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公开(公告)号：CN114530535A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210047002.0
申请日：2022-01-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法，从下至上依次包括：支撑基板、键合金属层、P型电极、P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层、缓冲层及N型电极，其中，缓冲层具有贯穿的V型孔洞结构；N型半导体完全填充缓冲层的V型孔洞；N型电极与V型孔洞内的N型半导体接触，形成欧姆接触。在Si衬底上生长具有V型孔洞贯穿的缓冲层，然后生长高掺杂的N型半导体层，并且缓冲层的V型孔洞被N型半导体完全填充，该结构的组合保证了器件良好的N型欧姆接触特性的同时，保留了高强度的缓冲层，可实现具有超薄外延层的氮化镓基垂直结构发光二极管的制造。
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公开(公告)号：CN114335305A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111320757.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种无荧光粉多基色LED侧发光模块及侧发光装置，该侧发光模块包括多基色LED光源、光源电路板、扩散板、导光板、第一反光层、第二反光层和散热器，多基色LED光源中不含荧光粉，通过至少四颗不同基色的LED芯片直接合成白光，导光板边缘设置有光耦合结构，扩散板、第二反光层、导光板、第一反光层依次叠设，导光板的光耦合结构和第一、第二反光层的设置实现了结构紧凑的多基色LED侧发光模块的高光提取、高亮度均匀性、高颜色均匀性；侧发光装置由侧发光模块和外壳、电源模块、控制模块、导线组成，侧发光模块与电源模块、控制模块通过导线相连，并结合驱动和控制设计，实现了多基色LED侧发光装置的光谱可调，实现按需照明，并兼顾高光提取、高亮度均匀性、高颜色均匀性的照明要求。
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公开(公告)号：CN113471060A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110583269.7
申请日：2021-05-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，包括硅衬底预处理和在经过预处理的硅衬底上生长AlN薄膜，生长AlN薄膜过程中掺杂原子半径比Al原子半径大的Mg原子。本发明一方面利用Mg原子在生长过程中对AlN薄膜形成压应力，使AlN薄膜不易形成微孔洞，另一方面利用Mg原子在AlN中易团聚形成间隙原子填充微孔洞，从而大幅降低硅衬底上AlN薄膜微孔洞的生成。本发明的制备方法工艺简单，可实现高稳定性、高重复性的硅衬底AlN外延材料制备，解决了现有技术中AlN薄膜由于Al原子迁移弱、AlN与硅衬底之间的张应力大等导致孔洞多的问题。
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公开(公告)号：CN110197861A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910522319.3
申请日：2019-06-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V坑的AlInGaN超晶格层的V坑侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V坑和连接所述V坑的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本发明采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN105742450B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610210910.1
申请日：2016-04-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法及结构，其结构包括：基板层，生长衬底上的LED薄膜被转移至基板层之上；基板层与LED薄膜之间由上至下依次有互补电极层、反射金属接触层和粘结保护层；n电极位于LED薄膜之上。通过互补电极层、n电极的形状设计，结合金属反射率的差异，实现具有高反射率且能与LED薄膜形成欧姆接触的反射金属接触层所对应的芯片区域(或无互补电极区域)发光亮度高，具有低反射率且不易与LED薄膜形成欧姆接触的粘结保护层所对应的区域(或有互补电极区域)发光亮度低，使LED芯片可以照射出特定设计的平面几何图形光斑。平面几何图形为特定的图形或特定的“字”型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106811736A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611222834.2
申请日：2016-12-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积装置，包括位于反应腔顶部的喷淋头和带侧壁吹扫的反应腔。喷淋头中单圈排列的金属有机气体进气导管设在氢化物进气导管中，使氢化物气体环绕金属有机气体向下输运，氢化物气体或载气从喷淋头内部和外部的进气导管进入反应腔。反应腔的侧壁上设有进气导管，将氢化物或载气输运进入反应腔，起到吹扫作用。在喷淋头中心设置了尾气导管，反应气体沿径向从外侧向中心流动，最终经尾气导管从下向上抽出。使用本发明装置，可在反应腔内形成由外侧向中心的水平层流，相比长距离输运喷淋头，可大幅提升金属有机气体利用率，相比短距离输运喷淋头，将大幅减少反应腔侧壁的反应物沉积，可以满足生产型MOCVD的要求。
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公开(公告)号：CN106711300A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611222884.0
申请日：2016-12-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种InGaN基黄色发光二极管结构，它包括衬底，在衬底上由下至上依次生长有缓冲层、n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层，其特征在于：准备层和黄光多量子阱层位置包含有一定数量和大小的倒六角锥结构，准备层是In组分较高的InxGa(1‑x)N厚单层结构，InxGa(1‑x)N层厚度为50‑200nm。In组分较高的InxGa(1‑x)N厚单层结构准备层可显著弛豫了黄光多量子阱层所受的张应力，获得高质量的黄光多量子阱发光层，同时位于准备层及黄光多量子阱层区域的倒六角锥结构可大幅提升p型载流子(空穴)的注入效率，从而提升黄色发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN106498368A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611022509.1
申请日：2016-11-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45502
Abstract: 本发明公开了一种用于MOCVD设备的喷淋头，包括多个互相隔离的进气室、相应的进气管道以及位于喷淋头中心的尾气导管。由于喷淋头同时具有进气导管和尾气导管，反应气体经喷淋头的进气导管从上向下喷入反应腔，最终经喷淋头中心的尾气导管从下向上抽出，反应腔内气体沿径向从外侧向中心流动，可大幅减少反应物沿程损耗的不利影响，有利于获得良好的外延生长均匀性。多个相互隔离的进气腔可选择性地输运第一、第二或者第三反应气体，通过选择进气腔合适的排列组合可以大幅提升金属有机气体的利用率，基本消除反应腔的侧壁的反应物沉积。
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公开(公告)号：CN114822378B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210309920.6
申请日：2022-03-28
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种全彩LED器件控制方法，该器件由多个像素点构成，每个像素点由单颗无颜色转换材料的芯片构成。该单颗芯片在大电流密度下发光为蓝色，在中电流密度下发光为绿色，在小电流密度下发光为红色。通过脉冲宽度调制方法（PWM）调节电流大小来实现不同颜色，调节占空比来实现不同亮度，最终实现每个像素点单芯片全彩显示。本发明在单颗无颜色转换材料的芯片上实现了全彩发光，相对于不同颜色LED芯片多次转移，本发明只需要单次转移即可，避免了多次转移工艺复杂性和高成本问题，提高了显示的空间像素，有益于批量化实现Micro LED芯片的集成。另一方面本发明LED器件发光性能稳定、可靠性高，不存在颜色转换材料不稳定性和有毒等问题。
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公开(公告)号：CN116539154A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310583997.7
申请日：2023-05-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于鉴别紫外光成分的便携分光器，其结构特点是：包含两个大小不同的凸透镜、一个含有圆形镂空孔的滤光屏、一个含有长条形镂空孔的滤光屏、一个长棱镜、一个内壁高度吸光的外壳、一个可拆卸的上盖、一个荧光屏、一个反射镜、一个目镜。本发明的优点是：（1）可在不使用光谱仪的条件下，使人眼清晰辨别出光源是否含有紫外光成分；（2）与市场上常见的光谱仪相比成本更低廉，且更方便携带。
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