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公开(公告)号：CN112909143A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110152719.7
申请日：2021-02-04
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有特定发光图形的AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法，该方法包括AlGaInP薄膜外延层的生长和N面出光的垂直薄膜结构LED芯片的制造；芯片制造主要包括P面钝化层的制备、P电极制备、外延层由衬底转导电基板的转移、腐蚀截止层去除、n型欧姆接触层的图形化、外延层的图形化、pn结钝化层制备与图形化、N电极制备和表面钝化层的制备与图形化，以及芯片切割。本发明可用于指示、显示等领域，相对于目前采用光遮挡片实现特定发光图形的方案，本发明具有更加节能、发光图形效果更好和图案更丰富等优势，且有利于批量生产。另外，本发明还可以在同一颗LED芯片上实现对多个分离的发光图形的独立控制。
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公开(公告)号：CN111200045A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010222574.9
申请日：2020-03-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种反射镜和P电极相互独立的AlGaInP LED芯片及制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P电极金属层、反射金属层、低折射率介质层、P型掺杂层、发光层、具有粗化表面的粗化层、N型掺杂层、N电极，所述反射金属层与所述低折射率介质层构成全方位反射镜，反射金属层与低折射率介质层上设有若干P电极孔，P电极金属层通过P电极孔与P型掺杂层接触；N电极由焊盘和若干扩展电极线组成，P电极孔位于相邻的扩展电极线之间。本发明提出的反射镜和P电极相互独立的AlGaInP LED芯片，可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终可以提高AlGaInP LED芯片的电光转换效率。
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公开(公告)号：CN111081691A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911336674.8
申请日：2019-12-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/54 , H01L33/58
Abstract: 本发明公开了一种实现多基色LED光源的混光及光提取目的的模组结构，包括若干颗LED灯珠、第二热界面层、二次光学透镜、第二基板层和密封圈，其中LED灯珠包括若干颗主波长不同的LED芯片、引线、一次光学透镜、第一热界面层、第一基板层，不同主波长芯片之间交错排布，一次光学透镜将若干颗LED芯片密封在第一基板层上；若干颗LED灯珠分别通过第二热界面层材料层固定在第二基板层上，二次光学透镜安装在第二基板层上；若干颗LED灯珠在第二基板层上的贴片角度是不完全相同的；在一次光学透镜和二次光学透镜之间包含第三层封装胶体层。本发明通过该模组结构解决了多基色LED光源出光空间颜色均匀性差的问题，同时提高其光提取效率。
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公开(公告)号：CN109378378A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811235637.3
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极，第二电极与第一电极共同构成反射电极。本发明还公开了一种垂直结构LED芯片的反射电极及其制备方法。本发明有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN109273573A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811235636.9
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极。本发明还公开了该LED芯片的反射电极及其制备方法，反射电极由第一电极和第二电极共同构成，第一电极依次包括第一电极接触层、低折射率介质层和高光反射金属层，低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的特定排列的导电小孔，第一电极还包括可减少第二电极对其正下方区域发光遮挡的区域。本发明有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107623061A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710849104.3
申请日：2017-09-20
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抑制薄膜LED芯片光反射金属层球聚的方法，包括以下步骤：外延材料清洗、生长绝缘介质层、光刻P面电极孔、蒸发P面电极、光刻P面电极、蒸发光反射金属层、蒸发键合金属层、晶片键合、蒸发N面电极、光刻N面电极、电极合金、芯片粗化、芯片测试、芯片切割、芯片分选、产品包装入库，特征是：在光刻N面电极步骤和芯片粗化步骤之间设有电极合金步骤，且放在晶片键合步骤之后。本发明将P面电极合金跟N面电极合金合并为一个电极合金工艺，且放在晶片键合之后，光反射金属层两侧的压力能够有效抑制光反射金属层在电极合金的高温作用下发生球聚现象，提高了光反射金属层的光反射率，同时简化了薄膜LED芯片的制备工序。
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公开(公告)号：CN105870286A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610253193.0
申请日：2016-04-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/08
Abstract: 本发明公开了一种带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构及其制备方法，该结构包括衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、有源层和P型层，所述有源层包括多层结构和发光单元，发光单元包括发射3?10个发光波长的多量子阱发光区域，多层结构存在V坑，V坑产生于多层结构，贯穿多量子阱发光区域。用本发明的方法获得的带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构可以解决现有主流白光LED存在的荧光粉寿命偏短、色温偏高、显色指数偏低以及蓝光短波长部分危害等问题，实现无荧光粉的单芯片LED发白光。
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公开(公告)号：CN103560193A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310383588.9
申请日：2013-08-29
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法，其结构包括：基板层，生长衬底上的外延层被转移至所述基板层之上；基板层与外延层之间，由上至下依次有阻挡保护层、稀释保护层和黏结层；N电极位于外延层之上。它利用由多种金属或合金的叠层构成的稀释保护层和阻挡保护层，克服了低成本、低熔点金属作为黏结层材料存在的抗腐蚀能力差、扩散能力强等易破坏发光二极管结构及光电性能等问题，从而可代替贵金属作为热压黏合材料，一方面极大减低了垂直式发光二极管的制备成本，另一方面较低的热压温度及压力，减小热压自身的残余应力，使器件的光电性能和可靠性得到提高。本发明主要用于半导体发光器件上。
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公开(公告)号：CN213340373U
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202022186552.X
申请日：2020-09-29
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/56
Abstract: 本实用新型公开了一种无荧光粉多基色LED封装结构，该封装结构包括封装基板、若干颗间隔放置的LED芯片、固晶层、引线和复合封装胶结构；封装基板上有通过固晶层键合的若干LED芯片，LED芯片通过引线和基板电路连接，多基色LED芯片上有复合封装胶结构，复合封装胶结构由纯封装胶的第一封装胶层和掺有微纳米散射颗粒掺杂的第二封装胶层组成，并且第二封装胶层位于第一封装胶层周围。如此保证大部分光线直接从第一封装胶层出射，而大角度的光线在微米纳米颗粒掺杂的第二封装胶层内与微米纳米颗粒发生散射作用，从而改善不同LED芯片出光的各向均匀性，实现大视角的混光，同时保证高光提取效率。
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公开(公告)号：CN208538852U
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201821327076.5
申请日：2018-08-16
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/58
Abstract: 本实用新型公开了一种LED芯片的封装产品，包括若干颗LED芯片、基板、固晶层、引线和光学透镜；若干颗LED芯片通过固晶层分别键合在基板上，引线的两端分别与LED芯片的上电极和基板上的电路固定连接，光学透镜安装在基板上，并将若干颗LED芯片、基板、固晶层、引线密封在基板上；所述LED芯片为AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构的黄绿光LED芯片和AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构的红光LED芯片。通过本实用新型，解决了荧光粉使用带来的色温和光效难以协调发展的问题，实现了高光效超低色温的金黄光，避免当前LED芯片的封装产品中蓝光成分对用户的潜在危害。
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