-
公开(公告)号：CN118839622A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411324053.9
申请日：2024-09-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件高精度二维电势仿真的加速方法，包括S1：获取数据集；S2：建立基于引入自注意力机制的深度卷积神经网络或者深度反向投影网络的二维电势预测模型；S3：预测二维电势的近似值；S4：高精度二维电势仿真。本发明利用一种快速且高精度的二维电势仿真方法，实现了半导体器件从结构参数到二维电势分布的高效仿真过程，与基于传统TCAD软件仿真相比，具有仿真速度快，收敛性好，节约计算资源等优点。同时该发明中构建的二维电势预测模型能实现从结构参数到二维电势分布的预测，能提高设计人员的设计效率，节省设计时间。
-
公开(公告)号：CN118658571A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411132962.2
申请日：2024-08-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F111/10 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F119/02 , G06F111/04 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开一种考虑延性损伤的凸点晶体塑性有限元模型的构建方法，属于封装可靠性仿真技术领域，包括如下步骤：S1、对凸点试件开展推球试验，获得凸点的宏观应力‑位移曲线；S2、初步建立二维晶体塑性有限元模型；S3、建立耦合损伤的晶体塑性本构模型，并通过用户自定义材料子程序定义；S4、建立计算模型，采用均匀化方法获得有限元模型的应力‑位移曲线；S5、采用试参法拟合宏观应力‑位移曲线和有限元模型的应力‑位移曲线，调整本构模型中的材料参数。本发明能够精确预测封装凸点在剪切荷载下的变形及失效行为，大幅降低试验和设计成本，为封装结构设计提供参考。
-
公开(公告)号：CN118364728B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410788979.7
申请日：2024-06-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06F18/24 , G06N20/00 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习和跨尺度迭代耦合的器件电热应力提取方法，包括1、确定参数范围；2、提供参数数值给器件级电学计算工具与封装‑系统级热学计算工具；3、器件级电学计算；4、器件电热应力输出与判断；5、功率损耗计算；6、封装‑系统级热学计算；7、器件‑封装‑系统级电热耦合计算；8、机器学习模型选取与训练；9、器件电热应力预测。本发明提供的跨尺度迭代耦合技术模拟半导体器件实际工作状态下的动态电热耦合效应，显著提高器件电热应力计算精确度。同时通过机器学习辅助计算，实现从半导体器件‑封装‑系统级结构参数、电激励参数、工作时间及环境温度到器件电热应力的预测过程，具有准确性高、计算速度快等优点。
-
公开(公告)号：CN118198115B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410622788.3
申请日：2024-05-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种高压低功耗SOI LIGBT，其在漂移区内引入自阴极至阳极逐渐减小的介质槽，靠近主栅极结构的介质槽内有多晶硅槽为辅助槽栅，该槽栅与主栅短接。在阻断时，变宽度介质槽使得漂移区内杂质分布呈由阴极至阳极增加，获得均匀表面电场，大大提高器件耐压；在正向导通时，介质槽在漂移区近阴极端形成窄台面，实现注入增强和低导通压降；在关断过程中，相同耐压级别下，漂移区内过剩载流子小，实现快关断和低关断损耗。本发明可实现高耐压，在不增加导通压降的情况下，具有更低的关断损耗。
-
公开(公告)号：CN114912342B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210312686.2
申请日：2022-03-28
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06Q10/0639 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于多质量参数的封装引线键合工艺参数优化方法，先获取与引线键合质量参数相关的工艺参数和每个工艺参数的取值范围，随机组合工艺参数，通过实验和仿真收集不同工艺参数条件下的引线键合的质量参数，生成数据集，基于神经网络进行训练；结合质量参数预测模型生成目标函数，设置初始参数集合并导入质量参数预测模型，得到相应的质量参数的实时预测值；将新的工艺参数集合导入质量参数预测模型，得到满足设计要求的质量参数。本发明利用贝叶斯优化算法，自动简单地优化引线键合的工艺参数，使得最终优化过后的工艺参数的质量参数能够达到目标值，从而降低人力、物力耗费，具有成本低，速度快，精度高等优势。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118317673A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410482596.7
申请日：2024-04-22
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于有机场效应晶体管器件制造领域，提供了一种有机场效应晶体管的有机半导体层掺杂方法及制备的有机场效应晶体管，通过在半导体层中间加入合适的掺杂层进行排除聚合物晶体中的掺杂阴离子，在不破坏薄膜表面形貌的情况下降低了半导体内陷阱态密度，因而提高薄膜载流子浓度，从而达到将接触电阻大大降低的目的，并降低功率器件的阈值电压、提高器件的载流子迁移率。在实际制造过程中，本发明改进了传统体掺杂导致半导体层溶液配制极大浪费以及配制小批量溶液无法准确控制掺杂比例的不足，通过改变工艺实现了原来工艺不能达到的掺杂比例，简化了制造器件的工艺、控制了器件制作成本。
-
公开(公告)号：CN118251019A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410400227.9
申请日：2024-04-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于功率半导体分立器件设计与制造领域，公开了一种具有漏场板结构的有机半导体功率器件，包括器件本体和漏场板。所述器件设置有衬底、有机半导体层、栅极介质层和栅极电极、源电极和漏电极；位于栅极电极和漏电极之间的有机半导体层形成横向漂移区，漏场板采用金属材质，所述通孔是先使用光刻工艺对所需刻蚀的部分进行图案化，再使用刻蚀工艺成孔，最后借助未剥离的光刻胶使用蒸镀工艺填充金属材料形成，所述通孔连接漏电极与漏场板。器件工作在关态时，漏场板的设计能够增加电场峰值点的数量从而均匀电场，提高器件的耐压性能；器件工作在开态时，漏场板的设计可以提高漂移区内的载流子浓度，从而提高器件的饱和电流和开关比。
-
公开(公告)号：CN118098334B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410505070.6
申请日：2024-04-25
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明属于集成电路领域，公开了一种RRAM的故障测试方法，对所有常规存储器的故障模型以及RRAM特有故障模型的故障原语进行分析，得到能够检测故障模型的测试序列；使用得到的测试序列在March‑C‑，March C*‑1T1R等算法基础上推导出能覆盖大部分常规存储器故障以及RRAM特有故障的March‑RAWR算法；以March‑RAWR算法为核心，构建一个适用于RRAM存储器的内建自测试MBIST电路；对RRAM存储器注入故障，并运行MBIST电路进行故障测试，记录故障单元地址。该方法提出的March RAWR算法故障覆盖率高达89.92%。该方法搭建的内建自测试电路结构简单，额外占用面积小。
-
公开(公告)号：CN114337550B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202111683063.8
申请日：2021-12-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种高隔离度混频器电路，用于对输入的信号进行下变频或者上变频处理，射频变压器将信号输入端口输入的单端信号转换为差分信号，并输出差分信号给混频器核；本振信号输入端口用于向混频器核输入本振信号；混频器核包括晶体管对，根据场晶体管对栅极和漏极间的非线性频率转移特性，完成对差分信号的下变频或者上变频处理后，输出双路信号给中频变压器；中频变压器将双路信号转换成单路信号给信号输出端口；能够实现下变频或者上变频处理的高隔离度，保证电路性能较优，采用有源结构，得到高隔离度的同时，能够获得很好的变频增益。
-
公开(公告)号：CN118012220B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410411938.6
申请日：2024-04-08
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及一种基于威尔逊电流镜的SiC MOSFET有源栅极驱动电路，基于电流提供电路（1）提供驱动电流，由第一镜像电流源控制开关电路（4）、第二镜像电流源控制开关电路（5）分别检测待测试SiC MOSFET U1的源极的电压，并控制相应第一旁路电流产生电路（2）、第二旁路电流产生电路（3）分别工作，进而对待测试SiC MOSFET U1实现驱动；设计方案在开通和关断过程中设计切入栅极驱动电路的旁路威尔逊电流镜，用于加快开关过程中的栅源电压（#imgabs0#）变化速度，从而在不影响漏源电压（#imgabs1#）、漏极电流（#imgabs2#）过冲的情况下加快开关速度，从而达到减小开关损耗的目的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
190
records
(took 0.05 seconds)
