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公开(公告)号：CN101885618A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010257400.2
申请日：2010-08-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00
Abstract: 反应烧结碳化硅陶瓷件的连接方法，它涉及一种结连接陶瓷件的方法。本发明解决了钎焊连接陶瓷件会在陶瓷与钎料之间形成热应力，影响陶瓷焊接件的稳定性，胶接方法中有机胶的耐高温性能较差的问题。本方法如下：用石膏板将碳化硅陶瓷件分瓣的待连接面所形成的空间包围，形成腔体，然后将用于制备碳化硅陶瓷的浆料填满腔体，干燥，再烧结，机械加工，得到碳化硅陶瓷件。将采用本发明方法连接后的碳化硅陶瓷件使用手持式显微镜观察对接面之间部分及边界部分，很难辨别基体与后形成的反应烧结碳化硅。连接部分具有与基体相近的断裂强度，用显微镜对连接部位进行观察后发现连接部分与基体部分之间结合非常紧密，没有发现缺陷。
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公开(公告)号：CN101315434B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200710072297.2
申请日：2007-06-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02B5/08 , C04B35/565 , C04B35/65 , C04B41/80
Abstract: 随动系统轻质反射镜部件的制造方法，传统的光学玻璃反射镜具有很低的热膨胀系数，适于在温度变化较大的环境下工作，但是其比刚度小，不能制成轻质结构，因此光学玻璃反射镜的质量较大；铍反射镜具有很好的机械和物理性能，是较为理想的光学反射镜，但是铍材料具有毒性，使得其制备和加工成本大幅度增加。随动系统轻质反射镜部件的制造方法，其组成包括：碳化硅反射镜(1)、铝合金支架(2)，所述的铝合金支架与反射镜由环氧树脂粘合在一起。本发明应用于光学领域。
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公开(公告)号：CN101333115A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200710072420.0
申请日：2007-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 复杂形状陶瓷件的叠层制备法，快速成形技术是八十年代中期发展起来的一种造型新技术，由于快速成形技术无需机械加工或任何模具，直接从CAD模型生成复杂形状的制件。分层实体造型是将薄膜材料逐层激光切割成所需形状，然后叠加在一起的造型方法。本发明组成包括：设计零件、备料、混料、片层设计、片层粘结、陶瓷零件的烧结，所述的备料包括选择三氧化二铝粉体和确定陶瓷粒度的尺度范围及颗粒的纯度，所述的片层设计是首先使用三维造型软件将所需要制备的零件的三维图形输入到计算机中，然后在计算机上对零件进行分层，片材厚度被确定为0.7mm，生成单层零件的加工指令，然后再通过数控设备加工零件单层。本发明涉及材料领域。
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公开(公告)号：CN101333112A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200710072419.8
申请日：2007-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B38/00 , C04B35/64
Abstract: 制备碳化硅多孔陶瓷的燃烧合成法，随着特种陶瓷材料需求的日益增大，提高生产效率、降低生产成本已成为目前特种陶瓷材料研究的热点。本发明组成包括：多孔陶瓷的设计、制粉、燃烧合成，所述的燃烧合成是将干燥后的粉体以松散的形式倒入模具中，并在模具旁边堆放一层引燃剂，开始燃烧合成时，接通加热电阻的电源，使其发热，将引燃剂点燃，在引燃剂的作用下，粉体也开始燃烧，在粉体燃烧40－60s后，在压头上施加100－150t的压力，使其成型，并一直保持此压力直至其冷却至室温。本发明应用于材料领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101177779A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710144777.5
申请日：2007-12-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法，它涉及碳化硅反射镜表面的涂膜方法。它解决了现有反射镜的两相具有相差悬殊的硬度值，使抛光的均匀性受到影响，加工难度高；反射镜的粗糙度较高、表面易损伤的问题。本发明的方法为：一、将碳化硅反射镜进行清洗；二、将碳化硅反射镜置于磁控溅射真空仓内的加热台上；三、将真空仓内抽真空，对碳化硅反射镜加热；四、通入Ar气，启动电离电源，对碳化硅反射镜表面进行电离清洗；五、向反射镜表面进行磁控溅射沉积镀膜。本发明方法制备的硅膜致密性好，覆盖了碳化硅表面的两相组织，易于抛光，光学精度高，硅膜与反射镜表面的结合性好。
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公开(公告)号：CN206232844U
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201621066183.8
申请日：2016-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种蓝宝石单晶电阻生长炉，包含真空炉体，在真空炉体内部包含保温层、加热电极、坩埚、籽晶杆、智能电源系统、热场系统、控制系统；坩埚通过支柱和托板设置在真空炉体的中间，在坩埚的上方设有保温层，加热电极还与真空炉体固定连接并伸出真空炉体之外，在加热电极内设有水循环通道，所述真空炉体上设置有大炉盖和小炉盖，在小炉盖上设置有旋转机构，所述籽晶杆的上端与伺服运动电机连接，籽晶杆的下端伸入坩埚内。本实用新型解决了传统蓝宝石单晶电阻生长炉打开大炉盖时费时费力的问题，用于生长蓝宝石单晶生长。
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公开(公告)号：CN203420008U
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201320436604.1
申请日：2013-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B15/00
Abstract: 本实用新型涉及一种熔体长晶用的真空炉，主要是为解决现有的熔体长晶用真空炉生产的产品成品率低，质量不稳定的问题而设计的。它包括炉体、大炉盖、电极、小炉盖、单晶提拉机构、单晶旋转机构、单晶提拉杆、坩埚、坩埚托盘、托盘顶柱、坩埚盖、上隔热屏、加热器、下隔热屏、侧隔热屏；在下隔热屏下面设下保温砖层，在侧隔热屏的外面设侧保温砖层，在上隔热屏上方有内保温砖盖，在侧隔热屏和侧保温砖层上面有外保温砖盖，在侧保温砖层和炉体之间设不锈钢护网，在不锈钢护网与侧保温砖层之间填充氧化铝空心球，在炉体和不锈钢护网之间填充适量的氧化铝空心球。优点是熔体长晶产品成品率高，质量稳定。
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公开(公告)号：CN201075183Y
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200720116498.3
申请日：2007-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G05D23/00
Abstract: 新型可调数控定向凝固设备，在某些特殊的地方对温度的控制比较严格，例如在定向凝固方面需要在试样两端施加不同的温度，使其内部存在一个温度差，这样温度低的部件先行凝固，而温度高的地方则后凝固，从而为定向凝固创造了条件。本实用新型组成包括：设备支架(2)，所述的设备支架(2)上方与上制冷器(1)联接，所述的设备支架(2)下方与下制冷器(3)联接，所述的上下制冷器分别与数字控温设备(4)联接，所述的数字控温设备(4)与电子计算机(5)联接。本实用新型涉及一种新型可以精确控制温度差的设备。
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公开(公告)号：CN214992011U
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202120341225.9
申请日：2021-02-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种炉盖组件及具有其的碳化硅晶体生长炉。炉盖组件包括：盖板，盖板形成有液槽，液槽的底壁上设置有支撑件；护套，护套支撑于支撑件上并盖住液槽，以使护套与盖板之间形成液体流道，支撑件将液体流道分成第一流道以及第二流道，且支撑件设有连通第一流道与第二流道的通口，护套设有与第二流道连通的进液口、以及与第一流道连通的避让孔；以及排液筒，排液筒设置于液槽的底壁上并穿设于避让孔，且排液筒的外壁与避让孔的孔壁密封配合，排液筒设有与第一流道连通的第一排液口以及与第一排液口连通的第二排液口，第二排液口位于液体流道的外部。上述的炉盖组件可以避免因受持续的高温而损坏或缩短使用寿命。
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