯胺加入到甲苯中，搅拌，过滤除去深沉物质，然后将滤液加热并保温，最后再减压蒸馏脱除甲苯得到氮化硼陶瓷有机先驱体。本发明氮化硼陶瓷有机先驱体可以用于制备氮化硼陶瓷纤维、薄膜、泡沫、异形体和粉体。
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公开(公告)号：CN101708828A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910310297.0
申请日：2009-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 氮化硼纳米管的提纯方法，它涉及一种纳米管的提纯方法。本发明解决了套娃状氮化硼纳米管中金属催化剂粒子通常被包覆在氮化硼管的内部，不容易被除去的问题。本发明方法如下：将氮化硼纳米管超声处理、过滤，然后将滤渣氧化0.5小时～6小时，得到氧化物，再将氧化物在去离子水中水洗0.5小时～10小时，然后酸洗1小时～50小时，最后再用去离子水洗3次、醇洗1次，然后过滤、烘干，即得纯净的氮化硼纳米管。经过本发明方法提纯后的氮化硼纳米管的质量百分含量可达到95％以上。
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公开(公告)号：CN101224876A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810063927.4
申请日：2008-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584
Abstract: 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线和纳米带的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将工业硅粉装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线和氮化硅纳米带。本发明一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101104518A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710072702.0
申请日：2007-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B35/08 , C01B21/082 , C04B35/5835 , C04B35/14
Abstract: 一种纳米SiBON陶瓷粉体的制备方法，它涉及纳米陶瓷粉体的制备方法。它解决了现有SiBON陶瓷粉体制备存在的合成周期较长、工艺繁杂等问题。本发明的方法为：一、将硼酸乙酯、乙醇和苯按照配制混合液，放入三口瓶中；二、向混合液中添加四氯化硅液体；三、维持磁力搅拌，向三口瓶中通氮气流，采用油浴加热方式控制反应温度；四、提高反应温度；五、将凝胶粉末放入管式炉内进行热处理，然后随炉冷却至室温取出经热处理的凝胶粉末；六、将经热处理后的凝胶粉末放入气氛烧结炉内，充入高纯氮气，冷却至室温，即制得SiBON纳米陶瓷粉体。本发明选用的原料容易获取，工艺周期短、操作简便，产物颗粒度在20～50纳米，产物为具有分散性好和非晶态的SiBON纳米陶瓷粉体。
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公开(公告)号：CN1962433A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610151102.9
申请日：2006-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线及其制备方法，它涉及一种带有伴生结构的纳米线及其制备方法。一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线由6～24％的碳、53～68％的硅和11～40％的氧制成。一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线的制备方法通过以下步骤实现：(一)配制混合溶胶；(二)搅拌；(三)凝胶化处理；(四)将得到的凝胶放入坩埚内并置于管式加热炉中，抽真空；(五)向管式加热炉中通入氩气；(六)进行气氛烧结；(七)冷却到室温，即得到含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线。
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公开(公告)号：CN1217162C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN02132939.7
申请日：2002-09-14
Applicant: 哈尔滨工业大学科技发展有限责任公司
IPC: G01F15/04
Abstract: 补偿式热式气体质量流量计，它涉及一种测量气体流量的仪表。它包含了被测管道(2)，它还包含了被测管道的参比室(3)和信号采集电路(1)，参比室(3)安装在被测管道(2)的一侧上，并留有一个边隙(3-1)、另一个边隙(3-2)，使参比室(3)与被测管道(2)相通；铂电阻Rt1安装在被测管道(2)中，铂电阻Rt2、铂电阻Rt3安装在被测管道的参比室(3)中；信号采集电路(1)由主电桥(1-1)、副电桥(1-2)、信号比较电路(1-3)组成。本发明具有测量准确，稳定；不会因为气体的温度、压力、成分的变化而使测量的准确性下降；它还具有在不同条件下零点稳定的优点。
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公开(公告)号：CN118387907A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410452327.6
申请日：2024-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01F7/025
Abstract: 本发明公开了一种具有核壳结构的纳米结构氧化铝喂料粉体及其制备方法，所述喂料粉体具有核壳结构，表层为经过高温熔化后快速凝固形成的致密氧化铝壳，芯部为团聚的纳米尺寸氧化铝粉体，其中：所述表层的厚度为1～5μm；所述纳米尺寸氧化铝粉体的粒径尺寸为10～80nm。本发明采用核壳结构构造的方式可以保证粉体具有良好的球形度，对于提升喂料粉体的流动性具有相应的优势，同时由于表面熔化后在快速凝固过程中存在较大收缩，在壳收缩的过程中可以将芯部的粒子进一步致密化，从而对于粉体密度的提升具有明显的作用。
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公开(公告)号：CN117736629A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311762155.4
申请日：2023-12-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09D163/00 , C09D7/63
Abstract: 本发明公开了一种适用于纳米结构绝缘陶瓷涂层的封孔剂及其应用，所述封孔剂包括环氧树脂、D230固化剂、γ‑氨丙基三乙氧基硅烷偶联剂和溶剂型分散剂，其中：D230固化剂与环氧树脂的质量比为30：100～120，γ‑氨丙基三乙氧基硅烷偶联剂与环氧树脂的质量比为0.1～2：100；溶剂型分散剂与环氧树脂的质量比为0.1～2：100。该封孔剂固含量高，黏度低，固化时间长，渗透性好，操作简单，解决了传统环氧树脂作为封孔剂时出现的黏度大、固化时间短、渗透深度低的问题，在满足封孔需求的同时，还可以大幅提升涂层的绝缘性能，而且不受环境湿度的影响。
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