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公开(公告)号：CN113094923A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110438353.X
申请日：2021-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 考虑多源不确定性的多参数相关退化产品可靠性评估方法，属于产品性能退化建模与可靠性评估技术领域。方法是：分析产品的任务剖面和失效机理，设计加速退化试验，并对产品的多元性能参数进行测量；针对单一性能参数的退化数据，建立同时考虑多源不确定性和退化过程非线性的边缘退化模型，并在给定失效阈值的情况下，推导失效概率密度函数和失效分布函数的近似解析形式；利用Copula函数建立各性能参数的联合失效分布函数；利用极大似然估计得到各边缘退化模型及Copula函数中的未知参数集合，实现产品可靠性评估。本发明解决了现有的多参数相关退化模型中尚未同时考虑多源不确定性和退化过程非线性的影响，进而导致可靠性评估结果缺乏合理性的问题。
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公开(公告)号：CN111626622A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010471019.X
申请日：2020-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种考虑不确定性的电路系统测试性指标预计方法，所述方法首先根据电路系统的历史故障信息等确定其故障集、测试特征完备集以及不确定性因素种类；之后建立该电路系统的故障仿真模型，并通过蒙特卡洛方法模拟获得不确定性影响下测试特征的分布情况；基于获取的测试特征分布信息建立故障-测试特征相关性矩阵；基于该矩阵，构建可用于描述测试特征相关性的高斯Copula形式的3种测试性指标预计函数；在此基础上进一步考虑测试特征子集选择问题，构建可用于任意子集的测试性指标快速预计函数。本发明考虑了测试特征之间的相关性，可有效提高电路系统测试性指标预计精度。
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公开(公告)号：CN108710745B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201810470432.7
申请日：2018-05-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种结合制造工艺数据的机电产品可靠性评估方法，所述方法首先根据机电产品的组成特点、制造工艺数据以及退化机理确定其输出特性退化模型的函数形式；之后以该机电产品的制造工艺数据为基础，通过有限元仿真及近似建模方法得到退化模型中随机影响系数的k个集合；同时，基于机电产品试验样本的退化数据，通过多次迭代的方式估计出退化模型中固定影响系数的值；随后，根据所得到的k组随机影响系数集合、固定影响系数估计值以及所述机电产品的退化失效阈值，得到该产品的k个退化失效伪寿命；最后，基于得到的退化失效伪寿命，计算并给出该机电产品在各时刻的可靠度。本发明为解决小子样条件下的批次产品可靠性评价问题提供了有效手段。
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公开(公告)号：CN108920839A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810726726.1
申请日：2018-07-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种结合工艺及可靠性框图的滚控电子模块贮存可靠性评估方法，所述方法首先通过建立滚控电子模块功能仿真模型，结合厂家调研结果，利用灵敏度分析方法确定影响滚控电子模块输出特性的底层关键元器件；然后，结合失效模式及失效机理分析、输出特性参数初始分布及加速贮存退化试验实测数据，得到具有分布特性的底层关键元器件贮存退化数据；最后，结合失效阈值及所建立的滚控电子模块可靠性框图中，得到滚控电子模块贮存可靠度。本发明解决了小子样问题下滚控电子模块贮存可靠性评估准确度低的问题，为滚控电子模块的贮存可靠性评估提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN108897961A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810726731.2
申请日：2018-07-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 本发明公开了一种结合工艺及可靠性框图的电子类单机贮存可靠性评估方法，所述方法通过EDA仿真模型及多物理场耦合模型对电子类单机进行描述，建立电子类单机功能仿真模型，结合厂家调研结果，利用灵敏度分析方法确定影响电子类单机输出特性参数的关键底层单元；然后，对关键底层单元进行失效模式及失效机理分析，结合底层单元工艺数据及加速贮存试验中实测的贮存退化数据，建立具有分布特性的底层单元贮存退化模型；最后，通过可靠性框图对电子类单机结构特征进行描述，并将各底层单元贮存失效率注入其中，完成电子类单机贮存可靠性评估。本发明解决了因进行加速贮存试验时电子类单机样本量过小，而导致的贮存可靠性评估结果准确度较低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108710745A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810470432.7
申请日：2018-05-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5018
Abstract: 本发明公开了一种结合制造工艺数据的机电产品可靠性评估方法，所述方法首先根据机电产品的组成特点、制造工艺数据以及退化机理确定其输出特性退化模型的函数形式；之后以该机电产品的制造工艺数据为基础，通过有限元仿真及近似建模方法得到退化模型中随机影响系数的k个集合；同时，基于机电产品试验样本的退化数据，通过多次迭代的方式估计出退化模型中固定影响系数的值；随后，根据所得到的k组随机影响系数集合、固定影响系数估计值以及所述机电产品的退化失效阈值，得到该产品的k个退化失效伪寿命；最后，基于得到的退化失效伪寿命，计算并给出该机电产品在各时刻的可靠度。本发明为解决小子样条件下的批次产品可靠性评价问题提供了有效手段。
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公开(公告)号：CN108647458A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810470417.2
申请日：2018-05-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种结合制造工艺数据的机电产品退化建模方法，所述方法首先根据机电产品的组成特点、制造工艺数据以及退化机理确定其输出特性退化模型函数形式；之后以该机电产品的制造工艺数据为基础，通过有限元仿真及近似建模方法确定退化模型中随机影响系数的分布情况；同时基于机电产品试验样本的退化数据，估计出退化模型中固定影响系数的值；最后，根据所确定退化模型函数形式以及随机影响系数与固定影响系数，给出结合制造工艺数据的机电产品退化模型。本发明解决了目前的退化建模方法由于无法对由制造工艺所决定的随机影响系数进行量化表述，而需要对其分布情况进行主观假设的问题。
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公开(公告)号：CN107748826B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201711092964.3
申请日：2017-11-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种继电器耐力学性能贮存退化分析方法，属于继电器产品性能分析技术领域。根据继电器设计参数建立其触簧系统振动仿真模型；对触簧系统进行贮存退化试验，基于应力松弛理论建立触簧系统的贮存退化模型；将贮存退化模型进行离散化，并据此修改仿真模型实现触簧系统贮存退化注入，计算得到常闭触点间预压力值的退化情况；对实现退化注入的触簧系统振动仿真模型进行模态分析与频率响应分析，确定其谐振频率及对应接触力响应值的退化情况；比较对应于不同贮存时间的预压力值与接触力响应值，判断继电器的耐力学性能是否满足要求，实现继电器耐力学性能贮存退化分析。本发明能够解决在设计阶段无法给出长贮过程中继电器耐力学性能变化情况的问题。
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公开(公告)号：CN107862130B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201711073253.1
申请日：2017-11-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种导致继电器贮存退化的内部关键因素的分析方法，包括如下步骤：建立继电器动态特性仿真模型；基于动态特性仿真建立继电器输出特性快速计算模型；通过蒙特卡洛方法及输出特性快速计算模型计算并拟合继电器输出特性分布；按照拟合结果分散程度筛选出对输出特性影响大的前若干个设计参数；确定选定设计参数最长贮存期对应的退化量；以该退化量为中心值，通过蒙特卡洛方法及输出特性快速计算模型计算并拟合继电器输出特性分布；计算继电器的可靠度，并以可靠度大小为指标确定导致其贮存退化的内部关键因素。本发明可对继电器输出特性进行快速、准确计算。解决了在进行继电器贮存可靠性设计与优化时，难以准确界定导致其贮存退化关键因素的问题。
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公开(公告)号：CN107742046B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201711092963.9
申请日：2017-11-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。本发明涉及一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。步骤一：在Simulink软件中建立待分析电路的定性模型；步骤二：根据所述定性模型及电路功能，确定由继电器类单机所控制的激励器件及执行器件；步骤三：按照继电器类单机贮存退化过程中t时刻的动作时间分布情况，通过蒙特卡洛方法随机抽样组合生成n组动作时间数据，作为激励器件的输入数据；步骤四：将所述n组动作时间数据分别输入至步骤一所建立的Simulink电路定性模型中。本发明用于考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。
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